UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 4 A，可縮短電源開關(guān)的上升和下降時間，降低開關(guān)損耗并提高效率。該器件的快速傳播延遲（典型值為 18ns）通過改善系統(tǒng)的死區(qū)時間優(yōu)化、脈沖寬度利用率、控制環(huán)路響應和瞬態(tài)性能，提高了功率級效率。
*附件：ucc27444-q1.pdf

UCC27444-Q1 可在其 INx 輸入端處理 –5 V，從而提高了具有中等接地反彈的系統(tǒng)的穩(wěn)健性。輸入可以連接到大多數(shù)控制器輸出，以實現(xiàn)最大的控制靈活性。獨立的使能信號允許獨立于主控制邏輯控制功率級。在系統(tǒng)故障的情況下，柵極驅(qū)動器可以通過將使能拉低來快速關(guān)斷。許多高頻開關(guān)電源在功率器件的柵極處會出現(xiàn)噪聲，這些噪聲可能會注入柵極驅(qū)動器的輸出引腳，并可能導致驅(qū)動器發(fā)生故障。該器件的瞬態(tài)反向電流和反向電壓能力使其能夠容忍功率器件或脈沖變壓器柵極上的噪聲，并避免驅(qū)動器故障。

UCC27444-Q1 還具有低電壓作和上電復位 （POR） 功能，以提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。當沒有足夠的偏置電壓來完全增強功率器件時，柵極驅(qū)動器輸出由強大的內(nèi)部下拉 MOSFET 保持低電平。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
• 每個通道的典型峰值拉電流和灌電流為 4A
• INA 和 INB 輸入引腳能夠處理 –5 V 電壓
• 絕對最大 VDD 電壓 20 V
• 4.5 V 至 18 V 的寬 VDD 工作范圍
• 兩個獨立的柵極驅(qū)動通道
• 每個輸出的獨立啟用功能
• 快速傳播延遲（典型值為 18ns）
• 快速上升和下降時間（典型值為 11ns 和 7ns）
• 兩個通道之間的典型延遲匹配為 1ns
• SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD? 封裝選項
• 工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 125°C

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

UCC4-Q是一款專為汽車應用設計的0V、A雙通道低側(cè)門驅(qū)動器，具備-5V輸入能力。該驅(qū)動器適用于高頻率開關(guān)電源，如開關(guān)模式電源（SMPS）、功率因數(shù)校正（PFC）電路、DC/DC轉(zhuǎn)換器、AC逆變器和VF驅(qū)動等。

2. 主要特性

• ?雙通道設計?：每個通道具備獨立的使能功能。
• ?高驅(qū)動能力?：每個通道的典型峰值源和沉電流為4A，降低了功率開關(guān)的上升和下降時間，減少了開關(guān)損耗。
• ?低輸入電壓能力?：輸入引腳（INA、INB）能夠處理-V電壓，提高了系統(tǒng)在有地彈情況下的可靠性。
• ?快速響應?：典型的傳播延遲為ns，上升和下降時間分別為1ns和ns，兩個通道之間的延遲匹配為1ns。
• ?寬工作電壓范圍?：VDD工作電壓范圍從.V到V，絕對最大值為0V。
• ?熱性能?：提供SOIC和VSSOP（帶PowerPAD）封裝選項，適用于不同的熱管理需求。

3. 應用領(lǐng)域

• 開關(guān)模式電源（SMPS）
• 功率因數(shù)校正（PFC）電路
• DC/DC轉(zhuǎn)換器
• AC逆變器
• 微逆變器
• DC快速充電站

4. 功能描述

4.1 輸入階段

• 輸入引腳兼容TTL和CMOS邏輯電平，支持高至-5V的輸入電壓，增強了在噪聲環(huán)境下的信號可靠性。
• 每個通道具備獨立的使能引腳（ENA、ENB），允許獨立控制每個輸出。

4.2 輸出階段

• 輸出電壓擺動范圍從GND到VDD，提供軌到軌輸出驅(qū)動能力。
• 峰值源和沉電流能力高達A，適用于快速開關(guān)應用。
• 輸出具備反向電流和反向電壓承受能力，提高了對噪聲的容忍度。

4.3 保護功能

• 上電復位（POR）保護：當VDD電壓低于閾值時，輸出被強制拉低。
• 獨立的使能控制：允許在系統(tǒng)故障時快速關(guān)閉門驅(qū)動器。

5. 典型應用

文檔提供了UCC4-Q在驅(qū)動MOSFET和GaN功率開關(guān)的典型應用電路圖，并討論了設計要求、布局指南和熱考慮因素。

6. 電源推薦

• 推薦使用兩個旁路電容器（一個≥1μF和一個0.1μF）并聯(lián)在VDD和GND之間，以支持高峰值電流并減少噪聲。
• 在設計時需確保VDD電壓在推薦的工作范圍內(nèi)（4.5V至8V），并考慮POR閾值和滯回特性。

7. 布局指南

• 門驅(qū)動器應盡可能靠近功率開關(guān)放置，以減小柵極驅(qū)動回路的寄生電感。
• VDD旁路電容器應盡可能靠近門驅(qū)動器放置，以提供低阻抗路徑。
• 輸入和輸出信號跡線應分開，以減少噪聲耦合。
• 使用地平面進行噪聲屏蔽，并確保地平面與門驅(qū)動器和其他關(guān)鍵組件的良好連接。