LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動器，專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計，具有可調(diào)死區(qū)時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個內(nèi)部 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅(qū)動電壓。

為了在各種應(yīng)用中實現(xiàn)最佳性能，該LMG1210允許設(shè)計人員選擇最佳的自舉二極管來為高側(cè)自舉電容器充電。當(dāng)?shù)蛡?cè)關(guān)閉時，內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管，從而有效地防止高側(cè)自舉過度充電，并最大限度地減少反向恢復(fù)電荷。GaN FET 上的額外寄生電容降至 1 pF 以下，以減少額外的開關(guān)損耗。
*附件：lmg1210.pdf

LMG1210 具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在 PWM 模式下，兩個互補(bǔ)輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可以將每個邊沿的死區(qū)時間從 0 調(diào)整到 20 ns。LMG1210可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)工作，并采用低電感 WQFN 封裝。

特性

• 高達(dá) 50MHz 的工作頻率
• 10ns 典型傳播延遲
• 3.4ns 高側(cè)至低側(cè)匹配
• 最小脈沖寬度為 4 ns
• 兩個控制輸入選項
  • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
  • 獨(dú)立輸入模式
• 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流
• 外部自舉二極管，靈活性高
• 內(nèi)部 LDO，可適應(yīng)電壓軌
• 高達(dá) 300V/ns 的 CMTI
• HO 至 LO 電容小于 1 pF
• UVLO 和過熱保護(hù)
• 低電感 WQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LMG是一款高速、高性能的半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動器，設(shè)計用于最高M(jìn)Hz的操作頻率。它集成了內(nèi)部LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）、可調(diào)死區(qū)時間、高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）以及低電感WQFN封裝，適用于高頻、高效率的應(yīng)用場景。

二、主要特性

• ?高速操作?：最高支持MHz操作頻率。
• ?低傳播延遲?：典型傳播延遲為ns。
• ?高CMTI?：高達(dá)V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度。
• ?可調(diào)死區(qū)時間?：通過外部電阻設(shè)置，死區(qū)時間可調(diào)范圍為至ns。
• ?內(nèi)部LDO?：確保柵極驅(qū)動電壓為V，不受電源電壓影響。
• ?低電感封裝?：采用低電感WQFN封裝，減小寄生電感和電壓過沖。
• ?保護(hù)功能?：具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護(hù)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
• RF包絡(luò)跟蹤
• Class-D音頻放大器
• Class-E無線充電
• 高精度電機(jī)控制

四、功能描述

• ? 獨(dú)立輸入模式（IIM） ?：每個輸出由獨(dú)立輸入控制。
• ?PWM模式?：通過單個PWM輸入生成兩個互補(bǔ)輸出信號，死區(qū)時間可調(diào)。
• ?LDO操作?：內(nèi)部LDO可將輸入電壓（V至V）調(diào)節(jié)至V，為柵極驅(qū)動提供穩(wěn)定電壓。
• ?死區(qū)時間選擇?：通過DHL和DLH引腳連接外部電阻設(shè)置死區(qū)時間。
• ?過溫保護(hù)?：具有低側(cè)和高側(cè)獨(dú)立的過溫保護(hù)閾值。
• ?高性能電平移位器?：采用TI專有的高壓電容技術(shù)，提供高CMTI和低傳播延遲。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了LMG在同步降壓轉(zhuǎn)換器中的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計要求和詳細(xì)設(shè)計步驟。設(shè)計步驟涵蓋了旁路電容選擇、自舉二極管選擇、處理地彈噪聲、獨(dú)立輸入模式、功率耗散計算以及應(yīng)用曲線等內(nèi)容。

六、電源推薦

• 輸入電壓范圍：V至V（若使用內(nèi)部LDO）；若旁路內(nèi)部LDO，則直接提供V±%的電壓。
• 需在VIN和GND、VDD和GND之間分別連接旁路電容，以支持內(nèi)部電路和柵極驅(qū)動。

七、布局指南

• ?LMG放置?：盡可能靠近GaN FET，以減小高電流跡線長度。
• ?自舉二極管放置?：靠近LMG，以減小BST到HB環(huán)路的電感。
• ?旁路電容放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近相應(yīng)的電源引腳。
• ?信號與電源分離?：分離電源跡線和信號跡線，減小層間重疊。
• ?最小化電容?：從高側(cè)引腳到輸入引腳的最小化電容，以減小噪聲注入。