功率器件靜態(tài)參數(shù)分類與解析

功率器件的靜態(tài)參數(shù)反映了其在穩(wěn)態(tài)下的基本電氣和熱特性，是評(píng)估器件性能與可靠性的核心指標(biāo)。以下是主要分類及具體參數(shù)說(shuō)明：

一、電壓相關(guān)參數(shù)

?擊穿電壓?

?BVDSS?（漏源擊穿電壓）：表征MOSFET在柵源短接時(shí)的最大耐壓能力；

?VCES?（集射極阻斷電壓）：IGBT在關(guān)斷狀態(tài)下可承受的最高電壓。

?導(dǎo)通電壓?

?VGS(th)?（柵極開(kāi)啟閾值電壓）：MOSFET導(dǎo)通所需的最小柵極驅(qū)動(dòng)電壓；

?VGE(th)?（柵射極閾值電壓）：IGBT的導(dǎo)通門檻電壓。

二、電流相關(guān)參數(shù)

?漏電流?

?IDSS?（漏源漏電流）：MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下的漏極電流；

?IGSS?（柵源漏電流）：柵極絕緣特性指標(biāo)。

?導(dǎo)通電流與飽和電流?

?飽和電流?：器件在飽和區(qū)的最大承載電流能力；

?靜態(tài)工作電流?：穩(wěn)態(tài)下的功耗水平參數(shù)。

三、阻抗特性

?導(dǎo)通電阻?

?RDS(on)?：MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源極間的電阻，直接影響導(dǎo)通損耗；

?VCES（飽和壓降）?：IGBT在飽和區(qū)的集射極電壓，反映導(dǎo)通壓降。

?跨導(dǎo)（gm）?

MOSFET柵極電壓對(duì)漏極電流的控制能力。

四、熱特性參數(shù)

?最大允許功耗（Ptot）?

器件在特定溫度下的功率耗散極限；

?熱阻（RthJC）?

結(jié)到殼的散熱效率指標(biāo)。

測(cè)試方法要點(diǎn)

?穩(wěn)態(tài)施加?：通過(guò)精密電源施加穩(wěn)定電壓/電流信號(hào)，測(cè)量響應(yīng)參數(shù)；

?典型配置?：柵極/基極施加階梯信號(hào)，記錄電壓-電流特性曲線；

?測(cè)試條件?：需在固定溫度（如25℃）及完全導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)下進(jìn)行。

功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需根據(jù)器件類型（如MOSFET、IGBT）選擇對(duì)應(yīng)測(cè)試方案，并結(jié)合熱特性

PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

●高電壓達(dá)3500V(最大擴(kuò)展至10kV)

●大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

●nA級(jí)漏電流μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

●高精度測(cè)量0.1%

●模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試

●測(cè)試效率高，自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試

●溫度范圍廣，支持常溫、高溫測(cè)試

●兼容多種封裝，根據(jù)測(cè)試需求定制夾具

審核編輯 黃宇