該 LMG1205 設(shè)計(jì)用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用于高側(cè)和低側(cè)輸出的獨(dú)立輸入，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。高壓側(cè)偏置電壓使用自舉技術(shù)產(chǎn)生，并在內(nèi)部箝位為 5 V，從而防止柵極電壓超過(guò)增強(qiáng)型 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容，無(wú)論 VDD 電壓如何，都可以承受高達(dá) 14 V 的輸入電壓。LMG1205具有分離柵極輸出，可以靈活地獨(dú)立調(diào)整導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件：lmg1205.pdf

此外，LMG1205 的強(qiáng)吸收能力將柵極保持在低電平狀態(tài)，防止開(kāi)關(guān)期間意外導(dǎo)通。LMG1205 可以工作在幾兆赫茲。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝，具有緊湊的封裝尺寸和最小的封裝電感。

特性

• 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè) TTL 邏輯輸入
• 1.2A 峰值拉電流，5A 灌電流
• 高壓側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌可在高達(dá) 100 VDC 的電壓下工作
• 內(nèi)部自舉電源電壓箝位
• 用于可調(diào)導(dǎo)通、關(guān)斷強(qiáng)度的分離輸出
• 0.6-Ω 下拉電阻，2.1-Ω 上拉電阻
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 35 ns）
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 1.5 ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗

參數(shù)

方框圖

概述

LMG是一款由Texas Instruments（TI）生產(chǎn)的0V、.A至5A半橋GaN驅(qū)動(dòng)器，集成了自舉二極管。該驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓、升壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)型GaN FET，提供獨(dú)立的TTL邏輯輸入、高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌、內(nèi)部自舉電源電壓鉗位以及可調(diào)開(kāi)通和關(guān)斷強(qiáng)度的分裂輸出。

主要特性

• ?獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)輸入?：允許最大控制靈活性。
• ?高電流能力?：.A峰值源電流，A沉電流。
• ?高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓?：高達(dá)VDC。
• ?內(nèi)部自舉電壓鉗位?：防止柵極電壓超過(guò)GaN FET的最大柵源電壓額定值。
• ?分裂輸出?：可調(diào)開(kāi)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
• ?快速傳播時(shí)間?：典型值為5ns。
• ?優(yōu)秀的傳播延遲匹配?：典型值為1.5ns。
• ?欠壓鎖定保護(hù)?：確保供電電壓不足時(shí)驅(qū)動(dòng)器的安全操作。
• ?低功耗?：優(yōu)化設(shè)計(jì)以降低功耗。

應(yīng)用領(lǐng)域

• ?電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器?
• ?半橋和全橋轉(zhuǎn)換器?
• ?同步降壓轉(zhuǎn)換器?
• ?雙開(kāi)關(guān)正激轉(zhuǎn)換器?
• ?帶有源鉗位的正激轉(zhuǎn)換器?

功能描述

輸入與輸出

• ?TTL邏輯兼容輸入?：可承受高達(dá)4V的輸入電壓，無(wú)論VDD電壓如何。
• ?分裂柵極輸出?：提供HOH、HOL、LOH和LOL四個(gè)輸出，允許獨(dú)立調(diào)整開(kāi)通和關(guān)斷速度。
• ?優(yōu)化的輸出電阻?：.Ω下拉電阻和2.1Ω上拉電阻，適用于高頻高效操作。

啟動(dòng)與欠壓鎖定

• ?VDD欠壓鎖定?：當(dāng)VDD電壓低于閾值時(shí)，禁用高側(cè)和低側(cè)輸出。
• ?自舉電壓欠壓鎖定?：當(dāng)自舉電壓不足時(shí)，僅禁用高側(cè)關(guān)斷輸出。
• ?遲滯功能?：避免在供電電壓波動(dòng)時(shí)引起的顫動(dòng)。

自舉負(fù)電壓與電壓鉗位

• ?內(nèi)部鉗位電路?：防止自舉電壓超過(guò)V，保護(hù)高側(cè)GaN FET免受損壞。
• ?負(fù)電壓處理?：解決由高側(cè)驅(qū)動(dòng)器浮動(dòng)自舉配置引起的負(fù)電壓瞬態(tài)問(wèn)題。

典型應(yīng)用

LMG適用于需要高頻、高效率和高功率密度的應(yīng)用，如同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。其分裂柵極輸出允許獨(dú)立調(diào)整開(kāi)通和關(guān)斷速度，以滿足不同應(yīng)用的需求。

布局指南

• ?最小化環(huán)路電感?：將GaN FET盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器放置，以減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路電感。
• ?旁路電容?：在VDD和GND引腳以及HB和HS引腳附近放置低ESR/ESL電容，以支持高速開(kāi)關(guān)時(shí)的瞬態(tài)電流需求。
• ?熱設(shè)計(jì)?：考慮驅(qū)動(dòng)器的熱耗散，確保適當(dāng)?shù)纳岽胧?/li>