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TLE2072A-Q1 汽車(chē)級(jí)、雙路、38V、10MHz、低壓擺率、2mV失調(diào)電壓、JFET 輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)技術(shù)手冊(cè)

科技觀察員 ? 2025-05-20 11:04 ? 次閱讀
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TLE207x系列JFET輸入運(yùn)算放大器的帶寬是TL07x和TL08x系列BiFET運(yùn)算放大器的兩倍多,轉(zhuǎn)換速率是其三倍多。德州儀器Excalibur工藝產(chǎn)生的典型噪聲基底為11.6 nV/√Hz,確保最大17 nV/▲Hz,可立即改善使用TL07x設(shè)計(jì)的噪聲敏感電路。TLE207x還具有更寬的電源電壓軌,將BiFET電路的動(dòng)態(tài)信號(hào)范圍增加到±19 V。片上齊納微調(diào)偏移電壓可產(chǎn)生精度等級(jí),在直流耦合應(yīng)用中具有更高的精度。TLE207x與低性能BiFET運(yùn)算放大器引腳兼容,便于提高現(xiàn)有設(shè)計(jì)的性能。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:TLE2072A-Q1 汽車(chē)級(jí)、雙路、38V、10MHz、低壓擺率、2mV失調(diào)電壓、JFET 輸入運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)技術(shù)手冊(cè).pdf

BiFET運(yùn)算放大器提供JFET輸入晶體管固有的更高輸入阻抗,而不會(huì)犧牲與雙極放大器相關(guān)的輸出驅(qū)動(dòng)。這使得它們更適合與高阻抗傳感器或非常低電平的交流信號(hào)連接。它們還具有比具有相當(dāng)功耗的雙極或CMOS器件更好的交流響應(yīng)。

TLE207x系列BiFET放大器是德州儀器性能最高的BiFET,具有更嚴(yán)格的輸入偏移電壓和確保的最大噪聲規(guī)格。要求不太嚴(yán)格的規(guī)格但尋求改進(jìn)TLE207x交流特性的設(shè)計(jì)師應(yīng)考慮TLE208x運(yùn)算放大器系列。

由于BiFET運(yùn)算放大器是為雙電源設(shè)計(jì)的,因此在單電源工作時(shí),必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺動(dòng)。需要輸入信號(hào)的直流偏置,負(fù)載應(yīng)端接到中間電源的虛擬接地節(jié)點(diǎn)。當(dāng)使用單電源操作BiFET放大器時(shí),德州儀器TLE2426集成虛擬接地發(fā)生器非常有用。

TLE207x完全指定為±15 V和±5 V。對(duì)于在低壓和/或單電源系統(tǒng)中運(yùn)行,建議使用德州儀器LinCMOS系列運(yùn)算放大器(TLC-和TLV前綴)。當(dāng)從BiFET轉(zhuǎn)向CMOS放大器時(shí),應(yīng)特別注意轉(zhuǎn)換速率和帶寬要求以及輸出負(fù)載。

特性
具備汽車(chē)應(yīng)用資格
直接升級(jí)到TL05x、TL07x和TL08x BiFET運(yùn)算放大器
大于TL07x的2倍帶寬(10 MHz)和3倍轉(zhuǎn)換速率(45 V/μs)
確保最大噪聲基底17 nV/√Hz
提高直流性能的片上偏移電壓微調(diào)
更寬的電源軌將動(dòng)態(tài)信號(hào)范圍增加到±19 V

引腳配置
1.png

符號(hào)
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典型特性
1.png

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    )、10MHz 的較寬帶寬和超低噪聲(1kHz 時(shí)為 12 nV/√Hz),因此對(duì)于要求在成本和性能間達(dá)到良好平衡的各類(lèi)電池供電 應(yīng)用 而言極具吸引力。低輸入偏置電流支持在 源阻抗高達(dá)兆歐級(jí)
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    TLV4316 四<b class='flag-5'>路</b> 5.5<b class='flag-5'>V</b>、<b class='flag-5'>10MHz</b>、RRIO <b class='flag-5'>運(yùn)算放大器</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>手冊(cè)</b>