半導(dǎo)體分立器件的靜態(tài)參數(shù)是指在直流穩(wěn)態(tài)下測量的關(guān)鍵電氣性能指標(biāo)，主要用于評估器件的導(dǎo)通能力、耐壓特性和功耗特性等。以下是主要分類及參數(shù)說明：

一、基本電參數(shù)

?閾值電壓（Vth/VGS(th)）?

MOSFET/IGBT開始導(dǎo)通的最低柵極電壓，決定器件導(dǎo)通的門檻。

?導(dǎo)通電壓（VBE/VCESAT）?

BJT/IGBT導(dǎo)通時基極-發(fā)射極或集電極-發(fā)射極的電壓降，影響導(dǎo)通功耗。

?擊穿電壓（BV）?

反向偏置下器件能承受的最大電壓，如BVCBO（基極-集電極擊穿電壓）、BVDSS（漏源擊穿電壓）等。

二、電流特性參數(shù)

?漏電流（Ioff/IDSS/ICEO）?

關(guān)斷狀態(tài)下漏源或集電極-發(fā)射極的微小電流，反映絕緣性能。

?飽和電流（IDSS/ICES）?

器件在飽和區(qū)的最大承載電流，用于評估電流容量。

?靜態(tài)工作電流?

穩(wěn)態(tài)下的電流值，直接影響功耗與效率。

三、阻抗特性參數(shù)

?導(dǎo)通電阻（RDS(on)）?

MOSFET導(dǎo)通時漏源極間的電阻，決定導(dǎo)通損耗。

?飽和壓降（VCES）?

BJT/IGBT在飽和區(qū)的集電極-發(fā)射極電壓，反映導(dǎo)通阻抗。

四、放大與傳輸特性

?電流放大系數(shù)（hFE/β）?

BJT集電極電流與基極電流的比值，衡量放大能力。

?跨導(dǎo)（gm）?

漏極電流隨柵極電壓變化的比率，表征MOSFET的放大效率。

五、熱相關(guān)參數(shù)

?最大允許功耗（Ptot）?

器件可承受的功率耗散極限，與散熱設(shè)計直接相關(guān)。

?熱阻（RthJC）?

結(jié)到外殼的散熱能力，影響溫度穩(wěn)定性。

六、其他關(guān)鍵參數(shù)

?反向電壓（VR）?

二極管等器件在反向工作時的耐壓能力。

?絕緣電阻?

正負(fù)極間在高電壓下的絕緣特性，影響器件安全性。

怎樣去測量這些參數(shù)呢？今天介紹一種半導(dǎo)體分立器件測試儀——

半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)SC2010是一款非常具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管參數(shù)測試圖示系統(tǒng)，是美國STI5000系列測試機(jī)的完美國產(chǎn)替代機(jī)型，本系統(tǒng)可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實際需求設(shè)置功能測試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測試時間6~20ms,通常上百個數(shù)據(jù)點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現(xiàn)出來，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入EXCEL等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導(dǎo)體測試設(shè)備。

本系統(tǒng)使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測試。并可以實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)以EXCEL和WORD的格式保存。系統(tǒng)提供過電保護(hù)功能，門極過電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設(shè)備狀態(tài)和測試結(jié)果提供了可靠地保證。

1.2關(guān)鍵指標(biāo)

1.測試電壓： 0-2000V

2.測試電流： 0-100A

3.電壓分辨率：1mV

4.電流分辨率：0.1nA

5.測試精度： 0.2%+2LSB

6.測試速度： 約0.5mS/參數(shù)

7.測 試 方 式：程控脈沖式

8.脈 沖 寬 度：300us至5ms

9.規(guī) 格 尺 寸： 570*450*280mm

1.3 測試能力及特點

SC2010測試系統(tǒng)是專為測試半導(dǎo)體分立器件而研發(fā)設(shè)計，它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測試能力，能夠真實準(zhǔn)確測試以下類型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：

審核編輯 黃宇