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SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-20 17:41 ? 次閱讀
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SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同從容性負(fù)載吸收超過 5A 的峰值電流。 結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性,減少驅(qū)動(dòng)電流變化 電壓和溫度。還提供欠壓鎖定保護(hù)。驅(qū)動(dòng)程序可以是 通過連接輸入和輸出并聯(lián)運(yùn)行,使驅(qū)動(dòng)電流能力翻倍。這 器件采用 SOIC 封裝。
*附件:sm72482.pdf

特性

  • 可再生能源等級
  • 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
  • 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
  • 5A 灌電流、3A 拉電流能力
  • 兩個(gè)通道可以并聯(lián),使驅(qū)動(dòng)電流增加一倍
  • 獨(dú)立輸入(TTL 兼容)
  • 快速傳播時(shí)間(典型值為 25 ns)
  • 快速上升和下降時(shí)間(2 nF 負(fù)載時(shí),上升時(shí)間為 14 ns,下降時(shí)間為 12 ns)
  • 提供雙通道同相、雙通道反相和組合配置
  • 電源軌欠壓鎖定保護(hù) (UVLO)
  • SM72482 UVLO 配置為通過 OUT_A 驅(qū)動(dòng) PFET,通過 OUT_B 驅(qū)動(dòng) NFET
  • 引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器兼容
    • SOIC的
    • 熱增強(qiáng)型 VSSOP

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?型號?:SM2
  • ?類型?:雙5A復(fù)合柵極驅(qū)動(dòng)器
  • ?特點(diǎn)?:
    • 替代行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器,提高峰值輸出電流和效率
    • 每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)級包含MOS和雙極晶體管,共同從電容性負(fù)載中吸收超過5A的峰值電流
    • 獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET
    • 提供欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)
    • 可選配置:雙非反相、雙反相和組合配置

二、應(yīng)用領(lǐng)域

三、引腳描述與功能

  • ?IN_A/IN_B?:A/B側(cè)控制輸入,TTL兼容閾值
  • ?VEE?:輸入和輸出的地參考,連接到電源地
  • ?OUT_A/OUT_B?:A/B側(cè)驅(qū)動(dòng)器輸出,電壓擺幅從VCC到VEE
  • ?VCC?:正輸出電源,本地去耦到VEE
  • ?NC?:不連接

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VCC-VEE為.V至V
  • ?UVLO閾值?:VCC-VEE為2.3V至.V
  • ?VCC供電電流?:典型值為mA至2mA(根據(jù)型號和輸入條件)
  • ?控制輸入閾值?:高電平閾值1.3V至.V,低電平閾值.V至2.0V
  • ?輸出驅(qū)動(dòng)能力?:峰值源電流3A,峰值沉電流5A

五、開關(guān)特性

  • ?傳播延遲時(shí)間?:低至高5ns至0ns,高至低ns至ns
  • ?上升時(shí)間?:ns至ns
  • ?下降時(shí)間?:ns至ns

六、熱特性

  • ?結(jié)到環(huán)境熱阻?:SOIC封裝為°C/W,VSSOP封裝為0°C/W

七、詳細(xì)操作描述

  • 輸出級采用MOS和雙極晶體管并聯(lián)結(jié)構(gòu),優(yōu)化寬輸出電壓和溫度范圍內(nèi)的電流能力
  • 控制輸入為高阻抗CMOS緩沖器,具有TTL兼容閾值電壓
  • UVLO電路監(jiān)控VCC和VEE之間的電壓差,當(dāng)電壓差低于.V時(shí)禁用驅(qū)動(dòng)器

八、布局考慮

  • 需在VCC和VEE引腳之間連接低ESR/ESL電容器,以支持高峰值電流
  • 適當(dāng)接地至關(guān)重要,需為電流返回提供低阻抗路徑
  • 最小化電流承載導(dǎo)體的長度,以減少電感和由高di/dt瞬變產(chǎn)生的EMI
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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