該器件采用LinCMOS?技術(shù)制造，由兩個(gè)獨(dú)立的電壓比較器組成，每個(gè)比較器都設(shè)計(jì)為由單個(gè)電源供電。如果兩個(gè)電源之間的差值為4 V至18 V，則也可以從雙電源進(jìn)行操作。每個(gè)設(shè)備都具有極高的輸入阻抗（通常大于1012），允許與高阻抗源直接接口。輸出是n溝道開漏配置，可以連接以實(shí)現(xiàn)正邏輯接線and關(guān)系。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：TLC372-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品、Lincmos、雙路差動(dòng)比較器技術(shù)手冊.pdf

TLC372具有內(nèi)部靜電放電（ESD）保護(hù)電路，并通過人體模型（HBM）測試被歸類為2000V ESD等級。然而，在處理該設(shè)備時(shí)應(yīng)格外小心，因?yàn)楸┞队贓SD可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備參數(shù)性能下降。

TLC372的工作溫度范圍為-55°C至125°C。

特性

受控基線
一個(gè)組裝/測試現(xiàn)場，一個(gè)制造現(xiàn)場
-55°C至125°C的擴(kuò)展溫度性能
增強(qiáng)的遞減制造源（DMS）支持
增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
資格譜系（1）
根據(jù)MIL-STD-883方法3015，ESD保護(hù)超過2000V；使用機(jī)器型號超過100 V（C=200 pF，R=0）
單電源或雙電源操作
電源電壓范圍廣。 ..4V至18V
極低的電源電流消耗。 .5V時(shí)典型電流為.150μA
快速響應(yīng)時(shí)間。 . .TTL電平輸入步長為200 ns
內(nèi)置ESD保護(hù)
高輸入阻抗。 . .1012型
極低的輸入偏置電流。 ..5 pA典型值
超穩(wěn)定低輸入偏移電壓
最壞輸入條件下的輸入偏移電壓變化通常為0.23μV/月，包括前30天
共模輸入電壓范圍包括接地
輸出兼容TTL、MOS和CMOS
引腳與LM393兼容

符號

引腳圖

典型特性

等效方案