在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

01極低導(dǎo)通電阻Trench MOS

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工藝，結(jié)合屏蔽柵結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化載流子遷移路徑與電場(chǎng)分布，實(shí)現(xiàn)：

1、極低導(dǎo)通電阻:RDS(on)低至3.5mΩ(VGS=10VID=20A)，顯著降低導(dǎo)通損耗。

2、快速開關(guān)性能：優(yōu)化柵極電荷(Qg)與軟恢復(fù)體二極管，支持高頻應(yīng)用。

3、工業(yè)級(jí)可靠性：100% UIS測(cè)試認(rèn)證，確保雪崩能量耐受能力。

02核心性能與關(guān)鍵參數(shù)

超低導(dǎo)通電阻

RDS(on)@10V=3.5mΩ：MDDG03R04Q相比傳統(tǒng)MOSFET，導(dǎo)通損耗降低，提升電源轉(zhuǎn)換效率。

低反向恢復(fù)電荷(Qrr)：減少同步整流中的反向?qū)〒p耗，優(yōu)化系統(tǒng)能效。

快速開關(guān)響應(yīng)：開啟/關(guān)斷延遲時(shí)間優(yōu)化，適配高頻PWM控制。

可靠性認(rèn)證與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

100% UIS測(cè)試：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(EAS)通過嚴(yán)格驗(yàn)證，保障感性負(fù)載場(chǎng)景穩(wěn)定性。

RoHS合規(guī)：無鉛環(huán)保工藝，符合全球環(huán)保法規(guī)。

熱性能與封裝設(shè)計(jì)

PDFN3*3-8L封裝：貼片式金屬背板設(shè)計(jì)提升散熱能力，支持持續(xù)高電流工況。

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。

03測(cè)試電路和波形

04應(yīng)用場(chǎng)景

1、同步整流(ATX/服務(wù)器/電信PSU)

MDDG03R04Q的低RDS(on)與Qrr特性：優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換效率，減少同步整流損耗，適用于鈦金級(jí)電源設(shè)計(jì)。

高頻開關(guān)能力：適配LLC諧振拓?fù)洌嵘β拭芏取?/p>

2、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與不間斷電源(UPS)

80A持續(xù)電流能力：支持伺服電機(jī)、AGV小車驅(qū)動(dòng)需求。

高雪崩能量耐受：應(yīng)對(duì)電機(jī)啟停與電池切換瞬態(tài)沖擊，系統(tǒng)可靠性提升25%。

3、微型太陽能逆變器(Micro Solar Inverter)

高效MPPT控制：低導(dǎo)通損耗提升光伏能量轉(zhuǎn)換效率。

寬溫工作范圍：適應(yīng)戶外極端溫度波動(dòng)，保障長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

04選型推薦表

除MDDG03R04Q之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，推出不同的型號(hào)，以滿足各行業(yè)匹配需求。

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域17載，始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，以客戶需求為核心，打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域，服務(wù)于全球40多個(gè)國(guó)家與地區(qū)。