LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器采用微型 6 引腳 WSON 封裝（相當(dāng)于 SOT-23 封裝）或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝，可提供高峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流，并改善高頻運(yùn)行所需的功率耗散。復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管，它們共同從容性負(fù)載吸收超過 7 A 的峰值電流。結(jié)合 MOS 和雙極器件的獨(dú)特特性，減少了驅(qū)動(dòng)電流隨電壓和溫度的變化。提供欠壓鎖定保護(hù)，以防止因柵極導(dǎo)通電壓不足而損壞 MOSFET。LM5112 器件提供反相和非反相輸入，以使用單一器件類型滿足反相和非反相柵極驅(qū)動(dòng)的要求。
*附件：lm5112.pdf

特性

• LM5112-Q1 符合汽車應(yīng)用要求
• 符合 AEC-Q100 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
• 采用汽車級(jí)流程制造
• 復(fù)合 CMOS 和雙極輸出可減小輸出電流變化
• 7A 灌電流和 3A 拉電流
• 快速傳播時(shí)間：25 ns（典型值）
• 快速上升和下降時(shí)間：14 ns 或 12 ns
  上升或下降（2nF 負(fù)載）
• 反相和非反相輸入通過單個(gè)器件提供任一配置
• 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
• 專用輸入接地 （IN_REF） 用于
  雙電源或單電源作
• 功率增強(qiáng)型 6 引腳 WSON 封裝
  （3 mm × 3 mm）或熱增強(qiáng)型
  MSOP-PowerPAD 封裝
• V 級(jí)輸出擺幅抄送到 VEE 系列相對(duì)于輸入接地為負(fù)數(shù)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM2是一款高性能的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，專為需要高峰值電流和快速開關(guān)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器提供高達(dá)7A的峰值漏電流和A的峰值源電流，適用于DC/DC開關(guān)模式電源供應(yīng)器、AC/DC開關(guān)模式電源供應(yīng)器、太陽(yáng)能微型逆變器以及電磁鐵和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。LM2具備汽車級(jí)AEC-Q Grade 1認(rèn)證，適用于高可靠性汽車應(yīng)用。

二、主要特性

• ?高峰值電流?：A峰值漏電流，A峰值源電流。
• ?快速開關(guān)速度?：典型傳播延遲ns，ns或ns的上升/下降時(shí)間（帶2nF負(fù)載）。
• ?輸入靈活性?：具備反相和非反相輸入，通過單個(gè)設(shè)備即可滿足不同配置需求。
• ?供電軌欠壓鎖定保護(hù)?：防止MOSFET因柵極開啟電壓不足而損壞。
• ?專用輸入地?：支持分立供電或單一供電操作。
• ?緊湊封裝?：提供引腳WSON（3mm×mm）或引腳MSOP-PowerPAD封裝，適用于高頻操作。

三、引腳功能

• ?IN?：非反相輸入引腳，TTL兼容閾值。
• ?INB?：反相輸入引腳，TTL兼容閾值。
• ?IN_REF?：輸入地，用于分立供電配置的系統(tǒng)邏輯地。
• ?VCC?：正電源電壓輸入。
• ?VEE?：驅(qū)動(dòng)輸出的功率地，可連接到電源地或負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)供電。
• ?OUT?：柵極驅(qū)動(dòng)輸出，能夠從VEE擺動(dòng)到VCC。
• ?N/C?：未連接引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VCC相對(duì)于IN_REF和VEE為.V至V。
• ?欠壓鎖定閾值?：VCC相對(duì)于IN_REF的欠壓鎖定閾值為2.4V至.V，具有mV的遲滯。
• ?輸入閾值?：高電平閾值.V至2.3V，低電平閾值0.8V至.5V。
• ?輸出電阻?：高電平輸出電阻Ω至Ω，低電平輸出電阻1.4Ω至.Ω。

五、功能描述

• ?復(fù)合輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)?：結(jié)合MOS和雙極晶體管，優(yōu)化寬輸出電壓和操作溫度范圍內(nèi)的電流能力。
• ?電平移位電路?：提供單電源或分立電源配置選項(xiàng)。
• ?欠壓鎖定保護(hù)?：當(dāng)VCC相對(duì)于IN_REF的電壓差低于2.8V時(shí)，禁用驅(qū)動(dòng)器并將輸出引腳保持在低電平狀態(tài)。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：作為PWM控制器和主功率開關(guān)器件之間的緩沖級(jí)，用于驅(qū)動(dòng)低側(cè)MOSFET，減少開關(guān)損失。
• ?設(shè)計(jì)指南?：包括輸入/輸出邏輯配置、供電電壓水平、峰值源/漏電流、負(fù)載電容和開關(guān)頻率等設(shè)計(jì)考慮因素。

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦將驅(qū)動(dòng)器靠近MOSFET放置，使用短而粗的走線連接關(guān)鍵引腳，以減少寄生電感和EMI。
• ?熱管理?：通過估算最壞情況下的結(jié)溫，確?？煽康拈L(zhǎng)期操作，利用暴露的銅焊盤進(jìn)行有效散熱。

八、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：6引腳WSON（mm×3mm）或8引腳MSOP-PowerPAD。
• ?訂購(gòu)代碼?：提供不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼選項(xiàng)，如LM2MY/NOPB（HVSSOP封裝）和LM2Q1SD/NOPB（WSON封裝）。