SN75374 是一個(gè)四通道 NAND 接口電路，旨在從 TTL 輸入驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。它提供高速驅(qū)動(dòng)大型電容負(fù)載所需的高電流和電壓。

輸出可以非常接近 V 進(jìn)行切換CC2 系列V 時(shí)供氣軌CC3 系列比 V 高約 3 V CC2 系列 .VCC3 系列也可以直接綁定到 VCC2 系列當(dāng)源電壓要求較低時(shí)。
*附件：sn75374.pdf

特性

• 能夠高速驅(qū)動(dòng)高電容負(fù)載的四通道電路
• 輸出電源電壓范圍為 5 V 至 24 V
• 低待機(jī)功耗
• VCC3 系列電源使輸出源電壓最大化

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?: SN
• ?類型?: 四重MOSFET驅(qū)動(dòng)器
• ?制造商?: Texas Instruments (TI)
• ?主要功能?: 設(shè)計(jì)用于從TTL輸入驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，提供高速、高電流和高電壓能力以驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載。

二、主要特性

• ?四重電路?: 包含四個(gè)獨(dú)立的MOSFET驅(qū)動(dòng)器。
• ?高速驅(qū)動(dòng)?: 適用于高速應(yīng)用，能夠快速驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載。
• ?寬電壓范圍?:
  • VCC: -.V至V
  • VCC: -.V至V
  • VCC: -.V至V
• ?高輸出電流?: 峰值輸出電流可達(dá)mA（t_w < ms，占空比<%）。
• ?低待機(jī)功耗?: 在待機(jī)條件下功耗較低。

三、電氣特性

• ?輸入特性?:
  • 高電平輸入電壓（VIH）: V
  • 低電平輸入電壓（VIL）: .V
• ?輸出特性?:
  • 高電平輸出電流（IOH）: -mA
  • 低電平輸出電流（IOL）: mA
  • 輸出鉗位二極管正向電壓（VF）: .V（I = mA）
• ?延遲和傳播時(shí)間?:
  • 低到高電平輸出延遲時(shí)間（tDLH）: -ns
  • 高到低電平輸出延遲時(shí)間（tDHL）: -ns
  • 低到高電平傳播延遲時(shí)間（tPLH）: -ns
  • 高到低電平傳播延遲時(shí)間（tPHL）: -ns

四、封裝與溫度范圍

• ?封裝選項(xiàng)?:
  • PDIP (N) 封裝，管腳數(shù)，工作溫度范圍°C至°C。
  • SOIC (D) 封裝，管腳數(shù)，工作溫度范圍°C至°C。
• ?熱阻抗?:
  • PDIP封裝: °C/W
  • SOIC封裝: °C/W
• ?操作結(jié)溫?: 最高°C
• ?存儲(chǔ)溫度范圍?: -°C至°C

五、應(yīng)用信息

• ?驅(qū)動(dòng)功率MOSFET?: 適用于需要高速、高電流驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景。
• ?圖騰柱輸出?: 提供快速的上升和下降時(shí)間，適用于驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載。
• ?電源配置?: VCC應(yīng)至少比VCC高V，以確保輸出能夠接近VCC供電軌。

六、功率耗散

• ?功率計(jì)算公式?:
  • 平均功耗（PT(AV)）: PDC(AV) + PC(AV) + PS(AV)
  • 其中，PDC(AV)為穩(wěn)態(tài)功耗，PC(AV)為充電或放電負(fù)載電容時(shí)的功耗，PS(AV)為切換過程中的功耗。
• ?示例計(jì)算?: 在特定條件下（f = .MHz, VOH = .V, VOL = .V等），每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的總功耗約為.mW，整個(gè)封裝的總功耗為.mW。