氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！

氮化鎵GaN快充芯片U8732特點：

1. 集成 700V E-GaN

2. 集成高壓啟動功能

3. 超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動電流分檔配置

7. 集成恒功率功能

8. 外置 OTP 及主動降功率功能

9. 集成完備的保護(hù)功能：VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)、輸出過壓/欠壓保護(hù) (OVP/UVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)、外置過熱保護(hù)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過流保護(hù) (AOCP)、短路保護(hù) (SCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開路保護(hù)

10. 封裝類型 HSOP7-T3

氮化鎵GaN快充芯片U8732采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個數(shù)，同時為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8732采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過6個時，不再檢測谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過進(jìn)一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

氮化鎵GaN快充芯片不僅能讓充電器在體積和重量上實現(xiàn)大幅縮減，還可以在相同功率下，產(chǎn)生更少的熱量，實現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率，能夠“又快又冷”地完成充電任務(wù)。深圳銀聯(lián)寶科技已推出多款氮化鎵GaN快充芯片電源方案，被市場所認(rèn)可。聯(lián)系銀聯(lián)寶，一鍵索取相關(guān)資料！