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晶圓修邊處理后,晶圓 TTV 變化管控

新啟航 ? 來源:jf_18672672 ? 作者:jf_18672672 ? 2025-05-27 09:22 ? 次閱讀
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關(guān)鍵詞:晶圓修邊;TTV 變化;工藝參數(shù);設(shè)備改進;檢測反饋

一、引言

晶圓修邊是半導體制造過程中的重要環(huán)節(jié),可去除晶圓邊緣的缺陷與多余材料,降低后續(xù)工藝中晶圓破裂風險。但修邊處理會使晶圓邊緣受力,內(nèi)部應(yīng)力重新分布,導致 TTV 發(fā)生變化,影響晶圓平整度和芯片制造精度。因此,研究晶圓修邊處理后 TTV 變化的管控方法具有重要意義。

二、TTV 變化管控方法

2.1 修邊工藝參數(shù)優(yōu)化

修邊工藝參數(shù)直接影響晶圓 TTV 變化程度。刀具轉(zhuǎn)速需合理設(shè)定,過高轉(zhuǎn)速會使晶圓邊緣局部受力過大,產(chǎn)生較大應(yīng)力,導致 TTV 增加;轉(zhuǎn)速過低則修邊效率低下。通過大量試驗,針對不同材質(zhì)和規(guī)格的晶圓,確定最佳刀具轉(zhuǎn)速區(qū)間。修邊進給速度同樣關(guān)鍵,過快的進給速度易造成邊緣加工不均勻,引發(fā)應(yīng)力集中;應(yīng)采用分段進給的方式,在修邊初始階段降低進給速度,穩(wěn)定后再適當提高,保證修邊過程平穩(wěn),減少 TTV 波動。此外,刀具與晶圓的接觸角度也需精確調(diào)整,合適的接觸角度能使修邊力均勻分布在晶圓邊緣,降低因受力不均導致的 TTV 變化 。

2.2 設(shè)備改進

對晶圓修邊設(shè)備進行優(yōu)化可有效管控 TTV 變化。改進刀具結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用具有更好耐磨性和鋒利度的刀具材料,減少刀具磨損對修邊質(zhì)量的影響,保證修邊過程中力的穩(wěn)定性。同時,在設(shè)備上安裝高精度壓力傳感器,實時監(jiān)測修邊過程中晶圓所受壓力,一旦壓力異常,系統(tǒng)自動調(diào)整修邊參數(shù),防止因壓力過大造成晶圓變形,進而影響 TTV 。此外,優(yōu)化設(shè)備的振動控制系統(tǒng),減少設(shè)備運行過程中的振動干擾,避免因振動導致修邊不均勻,引發(fā) TTV 變化 。

2.3 檢測與反饋機制完善

建立完善的檢測與反饋機制是管控 TTV 變化的核心。利用高精度的光學檢測設(shè)備,如非接觸式激光測厚儀,在修邊前后對晶圓 TTV 進行快速、精確測量。將測量數(shù)據(jù)實時傳輸至控制系統(tǒng),通過數(shù)據(jù)分析算法,及時發(fā)現(xiàn) TTV 變化趨勢。若檢測到 TTV 變化超出允許范圍,系統(tǒng)自動追溯修邊工藝參數(shù)和設(shè)備運行狀態(tài),調(diào)整刀具轉(zhuǎn)速、進給速度等參數(shù),實現(xiàn)對 TTV 變化的動態(tài)管控 。同時,定期對檢測數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析,總結(jié) TTV 變化規(guī)律,為工藝參數(shù)優(yōu)化和設(shè)備改進提供數(shù)據(jù)支持 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù),精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。

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我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g1E6aAHgO6AATYSk1r-GU049.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;

點掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;

通過偏振效應(yīng)補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

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(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

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(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

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(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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審核編輯 黃宇

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