Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí),輸出電壓高達(dá)100V。高性能雙通道升壓直流-直流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器簡(jiǎn)化了應(yīng)用設(shè)計(jì),與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比,無(wú)需保護(hù)二極管或額外外部元件。內(nèi)部智能自舉開(kāi)關(guān)可在死區(qū)時(shí)間停止將增強(qiáng)型引腳過(guò)度充電至SW引腳和高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,從而保護(hù)頂部GaN FET的柵極。LTC7892的死區(qū)時(shí)間可選擇通過(guò)外部電阻器進(jìn)行優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)裕度調(diào)節(jié)或定制應(yīng)用,從而實(shí)現(xiàn)更高效率并實(shí)現(xiàn)高頻工作。adi LTC7892的柵極驅(qū)動(dòng)電壓可在4V至5.5V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié),以優(yōu)化性能,支持不同的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管甚至邏輯電平MOSFET。從升壓轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器輸出偏置時(shí),LTC7892可在低至1V的輸入電源下工作。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)針對(duì)GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行了全面優(yōu)化
- 輸出電壓高達(dá)100 V
- 寬V
IN范圍:4V至60V,啟動(dòng)后工作電壓低至1V - 無(wú)需捕獲、夾鉗或自舉二極管
- 內(nèi)部智能自舉開(kāi)關(guān)可防止高側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源過(guò)度充電
- 電阻器可調(diào)死區(qū)時(shí)間
- 精確的可調(diào)驅(qū)動(dòng)器電壓和UVLO
- 低工作I
Q:15μA - 分離輸出柵極驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)可調(diào)導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
- 可編程頻率(100 kHz至3 MHz)
- 可同步頻率(100kHz至3MHz)
- 擴(kuò)頻調(diào)頻
- 40引腳(6mmx6mm)側(cè)面可濕QFN封裝
- 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
- 汽車和工業(yè)電源系統(tǒng)
- 軍用航空電子設(shè)備和醫(yī)療系統(tǒng)
- 電信電源系統(tǒng)
典型應(yīng)用
性能圖表
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