概述
ADuM141ES 是基于 Analog Devices, Inc. iCoupler^?^ 技術(shù)的四通道數(shù)字隔離器。這些隔離元件集高速、互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 和整體式空芯變壓器技術(shù)于一身，能夠提供比光耦合器及其他集成耦合器更出色的性能特點。在 5 V 運行時，最大傳播延遲為 13.5 ns，脈寬失真低于 3 ns。在最大 3.0 ns 時，通道匹配是緊密的。

ADuM141ES 數(shù)據(jù)通道是相互獨立的，并可以承受 400 V rms 的額定電壓。此器件在 1.8 V - 5 V 之間的電源電壓（任意一端）下工作，兼容更低的電壓系統(tǒng)，支持跨隔離勢壘的電壓轉(zhuǎn)換功能。

與其他光耦合器不同，這些元件可以在沒有輸入邏輯轉(zhuǎn)換的情況下保證直流正確性。提供兩個不同的故障安全選項，在未接入輸入電源或禁用輸入時，輸出可轉(zhuǎn)換為預(yù)定狀態(tài)。

ADuM141ES 采用 16 引腳底部釬焊的小巧扁平封裝，額定隔離電壓達 400 V rms。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADuM141ES航空航天150 MBPS四通道數(shù)字隔離器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 隔離式數(shù)據(jù)采集
• 隔離式高速數(shù)據(jù)

特性

• 額定 400 Vrms 介電絕緣電壓，采用航空航天封裝
• 高共模瞬變抗擾度：>100 kV/μs
• 1.8 V - 5 V 電平轉(zhuǎn)換
• 高電平故障安全
• 低傳播延遲
  • 在 5 V 下運行時最多 13.5 ns
  • 在 1.8 V 下運行時最多 15 ns
• 低功耗
  • 150 MBPS 時 1 側(cè)電源電流為 17 ma
  • 150 MBPS 時 2 側(cè)電源電流為 17.5 ma
• 150 Mbps 的最大保證數(shù)據(jù)傳輸速率

功能框圖

應(yīng)用筆記

概述

ADuM141E1S通過使用由聚酰亞胺隔離層分隔的iCoupler芯片級變壓器線圈，利用高頻載波跨越隔離屏障傳輸數(shù)據(jù)。采用開關(guān)鍵控（OOK）技術(shù)和圖4所示的差分架構(gòu)，ADuM141E1S具有極低的傳播延遲和高速特性。內(nèi)部穩(wěn)壓器和輸入/輸出設(shè)計技術(shù)允許在1.7 V至5.5 V的寬電壓范圍內(nèi)提供1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V邏輯電源電壓。該架構(gòu)旨在實現(xiàn)高共模瞬態(tài)抗擾度，以及對電氣噪聲和磁干擾的高抗擾性。通過擴頻OOK載波和其他技術(shù)，輻射發(fā)射得以最小化。

對于具有高故障安全輸出狀態(tài)的ADuM141E1S，圖4展示了載波波形開啟的條件（即輸入側(cè)為高電平）。當輸入側(cè)關(guān)閉或不工作時，ADuM141E1S的故障安全輸出狀態(tài)為高電平。

印刷電路板（PCB）布局

ADuM141E1S數(shù)字隔離器的邏輯接口無需外部接口電路。強烈建議在輸入和輸出電源引腳上進行電源去耦（見圖5）。去耦電容最方便的連接方式是在引腳1和引腳2之間用于VDD1，在引腳15和引腳16之間用于VDD2。推薦的去耦電容值為0.2 μF和0.1 μF。電容兩端引腳與輸入電源引腳之間的總引線長度不得超過10 mm。還需考慮引腳1和引腳8之間以及引腳16和引腳16之間的去耦，除非封裝每一側(cè)的接地引腳都靠近封裝連接。

在涉及高共模瞬變的應(yīng)用中，要確保盡量減少跨隔離屏障的電路板耦合。此外，設(shè)計電路板布局時，要保證任何發(fā)生的耦合對給定組件側(cè)的所有引腳產(chǎn)生均勻影響。務(wù)必避免這種耦合導(dǎo)致電壓差異超過器件的絕對最大額定值，否則可能會導(dǎo)致閂鎖或永久性損壞。有關(guān)詳細信息，請參閱AN - 1109應(yīng)用筆記《電路板布局指南》。