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ADuM5020/ADuM5028低輻射500mW隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊

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概述
ADuM5020是一款集成isoPower ^?^ 的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。該DC/DC轉(zhuǎn)換器采用ADI公司的iCoupler ^?^ 技術(shù),能夠提供在全負(fù)載下低于有關(guān)帶鐵氧體的2層印刷電路板(PCB)的CISPR22 B類限制的穩(wěn)壓隔離電源。

ADuM5020在500 mW應(yīng)用中無需設(shè)計(jì)和構(gòu)建隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。iCoupler芯片級(jí)變壓器技術(shù)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的磁性元件。因此可提供小尺寸、隔離解決方案。

ADuM5020隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器采用16引腳寬體SOIC封裝。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADuM5020 ADuM5028低輻射500mW隔離式DC DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

特性

  • 集成isoPower的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器
  • ADuM5020輸出電流:100 mA
  • ADuM5028輸出電流:60 mA
  • 全負(fù)載下滿足有關(guān)2層PCB的CISPR22 B類輻射限制
  • 16引腳SOIC_W封裝,最小爬電距離為7.8 mm
  • 8引腳SOIC_IC封裝,最小爬電距離為8.3 mm
  • 工作溫度高達(dá):125°C(最大值)
  • 安全和法規(guī)認(rèn)證
  • UL認(rèn)證(申請(qǐng)中)
    • 1分鐘3000 V rms,符合UL 1577
  • CSA元件驗(yàn)收通知5A(申請(qǐng)中)
  • VDE合格證書(申請(qǐng)中)
    • VDE V 0884-10
    • VIORM = 565 V 峰值
    • CQC認(rèn)證符合GB4943.1-2011(待定)

功能框圖
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引腳配置描述
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典型性能特征
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工作原理

ADuM5020/ADuM5028 直流 - 直流轉(zhuǎn)換器的工作原理與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)電源一致。這些轉(zhuǎn)換器采用分離式控制器架構(gòu),具備隔離式脈寬調(diào)制(PWM)反饋。VDD 電源為振蕩電路供電,該電路將電流切換至芯片級(jí)氣隙變壓器。傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)的功率經(jīng)整流和調(diào)節(jié)后,輸出為 3.3V 或 5.0V,具體取決于 VSEL 的設(shè)置。需注意,ADuM5020 - 3BRIZ 和 ADuM5028 - 3BRIZ 僅適用于 3.3V 輸入轉(zhuǎn) 3.3V 輸出的應(yīng)用,而 ADuM5020 - 5BRIZ 和 ADuM5028 - 5BRIZ 在 5V 輸入應(yīng)用中性能最佳。次級(jí)(Viso)側(cè)控制器通過生成脈寬調(diào)制控制信號(hào)來調(diào)節(jié)輸出,該信號(hào)通過專用耦合器數(shù)據(jù)通道發(fā)送至初級(jí)(VDDP)側(cè)。脈寬調(diào)制對(duì)振蕩電路進(jìn)行調(diào)制,以控制傳輸?shù)酱渭?jí)側(cè)的功率。反饋能顯著提升功率和效率。

ADuM5020/ADuM5028 集成了帶遲滯特性的欠壓鎖定(UV - LO)功能,作用于初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)輸入引腳以及 VDDP 電源輸入。欠壓鎖定功能可確保轉(zhuǎn)換器不會(huì)因輸入電源噪聲或緩慢的上電斜率而進(jìn)入振蕩狀態(tài)。

應(yīng)用信息

印刷電路板(PCB)布局

ADuM5020 和 ADuM5028 isoPower 集成式直流 - 直流轉(zhuǎn)換器在輸入和輸出電源引腳處需要電源旁路(見圖 21 和圖 22)。在 VDDP 引腳和 GND 引腳之間需要低等效串聯(lián)電阻(ESR)的 0.1 μF 旁路電容,且要盡可能靠近芯片焊盤。需要 0.1 μF 或 0.22 μF 的低 ESR 電容,盡可能靠近 Viso 引腳和 GNDISO 引腳(關(guān)于更多信息,見圖 23 和圖 24 中的 CISO 注釋 )。isoPower 輸入需要多個(gè)旁路元件,以便有效地旁路電源,同時(shí)設(shè)置輸出電壓并對(duì)片上穩(wěn)壓器進(jìn)行旁路(見圖 21 至圖 26)。

ADuM5020 和 ADuM5028 的電源部分使用 180 MHz 的振蕩頻率,以便通過其芯片級(jí)變壓器高效傳輸功率。需要旁路電容來進(jìn)行多種頻率調(diào)節(jié)。噪聲抑制需要低電感的高頻電容,而紋波抑制和精確調(diào)節(jié)則需要大容值電容。這些電容通常連接到 VDDP 引腳和 GND1 引腳,以及 Viso 引腳和 GNDISO 引腳之間 。為抑制噪聲并降低紋波,至少需要兩個(gè)電容。推薦的電容值為 0.1 μF 和 10 μF 用于 VDDP 引腳。較小的電容必須具有低 ESR 。例如,建議使用陶瓷電容。0.1 μF 低 ESR 電容兩端的總引腳長度和電源引腳長度不得超過 2 毫米。

為降低電磁輻射水平,可通過使用 Viso 和 GNDISO 引腳之間的高頻電流的阻抗以及印刷電路板走線連接,來增加抑制電磁干擾(EMI)的能力??赏ㄟ^在 Viso 和 GNDISO 引腳之間串聯(lián)放置表面貼裝鐵氧體磁珠(如圖 25 和圖 26 所示),來減少電磁輻射源的輻射。在 100 MHz 和 1 GHz 頻率范圍內(nèi),鐵氧體磁珠的阻抗約為 1.8 kΩ,以減少 180 MHz 初級(jí)開關(guān)頻率和 360 MHz 次級(jí)整流頻率及其諧波的輻射。表面貼裝鐵氧體磁珠示例見表 20。
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