在IGBT功率模塊的動態(tài)測試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout、材料及連接方式引入，會導(dǎo)致開關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測量偏差。

一、雜散電感對動態(tài)測試的影響機制

開關(guān)損耗與電壓尖峰

●導(dǎo)通階段：雜散電感與電流變化率（di/dt）相互作用，在導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓（Lσ?di/dt），導(dǎo)致IGBT的集-射極電壓（VCE）壓降增大。高雜感會降低導(dǎo)通di/dt，減少導(dǎo)通損耗（Eon），但可能引發(fā)振蕩，加劇電磁干擾（EMI）。

●關(guān)斷階段：關(guān)斷時的高di/dt在雜感上產(chǎn)生反向電壓尖峰（Vpeak=Lσ?di/dt+VDC），可能超過模塊的反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA）限制。例如，當(dāng)雜感從23nH增至50nH時，VCE峰值可升高15%~20%，需增大關(guān)斷柵極電阻（RG(off)）以抑制過沖。

二、雜感測量與夾具設(shè)計優(yōu)化

1. 雜感測量方法

●雙脈沖測試法：通過測量IGBT導(dǎo)通或關(guān)斷時的電壓降（ΔV）與電流變化率（di/dt），計算雜感值（Lσ=ΔV/di/dt）。導(dǎo)通暫態(tài)因干擾較少，更適合精確測量。

2.低感夾具設(shè)計原則

●對稱布局與層疊結(jié)構(gòu)：采用對稱母排布局（如鏡像對稱或星型布局）可抵消部分磁場，降低環(huán)路電感。

●低阻抗材料：使用低電阻探針，減少導(dǎo)體自身電感。同時，縮短電流回路長度，避免銳角走線以降低分布電感。

●柵極驅(qū)動優(yōu)化：根據(jù)雜感調(diào)整柵極電阻（RG）。

夾具雜散電感是IGBT動態(tài)測試的核心干擾源，直接影響開關(guān)損耗、電壓應(yīng)力。通過低感夾具設(shè)計、柵極參數(shù)優(yōu)化及標(biāo)準(zhǔn)化測試流程，可顯著提升測試精度與模塊評估可靠性。未來需進(jìn)一步探索雜感與多物理場耦合機制，推動測試技術(shù)向高精度、高魯棒性方向發(fā)展。