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ADuM3223/ADuM4223 5 KV rms隔離式精密半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-06-04 18:09 ? 次閱讀
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概述
[ADuM3223]/ADuM4223是4 A隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,采用ADI公司的iCoupler ^?^ 技術(shù),提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出。ADuM3223能夠提供3000 V rms隔離,采用窄體16引腳SOIC封裝,ADuM4223則提供5000 V rms隔離,采用寬體16引腳SOIC封裝。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體,具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅(qū)動(dòng)器組合等替代器件的出色性能特征。

ADuM3223/ADuM4223隔離器均提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道。這些器件采用3.0 V至5.5 V電源電壓工作,可與低壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動(dòng)器相比,ADuM3223/ADuM4223的輸入與各輸出之間具有真電流隔離優(yōu)勢(shì)。相對(duì)于輸入,各路輸出的持續(xù)工作電壓最高可達(dá)537V PEAK ,因而支持低端切換至負(fù)電壓。高端與低端之間的差分電壓最高可達(dá)800 V PEAK

因此,ADuM3223/ADuM4223可以在很寬的正或負(fù)切換電壓范圍內(nèi),可靠地控制IGBT/MOSFET配置的開(kāi)關(guān)特性。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADuM3223 ADuM4223 5 KV rms隔離式精密半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

特性

  • 峰值輸出電流:4 A
  • 工作電壓
    • 高端或低端相對(duì)于輸入:537 VDCPEAK
    • 高端/低端差分:800 VDCPEAK
  • 高工作頻率:
    1 MHz(最大值)
  • 3.3 V至5 V CMOS輸入邏輯
  • 4.5 V至18 V輸出驅(qū)動(dòng)
  • UVLO:2.5 V VDD1
    • ADuM3223A/ADuM4223A UVLO:4.1 V V DD2
    • ADuM3223B/ADuM4223B UVLO:7.0 V V DD2
    • ADuM3223C/ADuM4223C UVLO:11.0 V V DD2
  • 精確定時(shí)特性
    • 隔離器和驅(qū)動(dòng)器傳播延遲:54 ns(最大值)
    • 通道間匹配:5 ns(最大值)
  • CMOS輸入邏輯電平
  • 高共模瞬變抗擾度:>25 kV/μs
  • 增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)性能,符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn)
  • 工作結(jié)溫最高可達(dá):125°C
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 默認(rèn)低電平輸出
  • 安全和法規(guī)認(rèn)證
    • ADuM4223 16引腳寬體SOIC封裝
      • UL認(rèn)證(UL 1577)
        • 1分鐘5000 V rms,SOIC長(zhǎng)封裝
      • CSA元件驗(yàn)收通知5A
      • VDE合格證書(shū)
        • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
        • VIORM = 849 V峰值
  • 通過(guò)汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證

框圖
image.png

引腳配置描述
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典型性能特征
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應(yīng)用信息

印刷電路板布局

ADuM3223/ADuM4223 數(shù)字隔離器的邏輯接口無(wú)需外部接口電路。強(qiáng)烈建議在輸入和輸出電源引腳處進(jìn)行電源去耦,如圖 18 所示。使用取值在 0.01μF 至 0.1μF 之間的小容量陶瓷電容,以實(shí)現(xiàn)良好的高頻去耦。為獲得最佳效果,建議在輸出端添加一個(gè) 10μF 的電容,為驅(qū)動(dòng) ADuM3223/ADuM4223 輸出的柵極電容充電提供電荷。在輸出電源引腳上,去耦電容的布線上應(yīng)避免使用過(guò)孔,且不要并聯(lián)空的焊盤(pán),以降低去耦電容的電感。較小電容兩端的總走線長(zhǎng)度以及輸入或輸出電源引腳的走線長(zhǎng)度均不得超過(guò) 5mm 。
image.png

傳播延遲相關(guān)參數(shù)

傳播延遲是描述邏輯信號(hào)在組件中傳播所需時(shí)間的參數(shù)。低電平到高電平輸出的傳播延遲,可能與高電平到低電平輸出的傳播延遲不同。

通道間匹配是指單個(gè) ADuM3223/ADuM4223 組件內(nèi)不同通道之間,傳播延遲的最大差異量。

傳播延遲偏差是指在相同條件下運(yùn)行的多個(gè) ADuM3223/ADuM4223 組件之間,傳播延遲的最大差異量。

熱限制和開(kāi)關(guān)負(fù)載特性

對(duì)于隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,輸入和輸出電路之間需要電氣隔離,這使得無(wú)法使用單個(gè)熱通路器件,因此熱量主要通過(guò)封裝耗散。

功耗受輸出電壓、開(kāi)關(guān)頻率、工作占空比和有效負(fù)載電容的限制,決定了主要的功耗。要計(jì)算每個(gè)通道內(nèi)的功耗,請(qǐng)使用以下公式:

P_{DISS}=C_{EFF}×(V_{DD2})^{2}×f_{SW}×D_{S W}×frac {R_{DS(ON)}}{R_{GATE}}

其中:

  • C_{EFF} 是負(fù)載的有效電容。
  • V_{DD2} 是次級(jí)側(cè)電源電壓。
  • f_{SW} 是開(kāi)關(guān)頻率。
  • R_{GATE} 是 ADuM3223 的開(kāi)關(guān)電阻(R_{GATE}R_{P}、R_{N})。
  • R_{DS(ON)} 是外部柵極電阻

要找到結(jié)溫相對(duì)于環(huán)境溫度的值,需將總功耗乘以 theta_{JA}(熱阻,即從結(jié)到環(huán)境的熱阻),然后加上環(huán)境溫度,即可得到內(nèi)部結(jié)溫。

每個(gè) ADuM3223/ADuM4223 隔離器輸出都有熱關(guān)斷保護(hù)功能。該功能通常在結(jié)溫達(dá)到約 150°C 時(shí)觸發(fā),此時(shí)保險(xiǎn)絲功能啟動(dòng),輸出切換到低電平。當(dāng)結(jié)溫從關(guān)斷值下降約 10°C 時(shí),輸出恢復(fù)。
image.png

輸出負(fù)載特性

ADuM3223/ADuM4223 輸出信號(hào)決定了輸出的特性,其輸出級(jí)本質(zhì)上是一個(gè) N 溝道 MOSFET。柵極驅(qū)動(dòng)器負(fù)載響應(yīng)可使用典型的 MOSFET 模型進(jìn)行建模,其中包含由于 PCB 走線(R_{TRACE})、串聯(lián)柵極電阻(R_{GATE})和柵極到源極電容(C_{GS})導(dǎo)致的阻抗,如圖 21 所示。
image.png

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