~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻，被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件~

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)于6月3日宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外， 新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3( 條件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低導通電阻(RDS(on))*4，由此既可確保熱插拔(電源啟動)工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。

為了兼顧服務器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ ，而RY7P250BM 的導通電阻則降低了約18% —— 僅有1.86mΩ ( 條件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。

與此同時，RY7P250BM還被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件，預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節(jié)能的服務器領域中，RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格800日元/個，不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHMCo., Ltd.(日本滋賀工廠)，后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT(泰國)。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

未來，ROHM將繼續(xù)擴大適用于服務器和工業(yè)設備48V電源的產(chǎn)品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案，為建設可持續(xù)ICT基礎設施和節(jié)能貢獻力量。

<開發(fā)背景>

隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應用。另外， 在服務器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中， 需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的 MOSFET，以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。

<產(chǎn)品主要特性>

<應用示例>

?AI(人工智能)服務器和數(shù)據(jù)中心的48V系統(tǒng)電源熱插拔電路

?工業(yè)設備48V系統(tǒng)電源(叉車、電動工具、機器人、風扇電機等)

?AGV(自動導引車)等電池驅(qū)動的工業(yè)設備

?UPS、應急電源系統(tǒng)(電池備份單元)

<電商銷售信息>

發(fā)售時間：2025年5月起

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號：RY7P250BM

<關(guān)于EcoMOS?品牌>

EcoMOS?是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領域?qū)?jié)能要求高的應用。 EcoMOS?產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車載等領域?？蛻艨筛鶕?jù)應用需求，通過噪聲性能和開關(guān)性能等各種參數(shù)從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。

?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術(shù)語解說>

*1)功率MOSFET

適用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應用的一種MOSFET。目前，通過給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產(chǎn)品，相比Pch MOSFET，具有導通電阻小、效率高的特點。因其可實現(xiàn)低損耗和高速開關(guān)而被廣泛用于電源電路、電機驅(qū)動電路和逆變器等應用。

*2)熱插拔電路

可在設備電源運轉(zhuǎn)狀態(tài)下實現(xiàn)元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成，負責抑制元器件插入時產(chǎn)生的浪涌電流并提供過流保護，從而確保系統(tǒng)和所連接元器件的安全工作。

*3)SOA(Safe Operating Area)范圍

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導致熱失控或損壞，特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應用中，需要考慮SOA范圍。

*4)導通電阻(RDS(on))

MOSFET工作(導通)時漏極與源極間的電阻值。該值越小，工作時的損耗(功率損耗)越少。

*5)浪涌電流(Inrush Current)

在電子設備接通電源時，瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負荷，所以通過控制浪涌電流，可防止設備損壞并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

審核編輯 黃宇