一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌全碳化硅模塊實例

h1654155971.7688 ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-04 09:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比,它們?yōu)?a target="_blank">高壓功率半導(dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數(shù)敏感的應(yīng)用的領(lǐng)域得到率先應(yīng)用。業(yè)界一致認(rèn)為電動車充電樁與光伏發(fā)電是兩個比較典型的急需從傳統(tǒng)的Si器件升級到SiC器件的應(yīng)用。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅最前沿的技術(shù),產(chǎn)品以及解決方案,致力于滿足用戶對節(jié)能,提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。

具體來說,在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應(yīng)用中,英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度,從而使充電設(shè)備變得更加輕巧便捷。

英飛凌全碳化硅模塊實例:

一個典型的車載充電器:

結(jié)合碳化硅技術(shù),SiC在光伏逆變器中應(yīng)用的實際案例有哪些?在應(yīng)用中出現(xiàn)了哪些挑戰(zhàn)?我們在運用新技術(shù)的過程中需要注意哪些問題?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2346

    瀏覽量

    140627
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50478
  • sic器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    59

    瀏覽量

    15801

原文標(biāo)題:碳化硅的典型應(yīng)用原來這可以這么“Cool”

文章出處:【微信號:weixin21ic,微信公眾號:21ic電子網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營,這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠,一期項目投資額高達(dá)20億歐元,重點生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-12 09:10 ?4586次閱讀

    EAB450M12XM3碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A碳化硅
    發(fā)表于 06-25 09:13

    基本股份SiC功率模塊的兩電平碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?148次閱讀

    碳化硅MOSFET模塊在出口型高端逆變焊機中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?267次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>全</b>橋<b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?372次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>的高效、高可靠PCS解決方案

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?242次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢

    的PIM模塊,廣泛應(yīng)用于商用空調(diào)和熱泵驅(qū)動。 基本股份的BMS065MR12EP2CA2碳化硅PIM模塊方案全面取代英飛凌用于商用空調(diào)和熱泵驅(qū)動的FP35R12N2T7_B67
    的頭像 發(fā)表于 03-16 17:19 ?524次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率PIM<b class='flag-5'>模塊</b>取代<b class='flag-5'>英飛凌</b>PIM<b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)優(yōu)勢

    高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:41 ?416次閱讀
    高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代<b class='flag-5'>英飛凌</b>IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗計算對比

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?544次閱讀
    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?865次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?885次閱讀

    英飛凌居林工廠擴(kuò)建成全球最大碳化硅晶圓廠

    英飛凌在2024財年第三季度財報電話會上,碳化硅與居林工廠成為焦點。會后,英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck即刻啟程,前往馬來西亞吉打州,參加一個具有里程碑意義的儀式——全球規(guī)模最大且效率領(lǐng)先的200毫米
    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:50 ?724次閱讀