給大家分享一下Renesas Electronics F1950NBGI8數(shù)字步進(jìn)衰減器的參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊(cè)。

Renesas F1950NBGI8數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

*附件：F1950NBGI8.pdf

Renesas F1950NBGI8的EDA模型免費(fèi)下載http://www.www27dydycom.cn/p/e262303290
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一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：F1950 Digital Step Attenuator
• ?產(chǎn)品系列?：Glitch-Free DSA（數(shù)字步進(jìn)衰減器）系列，專為通信基礎(chǔ)設(shè)施的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。
• ?封裝形式?：緊湊的4x4 QFN封裝，具有50Ω阻抗，便于集成到無線電系統(tǒng)中。

二、競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)

• ?低插入損耗?：提供最佳的信噪比（SNR）。
• ?無抖動(dòng)技術(shù)?：采用Renesas的Glitch-Free技術(shù)，在MSB（最高有效位）轉(zhuǎn)換時(shí)過沖小于0.6 dB，而競(jìng)爭產(chǎn)品抖動(dòng)可能高達(dá)10 dB。
• ?高精度與低失真?：具有極低的失真（+65 dBm IP3I）。
• ?快速穩(wěn)定時(shí)間?：最終衰減值穩(wěn)定時(shí)間小于400 ns。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?基站?：2G、3G、4G、TDD無線電卡。
• ?中繼器和E911系統(tǒng)?。
• ?數(shù)字預(yù)失真?。
• ?點(diǎn)對(duì)點(diǎn)基礎(chǔ)設(shè)施?。
• ?公共安全基礎(chǔ)設(shè)施?。
• ?WIMAX接收器和發(fā)射器?。
• ?軍事系統(tǒng)?：JTRS無線電。
• ?RFID手持和便攜式閱讀器?。
• ?電纜基礎(chǔ)設(shè)施?。

四、規(guī)格參數(shù)

1. 基本參數(shù)

• ?頻率范圍?：150 MHz至5000 MHz。
• ?分辨率/范圍?：0.25 dB/31.75 dB。
• ?控制方式?：并行與串行控制。
• ?插入損耗?：在2 GHz時(shí)小于1.3 dB。
• ?衰減誤差?：在2 GHz時(shí)小于0.3 dB。
  

2. 電氣特性

• ?供電電壓?：3V至5V。
• ?輸入IP3?：在不同衰減設(shè)置下，IP3I值在+57 dBm至+63 dBm之間。
• ?0.1 dB壓縮點(diǎn)?：在20 dBm輸入功率下，約為27.5 dBm。
• ?穩(wěn)定時(shí)間?：從LE上升沿開始到輸出穩(wěn)定（±0.1 dB）約400 ns。
  

3. 控制接口

• ?串行模式?：數(shù)據(jù)以LSB（最低有效位）優(yōu)先的方式時(shí)鐘輸入。包含CLK抑制功能，以減少對(duì)CLK總線噪聲的敏感性。
• ?并行模式?：支持直接并行模式和鎖存并行模式，提供最快的穩(wěn)定時(shí)間。

五、封裝與引腳信息

• ?封裝尺寸?：4 mm x 4 mm，高度0.8 mm，24引腳。
• ?引腳功能?：包括電源（VDD）、地（GND）、射頻輸入/輸出（RF1、RF2）、控制引腳（D0-D6、LE、CLK、DATA）、模式選擇（V_MODE）等。
  

六、性能曲線

• ?插入損耗 vs 頻率?：在最小衰減（A_MIN）下，隨頻率增加略有增加。
• ?回波損耗（S11、S22）vs 頻率?：在150 MHz至5000 MHz范圍內(nèi)表現(xiàn)穩(wěn)定。
• ?相位 vs 頻率?：在不同衰減設(shè)置下，相位隨頻率變化較小。
• ?輸入IP3 vs 頻率?：在900 MHz至3900 MHz范圍內(nèi)，IP3值隨頻率變化較小。

七、校準(zhǔn)與測(cè)試

• ?TRL校準(zhǔn)?：使用“通過-反射-線”（TRL）方法進(jìn)行校準(zhǔn)，以消除評(píng)估板損耗對(duì)S參數(shù)測(cè)量的影響。

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