安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。

SiC Combo JFET 技術(shù)概覽

對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開(kāi)碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高電壓，而Si MOSFET提供常關(guān)功能。這種組合充分利用了SiC JFET的高性能以及Si MOSFET易于控制的優(yōu)點(diǎn)。

安森美 Combo JFET 將一個(gè) SiC JFET 和一個(gè)低壓Si MOSFET 集成到一個(gè)封裝中，在滿足小尺寸需求的同時(shí)，還具有高性能的常關(guān)特性。 此外，通過(guò)各種柵極驅(qū)動(dòng)配置，該 Combo JFET 還提供了諸如與具有 5V 閾值的硅器件的柵極驅(qū)動(dòng)兼容性、更高可靠性和簡(jiǎn)化速度控制等優(yōu)勢(shì)。

產(chǎn)品介紹

Combo JFET 將一個(gè) SiC JFET 和一個(gè)低壓Si MOSFET 集成到一個(gè)封裝中，SiC JFET 和低壓 MOSFET 的柵極均可使用。

圖 1 Combo JFET 結(jié)構(gòu)

由于 JFET 和低壓 MOSFET 柵極均可使用，Combo JFET 具有多種優(yōu)勢(shì)。 這些優(yōu)勢(shì)包括過(guò)驅(qū)動(dòng)（overdrive）時(shí) RDS（on）降低，通過(guò)外部cascode 簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò) JFET 柵極電阻調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)速度，以及通過(guò)測(cè)量柵極-源極壓降來(lái)監(jiān)測(cè) JFET 結(jié)溫。

安森美 SiC Combo JFET 產(chǎn)品系列

表 1 和圖 2 顯示了 Combo JFET產(chǎn)品和可用封裝。

表 1 Combo JFET產(chǎn)品清單

圖 2 Combo JFET封裝和原理圖

安森美 SiC Combo JFET器件的特性和優(yōu)勢(shì)

表 2 總結(jié)了安森美 SiC Combo JFET器件的特性和優(yōu)勢(shì)。

表 2 安森美 SiC Combo JFET的特性和優(yōu)勢(shì)

本節(jié)評(píng)估的靜態(tài)特性包括 RDS（on）、峰值電流 (IDM)、RθJC（從結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻）。 對(duì)于電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用，dv/dt 可控性至關(guān)重要。 以 750V 5mOhm TOLL 封裝 (UG4SC075005L8S) 器件為例，評(píng)估其靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。

未完待續(xù)，后續(xù)推文將繼續(xù)介紹靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、功率循環(huán)，并提供仿真工具、裝配指南、熱特性、可靠性和合格性文檔的相關(guān)鏈接。