該UCC28881將控制器和一個(gè) 14 Ω、700V 功率 MOSFET 集成到一個(gè)單片器件中。該器件還集成了一個(gè)高壓電流源，可以直接從整流的電源電壓?jiǎn)?dòng)和運(yùn)行。UCC28881 是同一系列的 UCC28880 器件，具有更高的電流處理能力。

該器件的低靜態(tài)電流可實(shí)現(xiàn)出色的效率。借助 UCC28881 可以使用最少數(shù)量的外部元件構(gòu)建最常見的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?，例如降壓、降?升壓和反激式。

UCC28881 集成了軟啟動(dòng)功能，用于功率級(jí)的受控啟動(dòng)，從而最大限度地減少了功率級(jí)組件上的應(yīng)力。
*附件：ucc28881.pdf

特性

• 集成 14 Ω、700V 功率 MOSFET
• 集成高壓電流源，用于內(nèi)部器件偏置電源
• 集成電流感應(yīng)
• 內(nèi)部軟啟動(dòng)
• 自偏置開關(guān)器（直接從整流電源電壓?jiǎn)?dòng)和作）
• 支持降壓、降壓-升壓和反激式拓?fù)?/li>
• <100μA 器件靜態(tài)電流
• 負(fù)載短路期間的穩(wěn)健電流保護(hù)
• 保護(hù)
  • 電流限制
  • 過載和輸出短路
  • 過溫

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品基本信息

• 產(chǎn)品名稱 ：UCC28881 700-V、225-mA 低靜態(tài)電流離線轉(zhuǎn)換器。
• 版本信息 ：文檔編號(hào) SLUSC36B，2015 年 11 月發(fā)布，2016 年 1 月修訂。

二、關(guān)鍵特性

• 集成器件 ：集成 14-Ω、700-V 功率 MOSFET，集成高壓電流源用于內(nèi)部偏置電源，集成電流檢測(cè)和內(nèi)部軟啟動(dòng)功能。
• 工作模式 ：自偏置開關(guān)，可直接從整流電源啟動(dòng)和工作，支持降壓、降壓 - 升壓和反激拓?fù)洹?/li>
• 低功耗 ：器件靜態(tài)電流小于 100 μA。
• 保護(hù)功能 ：具備強(qiáng)大的短路保護(hù)，包括電流限制、過載和輸出短路保護(hù)、過溫保護(hù)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 電源轉(zhuǎn)換 ：AC-DC 電源（連續(xù)導(dǎo)通模式輸出電流可達(dá) 225 mA，不連續(xù)導(dǎo)通模式為 150 mA）。
• 其他應(yīng)用 ：電表、家庭自動(dòng)化開關(guān)電源、MCU、RF 和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的偏置電源、家電和 LED 驅(qū)動(dòng)器。

四、詳細(xì)描述

• 器件概述 ：UCC28881 將控制器和 700-V 功率 MOSFET 集成在一個(gè)單片器件中，與 UCC28880 同系列，具有更高的電流處理能力，低靜態(tài)電流實(shí)現(xiàn)優(yōu)異效率。
• 引腳配置 ：采用 8 引腳 SOIC 封裝，包括 DRAIN、FB、GND、HVIN、VDD 等引腳，各引腳具有特定功能。
• 規(guī)格參數(shù) ：
  • 絕對(duì)最大額定值 ：HVIN 和 DRAIN 引腳電壓最大 700 V，工作結(jié)溫 - 40°C 至 150°C，存儲(chǔ)溫度 - 65°C 至 150°C。
  • ESD 評(píng)級(jí) ：人體模型（HBM）HVIN 引腳 ±1500 V，其他引腳 ±2000 V；充電設(shè)備模型（CDM）±500 V。
  • 推薦工作條件 ：VDD 電壓 5 V，F(xiàn)B 引腳電壓 - 0.2 V 至 5 V，工作結(jié)溫 - 40°C 至 125°C。
  • 熱信息 ：結(jié)到環(huán)境熱阻 134.4°C/W，結(jié)到板熱阻 85°C/W。
  • 電氣特性 ：?jiǎn)?dòng)最小電壓 30 V，靜態(tài)電流典型值 58 μA（無負(fù)載）至 86 μA（滿負(fù)載），功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻 14 Ω（25°C 時(shí)）。
  • 開關(guān)特性 ：最大開關(guān)頻率 52-75 kHz，最大導(dǎo)通時(shí)間和最小關(guān)斷時(shí)間均為 6.5-9.7 μs。

五、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

• 典型應(yīng)用 ：13-V、225-mA 高側(cè)降壓轉(zhuǎn)換器，輸入電壓 85-265 V AC，輸出電壓 13 V，輸出電流 225 mA。
• 設(shè)計(jì)流程 ：
  • 輸入級(jí)設(shè)計(jì) ：包括熔斷器電阻、整流二極管、EMI 濾波和儲(chǔ)能電容的選擇與計(jì)算