為助力客戶提升對(duì)觸摸相關(guān)方案的開(kāi)發(fā)效率，優(yōu)化用戶的體驗(yàn)感。中微愛(ài)芯基于豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)觸摸芯片EMI無(wú)法通過(guò)的情況提供了幾種常用的解決方法，顯著提升開(kāi)發(fā)效率與終端用戶體驗(yàn)。

1.關(guān)閉未使用的外設(shè)時(shí)鐘（推薦）

AiP8F35XX芯片默認(rèn)開(kāi)啟所有外設(shè)時(shí)鐘，用戶可通過(guò)關(guān)閉未使用的外設(shè)時(shí)鐘來(lái)降低EMI輻射。

如：關(guān)閉WT時(shí)鐘。

SystemKeyCode

SYSCR1 &= ~0X02; //關(guān)閉WT時(shí)鐘

KeyCodeOff

2.增大觸摸盤與芯片引腳的串聯(lián)電阻

AiP8F35XX系列可以增大電阻阻值，可提高抗電磁干擾效果，理論上該阻值不超過(guò)10K。

3.降低系統(tǒng)時(shí)鐘（推薦）

EMI尖端脈沖頻率為系統(tǒng)時(shí)鐘倍數(shù)，則通過(guò)降低系統(tǒng)時(shí)鐘，將系統(tǒng)時(shí)鐘從16M降低到8M、4M，可有效的降低電磁輻射。

4.芯片VDD和GND之間接濾波電感及預(yù)留高頻濾波電容（推薦）

5.AC電源端口加上共模線圈

推薦20mH共模線圈可有效抑制20M以上的電磁輻射。該方法效果好，但是成本高。

6.芯片VCC端口加電容

在芯片的電源端口加100uf電解電容和100nf濾波電容，同時(shí)預(yù)留1nF濾高頻電容，這些電容盡量靠近芯片電源引腳，其中電解電容建議采用高頻低阻材質(zhì)。

7.長(zhǎng)線端口處理（推薦）

芯片引腳需連接長(zhǎng)線與外部通信，如UART、I2C等，則建議在該長(zhǎng)線的MCU引腳端口附近接101電容，可有效降低長(zhǎng)線引起的天線效應(yīng)。毛刺的頻率和端口電容可參考如下：

電容的諧振頻率

8.地線處理

芯片地線盡量走直線，少回路，防止產(chǎn)生渦流，雙面板的地平面盡量多打過(guò)孔，有利于地勢(shì)的穩(wěn)定。

芯片回路太長(zhǎng)

芯片地回路短

雙面板地多加過(guò)孔

9.鋪地操作

尖端脈沖是由于高頻通信線引起的，則在高頻通信線附近鋪GND操作，可有效的抑制高頻通信導(dǎo)致導(dǎo)致的電磁輻射。

I2C高頻走線周圍被GND包裹

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關(guān)于中微愛(ài)芯

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