電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌） 2025年6月13日，在第17屆國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會（TMC2025）上，理想汽車首次公開其歷時(shí)3年半研發(fā)的自研高壓碳化硅（SiC）功率模塊LPM（Li Power Module），并宣布該模塊將于7月搭載于旗艦純電車型理想i8首發(fā)上市，未來還會陸續(xù)搭載在理想所有純電車型上。

來源：理想汽車

理想LPM模塊的核心價(jià)值在于系統(tǒng)級能效優(yōu)化。通過降低“系統(tǒng)寄生電感”這一隱形損耗源，理想團(tuán)隊(duì)將電流回路的等效串聯(lián)電感（ESL）優(yōu)化至約10nH，較行業(yè)平均水平降低50%。

來源：理想汽車

這一改進(jìn)源于多維度技術(shù)創(chuàng)新：半橋內(nèi)部電氣設(shè)計(jì)優(yōu)化、無端子高壓連接技術(shù)、高精度AMB直接激光焊工藝，以及母排三維空間疊層設(shè)計(jì)等技術(shù)組合，顯著縮小了電流回路面積。以理想i8為例，該模塊使整車?yán)m(xù)航在SiC技術(shù)本身提升6%（約40公里）的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步增加1%（約7公里），實(shí)現(xiàn)總續(xù)航提升7%的技術(shù)飛躍。

來源：理想汽車

在空間優(yōu)化方面，理想汽車顛覆傳統(tǒng)功率模塊設(shè)計(jì)范式。其革命性內(nèi)部開窗設(shè)計(jì)徹底摒棄外露功率端子和螺栓連接方式，直接在模塊本體開窗實(shí)現(xiàn)大電容與銅排的精準(zhǔn)嵌套。這一創(chuàng)新使模塊占地面積縮減50%，Y向尺寸減小40mm，為后排乘客釋放出寶貴的頭部與腿部空間
。這種設(shè)計(jì)需要功率模塊、電機(jī)控制器、電驅(qū)動總成與整車的跨層級聯(lián)合開發(fā)能力，同時(shí)克服了塑封過程中開窗邊緣穩(wěn)定性控制、超薄覆銅基板多點(diǎn)激光焊接等工藝難題。

在質(zhì)量管控領(lǐng)域，理想汽車構(gòu)建了覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的精密制造體系。從芯片級激光焊接到模塊級潔凈度控制，再到整車級可靠性驗(yàn)證，其生產(chǎn)流程融入多項(xiàng)“黑科技”——包括遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的加速老化測試、多維度視覺與電氣檢測技術(shù)，以及高度自動化產(chǎn)線保障的質(zhì)量一致性
。目前，理想已建成蘇州斯科半導(dǎo)體基地，規(guī)劃總投資10億元用于SiC模塊研發(fā)生產(chǎn)，一期產(chǎn)線已于2024年底通線，支撐800V高壓平臺車型的規(guī)?；涞?。

理想汽車的技術(shù)突破折射出新能源汽車行業(yè)對功率模塊的深度布局。東風(fēng)汽車與芯聯(lián)集成聯(lián)合開發(fā)的自研SiC模塊采用雙面散熱封裝技術(shù)，系統(tǒng)效率突破99%；比亞迪依托IGBT 4.0芯片持續(xù)優(yōu)化模塊集成度，其最新一代模塊體積比達(dá)到0.35kW/cm3的行業(yè)領(lǐng)先水平。特斯拉Model 3/Y搭載的SiC模塊則通過單管芯片封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能，為行業(yè)提供重要技術(shù)參考。

值得關(guān)注的是，車企與半導(dǎo)體企業(yè)的深度協(xié)同正在加速技術(shù)迭代。理想汽車與中車時(shí)代半導(dǎo)體合作開發(fā)的XPM增程功率模塊預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)，可適配400V-800V全電壓平臺；與三安光電合資的湖南三安基地則專注于SiC襯底材料研發(fā)，規(guī)劃年產(chǎn)60萬片碳化硅晶圓，為高壓平臺車型提供穩(wěn)定供應(yīng)保障。

盡管SiC模塊優(yōu)勢顯著，但成本與可靠性仍是行業(yè)痛點(diǎn)。當(dāng)前SiC襯底成本為硅基器件的5-8倍，且車規(guī)級模塊需經(jīng)歷長達(dá)3-5年的可靠性驗(yàn)證。對此，理想汽車通過仿真驗(yàn)證平臺建設(shè)加速技術(shù)落地——其失效分析實(shí)驗(yàn)室可模擬10年工況加速測試，確保產(chǎn)品可靠性。此外，上汽等車企正探索SiC與IGBT混合封裝方案，在控制成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能平衡。

從技術(shù)演進(jìn)趨勢看，雙面散熱封裝、三維封裝集成、芯片級智能驅(qū)動等創(chuàng)新方向正在興起。東風(fēng)汽車展示的雙面散熱SiC模塊可將熱阻降低30%以上；而特斯拉提出的單管芯片封裝技術(shù)則通過減少內(nèi)部互連環(huán)節(jié)提升可靠性。這些探索預(yù)示著功率模塊將向更高集成度、更優(yōu)熱管理、更低系統(tǒng)成本方向持續(xù)進(jìn)化。