同步整流芯片U711XW系列（U7116W/U7110W）快充電源方案參考：

1. U7116W+U8722DE，可做PD30W快充電源方案；+U8722DH，可做非標(biāo)PD30W方案；+U8722EE，可做到45W；

2. 同步整流芯片U7110W+U8722DE，可做PD30W-36W快充電源方案；+U8722EE，可做50W-60W。

同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side 和 Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U711XW的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。

U7116W/U7110W

同步整流芯片U7116W/U7110WPCB設(shè)計對同步整流的性能會產(chǎn)生顯著影響，設(shè)計同步整流電路時建議參考圖2和圖3的內(nèi)容。圖3為PCB布局設(shè)計參考，包含U711XW、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。

1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2. VDD電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3. HV到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應(yīng)力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。如圖3所示的High Side 配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。

4. R1和C1構(gòu)成同步整流開關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5. Drain引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6. 如圖3所示，ASOP-6的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離

同步整流芯片U7116W/U7110W內(nèi)部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開關(guān)誤開通，采用ASOP-6封裝，功率擴展到30~45W，推薦輸出電壓3-21V！