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TPS53511 集成 MOSFET 的 1.5A 降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-06-28 10:14 ? 次閱讀
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TPS53511 是一款自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP2? 模式同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件適用于計(jì)算電源系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn) (POL),并提供經(jīng)濟(jì)高效、低元件數(shù)量、低待機(jī)電流的解決方案。TPS53511 的主控制回路使用 D-CAP2? 模式控制,無(wú)需外部元件即可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制支持重負(fù)載條件下的 PWM 模式和輕負(fù)載條件下的低頻運(yùn)行之間的無(wú)縫作,以實(shí)現(xiàn)高效率。
*附件:tps53511.pdf

TPS53511包括一個(gè)專有電路,使該器件能夠適應(yīng)低等效串聯(lián)電阻 (ESR) 輸出電容器(如 POSCAP 或 SP-CAP)和超低 ESR 陶瓷電容器。該器件在 4.5V 至 18V 電源輸入和 2V 至 18V 輸入電源電壓范圍內(nèi)工作。該器件具有可調(diào)節(jié)的慢啟動(dòng)時(shí)間和電源良好功能。它還支持預(yù)偏置軟啟動(dòng)。TPS53511 采用 16 引腳 QFN 封裝,工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C。

特性

  • 1.5A 連續(xù)輸出電流
  • 4.5V 至 18V 電源電壓范圍
  • 2V 至 18V 轉(zhuǎn)換電壓范圍
  • DCAP2? 模式控制可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • 低輸出紋波并支持所有 MLCC 輸出電容器
  • 用于輕負(fù)載控制的跳躍模式
  • 針對(duì)低占空比應(yīng)用優(yōu)化的高效集成 FET
  • 高效率,關(guān)斷時(shí)電源電流小于 10μA
  • 可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間
  • 支持預(yù)偏置軟啟動(dòng)
  • 700kHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 逐周期過(guò)流限制
  • 漏極開(kāi)路電源正常指示
  • 內(nèi)部自舉開(kāi)關(guān)
  • 小型 3mm × 3mm、16 引腳 QFN (RGT) 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 概述

TPS53511 是一款高效的同步降壓(Buck)DC-DC轉(zhuǎn)換器,適用于4.5V至18V輸入電壓范圍,提供1.5A的連續(xù)輸出電流。該器件采用D-CAP2?模式控制,支持快速瞬態(tài)響應(yīng),并集成了低ESR輸出電容器支持、軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓/欠壓保護(hù)等功能。

2. 主要特性

  • ?輸入電壓范圍?:4.5V至18V
  • ?輸出電壓范圍?:2V至18V
  • ?連續(xù)輸出電流?:1.5A
  • ?高效率?:輕負(fù)載條件下進(jìn)入跳頻模式,提高能效
  • ?D-CAP2?模式控制?:無(wú)需外部補(bǔ)償元件,支持快速瞬態(tài)響應(yīng)
  • ?集成FETs?:高度集成的FETs,優(yōu)化低占空比應(yīng)用
  • ?軟啟動(dòng)功能?:可調(diào)軟啟動(dòng)時(shí)間,支持預(yù)偏置軟啟動(dòng)
  • ?保護(hù)功能?:過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、熱關(guān)斷
  • ?小型封裝?:3mm x 3mm,16引腳QFN(RGT)封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 服務(wù)器負(fù)載點(diǎn)(POL)
  • 計(jì)算電源系統(tǒng)的分布式非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器

4. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:16引腳QFN(RGT)
  • ?尺寸?:3mm x 3mm

5. 電氣特性

  • ?開(kāi)關(guān)頻率?:700kHz
  • ?軟啟動(dòng)時(shí)間?:可調(diào),通過(guò)外部電容設(shè)置
  • ?過(guò)流限制?:1.65A至2.75A
  • ?熱關(guān)斷閾值?:150°C,熱滯回25°C
  • ?電源良好(Power Good)指示?:開(kāi)漏輸出,過(guò)壓/欠壓時(shí)指示低電平

6. 功能描述

  • ?D-CAP2?模式控制?:結(jié)合恒定導(dǎo)通時(shí)間控制與內(nèi)部補(bǔ)償電路,實(shí)現(xiàn)偽固定頻率操作,無(wú)需外部補(bǔ)償元件。
  • ?軟啟動(dòng)與預(yù)偏置軟啟動(dòng)?:通過(guò)外部電容設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間,支持預(yù)偏置條件下的平滑啟動(dòng)。
  • ?電源良好指示?:在輸出電壓穩(wěn)定后激活,過(guò)壓或欠壓時(shí)指示低電平。
  • ?輸出放電控制?:在使能引腳為低或保護(hù)功能激活時(shí),通過(guò)內(nèi)部MOSFET放電輸出電容。
  • ?電流保護(hù)?:采用逐周期過(guò)流限制,防止過(guò)流損壞。
  • ?過(guò)壓/欠壓保護(hù)?:監(jiān)測(cè)反饋電壓,實(shí)現(xiàn)過(guò)壓和欠壓保護(hù)。
  • ?熱關(guān)斷?:當(dāng)結(jié)溫超過(guò)閾值時(shí)自動(dòng)關(guān)斷,防止過(guò)熱損壞。

7. 設(shè)計(jì)支持

  • 提供典型應(yīng)用電路和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟。
  • 包括電感器、輸出電容器、輸入電容器和自舉電容器的選型指南。
  • 提供應(yīng)用曲線和效率圖,幫助優(yōu)化設(shè)計(jì)。

8. 布局考慮

  • 保持輸入開(kāi)關(guān)電流環(huán)路盡可能小。
  • SW節(jié)點(diǎn)應(yīng)盡可能小且短,以減少寄生電容和電感。
  • 模擬和非開(kāi)關(guān)組件應(yīng)遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)組件。
  • 信號(hào)地和功率地應(yīng)單點(diǎn)連接。
  • 暴露的熱焊盤應(yīng)連接到地,并使用熱過(guò)孔增強(qiáng)散熱。

9. 文檔與支持

  • 提供技術(shù)手冊(cè)、應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào)和社區(qū)資源鏈接。
  • TI E2E?在線社區(qū)支持,提供快速的設(shè)計(jì)幫助和問(wèn)題解決。
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