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TPS51463 具有 2 位 VID 的 3.3V/5V 輸入、D-CAP+ ? 模式同步降壓集成 FET 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-07-01 18:12 ? 次閱讀
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TPS51463 是一款完全集成的同步降壓穩(wěn)壓器 使用 D-CAP+?。它用于高達(dá) 5V 的降壓系統(tǒng)。 尺寸非常寶貴,性能和優(yōu)化的 BOM 是必不可少的。

TPS51463 完全支持 Intel Chief River 平臺(tái),即 具有集成 2 位 VID 功能的 ULV/CPU 系統(tǒng)代理應(yīng)用程序。
*附件:tps51463.pdf

TPS51463 還具有兩種開關(guān)頻率設(shè)置 (700 kHz 和 1 MHz),跳躍模式,預(yù)偏置啟動(dòng),可編程 外部電容器軟啟動(dòng)時(shí)間/電壓轉(zhuǎn)換時(shí)間、輸出 放電、內(nèi)部 VBST 開關(guān)、2V 基準(zhǔn) (±1%)、電源正常和 使。

TPS51463 采用 4 mm × 4 mm、24 引腳 QFN 封裝 封裝(符合 Green RoHs 標(biāo)準(zhǔn)且不含鉛),額定溫度范圍為 -40°C 至 85°C。

特性

  • 具有 TI 專有 D-CAP+ 模式架構(gòu)的集成 FET 轉(zhuǎn)換器
  • 最少的外部零件數(shù)量
  • 支持所有 MLCC 輸出電容器和 SP/POSCAP
  • 自動(dòng)跳過模式
  • 可選 700kHz 和 1MHz 頻率
  • 小型 4 mm × 4 mm、24 引腳 QFN 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS51463 是一款由 Texas Instruments 生產(chǎn)的同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件集成了 FET,采用 D-CAP+? 模式,支持 MLCC 輸出電容,并具有 2 位 VID 功能,可實(shí)現(xiàn)輸出電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)整。TPS51463 提供兩種開關(guān)頻率(700kHz 和 1MHz)選擇,適用于需要高效率和小尺寸的電源管理系統(tǒng)。

2. 主要特性

  • ?集成 FET?:減少外部元件數(shù)量,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
  • ?D-CAP+? 模式?:支持所有 MLCC 輸出電容,優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
  • ?2 位 VID?:支持輸出電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)整,滿足不同負(fù)載需求。
  • ?可選開關(guān)頻率?:700kHz 和 1MHz 兩種頻率可選,優(yōu)化性能與尺寸。
  • ?自動(dòng)跳脈沖模式?:輕載時(shí)自動(dòng)降低開關(guān)頻率,提高效率。
  • ?預(yù)偏置啟動(dòng)?:支持預(yù)偏置輸出負(fù)載的平穩(wěn)啟動(dòng)。
  • ?可編程軟啟動(dòng)?:通過外部電容設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間和電壓過渡時(shí)間。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 筆記本電腦和臺(tái)式電腦。
  • Intel Chief River 平臺(tái) ULV CPU 系統(tǒng)代理。
  • 其他需要高效率、小尺寸電源管理的低電壓應(yīng)用。

4. 功能描述

  • ?D-CAP+? 自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制?:根據(jù)輸入和輸出電壓自動(dòng)調(diào)整導(dǎo)通時(shí)間,維持近似恒定的開關(guān)頻率。
  • ?非下垂配置?:提供平坦的負(fù)載調(diào)節(jié)特性,適用于需要緊密 DC 容差的系統(tǒng)。
  • ?多重保護(hù)功能?:包括過壓保護(hù)(OVP)、欠壓保護(hù)(UVP)、過流保護(hù)(OCP)和熱關(guān)斷保護(hù)。
  • ?電源良好信號(hào)?:提供開漏電源良好輸出,用于監(jiān)控輸出電壓狀態(tài)。

5. 設(shè)計(jì)指南

  • ?輸出電壓設(shè)置?:通過 2 位 VID 輸入設(shè)置輸出電壓,具體對(duì)應(yīng)關(guān)系參見數(shù)據(jù)手冊(cè)中的 VID 編碼表。
  • ?電感選擇?:根據(jù)輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載電流選擇合適的電感值,以優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)和效率。
  • ?電容選擇?:推薦使用 MLCC 電容作為輸出電容,以滿足 D-CAP+? 模式的要求。
  • ?補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)?:根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),以確保電路的穩(wěn)定性。
  • ?PCB 布局?:遵循良好的 PCB 布局原則,減小寄生參數(shù)對(duì)電路性能的影響。

6. 封裝與訂購信息

TPS51463 采用 4mm × 4mm、24 引腳的 QFN 封裝,具體封裝類型和可訂購信息請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的“封裝選項(xiàng)附錄”部分。

7. 注意事項(xiàng)

  • 在設(shè)計(jì)過程中,應(yīng)仔細(xì)考慮電感、電容的選擇和 PCB 布局,以確保電路的性能和穩(wěn)定性。
  • TPS51463 提供了多種保護(hù)功能,但在實(shí)際應(yīng)用中仍需根據(jù)具體需求進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐渲煤捅O(jiān)控。
  • 在使用過程中,應(yīng)注意避免超過器件的額定工作條件,以防止損壞。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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    用于DDR存儲(chǔ)終端的6A輸出、D-CAP+ 模式、同步降壓集成FET轉(zhuǎn)換器TPS53317數(shù)據(jù)

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