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取代氰化物鍍銅工藝的新工藝無(wú)氰鍍銅技術(shù)的一些發(fā)展情況

dOcp_circuit_el ? 2018-05-19 09:47 ? 次閱讀
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以氰化物為配位體(絡(luò)合劑)的堿性鍍銅工藝一直是主流的多種鍍層的打底鍍層和預(yù)鍍工藝。由于環(huán)境保護(hù)和操作安全的考慮,氰化物的使用已經(jīng)受到了嚴(yán)格的限制。因此開(kāi)發(fā)取代氰化物鍍銅工藝的工作,一直是電鍍界關(guān)注的重要課題。到了今天,還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出可以完全取代氰化物鍍銅工藝的新工藝,但是在滿足某些條件時(shí),也有一些鍍銅工藝可以取代氰化物鍍銅,比如焦磷酸鹽鍍銅、HEDP鍍銅、預(yù)浸強(qiáng)吸附阻擋型活性物如丙烯基硫脲鍍銅等。

后兩者的改進(jìn)型工藝,與其他開(kāi)發(fā)初期的水平有較大的進(jìn)展,特別是HEDP鍍銅工藝,在采用了輔助配位體和開(kāi)發(fā)出新的添加劑后,鍍銅層與鋼鐵基體的結(jié)合強(qiáng)度有很大的提高。經(jīng)采用電化學(xué)工作站進(jìn)行陰極極化曲線和恒定電流電位-時(shí)間曲線的測(cè)定,應(yīng)用彎曲折斷法進(jìn)行臨界起始電流密度(即保證鍍層結(jié)合強(qiáng)度的最小初始電流)的測(cè)試和鍍層結(jié)合強(qiáng)度的定量測(cè)定,結(jié)果表明:輔助配位劑的加入利市了銅析出時(shí)的陰極極化,降低了臨界起始電流密度,當(dāng)用1ASD的電流密度進(jìn)行起始電鍍時(shí),可使鐵的表面在銅沉積前得到更充分的活化,使鍍銅層與鐵基體的結(jié)合強(qiáng)度提高到6416.38N/cm2,已接近銅上電鍍銅的水平。

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原文標(biāo)題:無(wú)氰鍍銅技術(shù)近年來(lái)進(jìn)展前情況

文章出處:【微信號(hào):circuit-ele,微信公眾號(hào):PCB工藝技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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