5月21日上午，在上海浦東新區(qū)康橋工業(yè)園南區(qū)，由華虹集團旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運的12英寸先進生產(chǎn)線建設(shè)項目（以下簡稱“華虹六廠”）實現(xiàn)首臺工藝設(shè)備——光刻機搬入。

據(jù)悉，此次搬入的首臺工藝設(shè)備為荷蘭阿斯麥公司的NXT 1980Di光刻機，是目前中國大陸集成電路生產(chǎn)線上最先進的浸沒式光刻機。

華力12英寸先進生產(chǎn)線建設(shè)項目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項目，總投資387億元人民幣，將建成月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點。項目計劃于2022年底建成達產(chǎn)，主要從事邏輯芯片生產(chǎn)，重點服務(wù)國內(nèi)設(shè)計企業(yè)先進芯片的制造，并滿足部分事關(guān)國家信息安全的重點芯片制造需求。

據(jù)了解，近日陸續(xù)有多臺ASML 的設(shè)備運入中國大陸晶圓制造廠。其中，中芯國際的已經(jīng)購入首臺價值1.2億美元的ASML EUV設(shè)備；長江存儲的首臺光刻機也已運抵武漢天河機場，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元用于14nm~20nm工藝。

ASML的光刻機安全降落武漢天河機場，正在卸貨中。

5月19日消息，當(dāng)天中午，長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機運抵武漢天河機場。這是長江存儲的首臺光刻機，陸續(xù)還會有多臺運抵。

報道稱，該設(shè)備在相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。據(jù)介紹，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元（約合人民幣4.6億元），可用于14-20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。

值得注意的是，這是一周以來，中國企業(yè)第二起突破芯片技術(shù)封鎖的事件。

此前，根據(jù)日媒消息報道，中芯國際耗資1.2億美元從荷蘭ASML購得世界上最先進的EUV（極紫外線）光刻機，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片。

2016年3月，長江存儲啟動了位于武漢的國家存儲器基地的建設(shè)，總投資240億美元，計劃2018年投產(chǎn)，2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。

是年12月，國家存儲器基地正式動工，計劃分三個階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。

其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)。

2018年4月11日，芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。

紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露：長江存儲的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

他在接受采訪時強調(diào)：“這僅是剛剛開始”。

今年底，基地就將進行試產(chǎn)，初期投片量不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，不少產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都拿到了樣片測試。

明年，長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi)。

另外，紫光集團在武漢、南京、成都三地都有300mm閃存晶圓廠，這次率先啟動的是武漢工廠，同時募集的800億元資金也已經(jīng)全部到位。

用不了多久，用戶就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機、SSD固態(tài)硬盤等產(chǎn)品。