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半導(dǎo)體封裝/模塊驗(yàn)證:高低溫濕熱環(huán)境的全流程解決方案

貝爾試驗(yàn)箱 ? 2025-07-14 10:41 ? 次閱讀
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環(huán)境變化不是問(wèn)題的來(lái)源,而是讓問(wèn)題暴露出來(lái)的加速器。

在芯片、功率器件、模組、傳感器等電子元件的封測(cè)過(guò)程中,溫度、濕度、氣壓的變化會(huì)對(duì)其引腳焊接、封裝樹(shù)脂、電氣連接、功能穩(wěn)定性等產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

特別是隨著芯片國(guó)產(chǎn)化加速、高功率密度器件廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品在極端環(huán)境中的可靠性表現(xiàn)已成為項(xiàng)目成敗的關(guān)鍵指標(biāo)。

為此,眾多芯片封測(cè)廠與模組開(kāi)發(fā)商將“高低溫濕熱環(huán)境測(cè)試”作為芯片驗(yàn)證流程中不可或缺的一環(huán),選擇通過(guò)環(huán)境模擬試驗(yàn)倉(cāng)進(jìn)行規(guī)?;?、可控化的適應(yīng)性測(cè)試。

一、為什么芯片/模組要做環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試?

“實(shí)驗(yàn)室通過(guò)的產(chǎn)品,必須能在高原、寒區(qū)、熱帶、戶外運(yùn)行無(wú)誤?!?/p>

常見(jiàn)失效機(jī)制與環(huán)境應(yīng)力關(guān)系:

1、高溫(>85℃):封裝膨脹 / 漏電流升高電氣參數(shù)漂移 / 電路誤觸發(fā);

2、低溫(<-40℃):焊點(diǎn)脆裂 / 熱應(yīng)力集中器件開(kāi)路 / 瞬時(shí)失效;

3、高濕(>90%RH):板面結(jié)露 / 封裝吸潮短路 / 腐蝕 / 長(zhǎng)期可靠性下降;

4、溫變(快速升降):熱脹冷縮反復(fù)作用引腳疲勞 / 膠封破裂 / 內(nèi)部脫層;

5、氣壓波動(dòng):高原或倉(cāng)壓突變封裝鼓脹 / 功能失常 / 封膠失效。

二、哪些芯片產(chǎn)品適合步入式環(huán)境模擬試驗(yàn)倉(cāng)測(cè)試?

1、功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET/SiC):驗(yàn)證封裝熱穩(wěn)定性 / 長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通溫漂。

2、模擬/數(shù)字混合芯片:極限溫度下功能與時(shí)序穩(wěn)定性驗(yàn)證。

3、射頻芯片 / 通信SoC:高頻信號(hào)在溫濕應(yīng)力作用下的偏移監(jiān)測(cè)。

4、圖像傳感器 / TOF模組:長(zhǎng)周期暴露測(cè)試畫(huà)質(zhì)穩(wěn)定性與響應(yīng)時(shí)間。

5、汽車(chē)芯片 / ECU模塊:-40℃~125℃溫變 + EMC兼容環(huán)境再現(xiàn)。

6、封裝載板 / BGA:熱循環(huán)中焊球可靠性驗(yàn)證。

一些產(chǎn)線或芯片開(kāi)發(fā)項(xiàng)目還會(huì)搭配ESD、鹽霧、震動(dòng)測(cè)試,形成多維失效風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估體系。

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三、環(huán)境模擬試驗(yàn)倉(cāng)如何適配芯片/模組測(cè)試?

關(guān)鍵特性配置推薦:

1、溫度范圍:-70℃~+150℃,支持多段可編程控制

2、溫度波動(dòng)度:≤±0.5℃

3、濕度控制范圍:20%RH~98%RH,可選快速除濕系統(tǒng)

4、溫變速率支持:≥3℃/min,模擬晝夜/設(shè)備啟停變化

5、樣品布置方式:可安裝芯片燒錄座、載板裝夾架、走線引出接口

6、多通道采集系統(tǒng):實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度、電流、電壓、ESD響應(yīng)、功能狀態(tài)等

四、封測(cè)類(lèi)客戶對(duì)環(huán)境模擬試驗(yàn)倉(cāng)有哪些要求?

1、電源模塊引出:多樣化樣品上電需求:DC/AC、精密低壓、高頻瞬態(tài)。

2、控溫精度:電路測(cè)試對(duì)溫度精度要求高,建議配置PID精準(zhǔn)調(diào)控系統(tǒng)。

3、報(bào)警聯(lián)動(dòng):電壓異常/設(shè)備掉電/溫升過(guò)快可觸發(fā)報(bào)警記錄。

4、多工位測(cè)試:批量驗(yàn)證需求高,支持多板位/多模組同步環(huán)境控制。

5、上位機(jī)/遠(yuǎn)程平臺(tái):軟件遠(yuǎn)程控制/數(shù)據(jù)查看/功能同步啟動(dòng)需求強(qiáng)。

結(jié)語(yǔ):環(huán)境試驗(yàn),正在成為芯片可靠性驗(yàn)證的基礎(chǔ)設(shè)施

在如今對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片“能用、好用、耐用”的新要求下,只有經(jīng)歷了溫度、濕度、壓力等“隱性風(fēng)險(xiǎn)”的驗(yàn)證,芯片產(chǎn)品才能真正做到交付無(wú)憂、應(yīng)用安心。

步入式環(huán)境模擬試驗(yàn)倉(cāng),正是支撐大規(guī)??煽啃则?yàn)證、模組全流程加速測(cè)試的平臺(tái)設(shè)備。

如你正處于芯片可靠性平臺(tái)建設(shè)、批量封測(cè)驗(yàn)證、功率模組工程化評(píng)估階段,歡迎聯(lián)系廣東貝爾,我們可為你定制半導(dǎo)體測(cè)試專(zhuān)用環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備解決方案。

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