來源：轉(zhuǎn)載自21ic論壇極海半導(dǎo)體專區(qū)

01 前言

一般我們開發(fā)MCU自帶的SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)夠用了，但是對于內(nèi)存需求較高的場合，比如跑GUI或者算法等，自帶的內(nèi)存會就不夠用，這個時候就要外擴(kuò)SRAM或SDRAM。

不過還好找到了APM32E103VET6S，這款芯片合封了2MB的SDRAM，就是集成在芯片內(nèi)部的意思，據(jù)我閱讀數(shù)據(jù)手冊了解，合封的SDRAM只是跟MCU封裝在一起，初始化程序?qū)懛ǜ鈹U(kuò)SDRAM是一樣的。在程序中使用SDRAM的時候我們都需要填入起始地址，很不方便，這時候就需要內(nèi)存管理來幫助我們自動分配內(nèi)存，大大減少開發(fā)時間和出現(xiàn)bug的可能。

圖1-1產(chǎn)品命名規(guī)范

根據(jù)圖1-1可以看出APM32后綴帶S就是合封了2MB的SDRAM，不帶后綴S是沒有的，那么再來對比下這2者的區(qū)別，如圖1-2所示，合封了SDRAM的會把SDRAM所使用到的引腳隱藏起來了，但是官方?jīng)]有把PB11隱藏起來，與SDRAM存在沖突，如有使用建議更換其他IO口。

圖1-2 合封與非合封的區(qū)別

接下來看官方芯片數(shù)據(jù)手冊如圖1-3，F(xiàn)lash：512KB，SRAM：128KB，SDRAM：2MB

圖1-3存儲器

圖1-4地址映射圖

從地址映射可以看到SDRAM的地址從60000000H開始，記住這個地址，待會程序里用到。

02 準(zhǔn)備材料

接下來用到2個程序，正點原子戰(zhàn)艦內(nèi)存管理例子和APM32E1的SDK的DMC_SDRAM例子，我們在DMC_SDRAM程序的基礎(chǔ)上移植正點原子戰(zhàn)艦內(nèi)存管理例子：

1、【正點原子】戰(zhàn)艦STM32F103開發(fā)板資料 資料盤(A盤)4，程序源碼實驗37 內(nèi)存管理實驗

2、APM32E10x_SDK_V1.2ExamplesEMMCDMC_SDRAM

03 移植說明

1、首先復(fù)制正點原子戰(zhàn)艦內(nèi)存管理例子里的malloc.c和malloc.h到DMC_SDRAM工程下，修改malloc.c中的外部內(nèi)存地址為0x60000000

2、修改malloc.h，我這里SDRAM用1920K，留了點沒用完

3、移植完成，下面測試下

運行串口打印如下：

Err Count : 0證明SDRAM測試讀寫正常。然后再看打印的p地址不是0x20000000H，而是在60000000H到60200000H之間，就證明申請的內(nèi)存用在SDRAM內(nèi)。

好了，以后程序里就可以用mymalloc(SRAMEX,xxx)函數(shù)申請SDRAM自動分配的內(nèi)存或者mymalloc(SRAMIN,xxx)申請內(nèi)部SRAM自動分配的內(nèi)存啦。

注：文章作者在原帖中提供了例程文件，有需要請至原文21ic論壇下載

原文地址：https://bbs.21ic.com/icview-3327108-1-1.html