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功率器件簡(jiǎn)介及功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

t1PS_TechSugar ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-24 17:10 ? 次閱讀
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周宏偉:我的報(bào)告分為五個(gè)部分,首先是功率器件簡(jiǎn)介,其次是功率器件的市場(chǎng),再次是功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),接著是中國(guó)功率器件發(fā)展現(xiàn)狀,最后是龍騰半導(dǎo)體功率器件簡(jiǎn)介。

一、功率器件簡(jiǎn)介

功率半導(dǎo)體是集成電路一個(gè)非常重要的組成部分,市場(chǎng)空間有400多億美元,從大方面講有200多億美元是功率IC,還有100多億是功率器件。手機(jī)充電器,手機(jī)當(dāng)中都會(huì)有功率器件。功率器件主要的部分,體量比較大的是IGBT。把IGBT、VDMOS做好,就是一個(gè)很好的硬件廠商。IGBT模塊是雙子器件,它的特點(diǎn)是頻率低一點(diǎn),但是能量密度稍微大一點(diǎn)。所以像在新能源汽車(chē),軌道交通應(yīng)用得更廣泛。它的重要性不言而喻,前一段發(fā)生中興事件,我們?cè)诠δ芷骷袠I(yè)也刷屏了一個(gè)事情,通信系統(tǒng)如果中興不賣(mài)了會(huì)是災(zāi)難,但如果在功率器件國(guó)外禁運(yùn)的話,是一個(gè)更加災(zāi)難性的后果。比如高鐵、電網(wǎng),這個(gè)后果更為嚴(yán)重。至于它的重要性,我借用兩個(gè)人說(shuō)的話給大家聽(tīng)一下。一個(gè)是國(guó)際能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長(zhǎng)邱宇峰說(shuō)的,已經(jīng)知道電網(wǎng)將從鋼鐵網(wǎng)變成半導(dǎo)體電網(wǎng),這是一個(gè)方面,半導(dǎo)體電網(wǎng)的核心的部件就是IGBT。另外一個(gè)重要的應(yīng)用領(lǐng)域是軌道交通,我們說(shuō)高鐵是中國(guó)高端制造的名片,但是它的核心部分就是IGBT模塊,類(lèi)似于手機(jī)當(dāng)中的CPU。還有一個(gè)更重要的領(lǐng)域,我們國(guó)家強(qiáng)推的新能源汽車(chē),新能源汽車(chē)功率器件占整個(gè)成本的7%到10%,要到1000美元。

正是因?yàn)楣β势骷诟叨诵袠I(yè)有核心的應(yīng)用,像國(guó)家電網(wǎng)本來(lái)是做電網(wǎng)的,現(xiàn)在自己也整了個(gè)公司做功率器件,做IGBT。中車(chē)也是,自己干脆建了一條線,自己做IGBT。實(shí)際上功率器件是兩個(gè)部分,一個(gè)是VDMOS,一個(gè)是IGBT。抓住這兩個(gè)細(xì)分領(lǐng)域,中國(guó)的元器件就做好了。

二、功率器件的市場(chǎng)

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計(jì)報(bào)告當(dāng)中,市場(chǎng)空間有60億美元,這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場(chǎng)份額來(lái)看,我們關(guān)心的是汽車(chē)電子,不管是增長(zhǎng)率和市場(chǎng)份額,都是最大的。其次是計(jì)算機(jī)和存儲(chǔ),它的市場(chǎng)份額特別大。但是因?yàn)镻C的發(fā)展比較慢,所以它的增長(zhǎng)率比較小。另外是網(wǎng)絡(luò)通訊,雖然現(xiàn)在來(lái)看市場(chǎng)份額不大,但是增長(zhǎng)率很快,基本上和汽車(chē)電子一樣。大家知道在通訊行業(yè)我們國(guó)家還可以,比如華為和中興在通訊行業(yè)是第一位和第四位,所以伴隨著整機(jī)器件的發(fā)展,國(guó)內(nèi)應(yīng)該有很好的發(fā)展。

在2016年的統(tǒng)計(jì)報(bào)告當(dāng)中,關(guān)于功率器件市場(chǎng)份額和一些重要的參與者,實(shí)際上0到40V體量是最大的。因?yàn)橹灰鞘殖制骷?a target="_blank">數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)這些東西用量非常大,它的市場(chǎng)份額非常高。下面是40V到100V,這個(gè)為什么高呢?是因?yàn)樽龅搅似?chē),汽車(chē)電源是12V,很多是60到100V之間。大于400V這一部分統(tǒng)稱(chēng)為高壓器件。誰(shuí)是重要的參與者呢?從第一到十的排名,基本上沒(méi)有中國(guó)廠商。客觀來(lái)說(shuō),數(shù)到十五,中國(guó)廠商也很難排進(jìn)去。第一名是很老牌的廠商,之前他的份額沒(méi)那么多,三年前他收購(gòu)了一個(gè)重要的廠商。第二位是On Semi,所以整個(gè)來(lái)看,細(xì)分市場(chǎng)里面,歐美日把持了大部分廠家。

從VDMOS再細(xì)分一下,就是汽車(chē)電子,這個(gè)市場(chǎng)在2018年是14億美金,增長(zhǎng)比例每年逐漸增加的。前十位里面依然沒(méi)有中國(guó)廠家。另外一個(gè)市場(chǎng)份額比較大的領(lǐng)域,是計(jì)算和存儲(chǔ)市場(chǎng),2018年的市場(chǎng)份額是14億美元。但因?yàn)镻C發(fā)展緩慢,是一個(gè)平穩(wěn)的狀態(tài)。即使這樣,在這個(gè)非常大的市場(chǎng)領(lǐng)域前十名,也仍然沒(méi)有中國(guó)廠家。嚴(yán)格來(lái)說(shuō),15位也沒(méi)有。我們一直說(shuō)是中國(guó)是制造大國(guó),不是制造強(qiáng)國(guó),因?yàn)樵诟叨酥圃鞓I(yè)當(dāng)中,是找不到中國(guó)廠商的。

再看另外一種非常重要的功率器件IGBT。IGBT總體市場(chǎng)是在2018年開(kāi)始接近50億美元,重要的參與者我們也列了一下。IGBT的電壓非常廣,從400V到6500V都有應(yīng)用,因此很難有廠家獨(dú)吞一個(gè)市場(chǎng),所以廠家選自己擅長(zhǎng)的領(lǐng)域做。這是第一梯隊(duì)、第二梯隊(duì)、第三梯隊(duì)。第一梯隊(duì)仍然是infineon、三菱,軌道交通被ABB壟斷,所以很難見(jiàn)到中國(guó)廠商。只是在4500V領(lǐng)域把中車(chē)放進(jìn)去了,但嚴(yán)格來(lái)說(shuō)中車(chē)沒(méi)有大批量量產(chǎn)IGBT。所以整體在IGBT這么大的市場(chǎng)里面,中國(guó)的參與度也比較低。

三、功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

所有的高壓器件,這個(gè)技術(shù)是電子科大提出的,也因?yàn)檫@項(xiàng)工作獲得了中科院的院士資格。這可以寫(xiě)進(jìn)教科書(shū),當(dāng)時(shí)介紹的時(shí)候用了這么一句話,在半導(dǎo)體的歷史上,陳先生把這個(gè)理論給推翻了,在半導(dǎo)體行業(yè)這是第一次。以至于陳先生的工作,正是因?yàn)樗牡旎缘墓ぷ?,使得公司在這個(gè)行業(yè)是非常領(lǐng)先的。從國(guó)內(nèi)來(lái)看,這個(gè)結(jié)構(gòu)看起來(lái)很簡(jiǎn)單,實(shí)際上有兩種,一個(gè)是溝槽,一個(gè)是多次外延和注入。多次外延占了80%的市場(chǎng)份額,因?yàn)樗纳a(chǎn)歷史比較早,在陳院士提出來(lái)以后,他把專(zhuān)利很早提出來(lái)了,但是國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)不了,后來(lái)infineon看了專(zhuān)利以后用了幾年的時(shí)間,1998年就實(shí)現(xiàn)了。所以它的市場(chǎng)化份額開(kāi)始得比較早。

下面是溝槽刻蝕和回填,這就是先挖一個(gè),再填充,這個(gè)工藝現(xiàn)在主要是華虹采取這個(gè)工藝。主要有兩家廠家做,從工藝角度來(lái)說(shuō),華虹的工藝更好。在很深的溝槽里面填充一個(gè)沒(méi)有缺陷的P型單晶是非常有挑戰(zhàn)性的,你可以在市場(chǎng)上看,華虹是非常好。大家有機(jī)會(huì)看看華虹每個(gè)財(cái)季的財(cái)報(bào)都很漂亮,利潤(rùn)很高。再仔細(xì)看業(yè)務(wù)拆分的話,排第一的就是高壓超結(jié)。

下面是低壓的VDMOS,一開(kāi)始也是平面的,再到普通溝槽,然后到現(xiàn)在最熱的SGT,現(xiàn)在是非常熱的。實(shí)際上每一家的斷代都不一樣,但都是從平面的PT結(jié)構(gòu),到最新的PF+RC。從芯片厚度來(lái)說(shuō),頭發(fā)絲直徑30微米,IGBT60V在五六十微米,所以在8寸上面的精度非常高。應(yīng)該來(lái)說(shuō)國(guó)內(nèi)和國(guó)際有兩代到三代的差別,所以目前IGBT落后還是蠻多的。在學(xué)術(shù)界熱的就是寬禁代,在五年之內(nèi)寬禁代碳化硅也會(huì)發(fā)展平穩(wěn),以未來(lái)十年來(lái)看,增長(zhǎng)量會(huì)非常大。今天這個(gè)節(jié)點(diǎn)上,國(guó)內(nèi)碳化硅和氮化鎵剛剛興起。剛才談的是行業(yè)的現(xiàn)狀,現(xiàn)在談中國(guó)的現(xiàn)狀,因?yàn)楸容^分散,數(shù)據(jù)也不好搞,所以很多數(shù)據(jù)是來(lái)自國(guó)外的。這是2012年的一個(gè)報(bào)告,從這個(gè)上面結(jié)合我剛才談的圖,功率器件的市場(chǎng)基本上是在中國(guó),我估計(jì)70%的功率器件在中國(guó)。

四、中國(guó)功率器件發(fā)展現(xiàn)狀

從國(guó)內(nèi)的地域來(lái)看,環(huán)渤海,就是北京和天津,有一些代工廠。天津有一個(gè)中華做得相當(dāng)不錯(cuò)。西部只有西安,西安有龍騰和航天的一些廠。最強(qiáng)在江蘇省,因?yàn)榻K在無(wú)錫和蘇州,尤其是無(wú)錫,號(hào)稱(chēng)是中國(guó)集成電路的黃埔軍校,所以一開(kāi)始底子打得比較好,目前已經(jīng)研制出很多元器件,不管是代工廠還是設(shè)計(jì)公司,很多都在無(wú)錫。深圳現(xiàn)在在功率器件應(yīng)用端更強(qiáng),但是代工廠有一些小的,像中芯、方正。中芯也開(kāi)始在深圳做功率器件,半導(dǎo)體市場(chǎng)本身很火,但是功率器件比半導(dǎo)體更火。

左邊這個(gè)圖重新畫(huà)了一下,是全球主要功率MOSFET份額,中國(guó)廠商在功率器件不到5%,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)加起來(lái)不到10%,所以功率器件絕大部分依賴(lài)進(jìn)口。這是個(gè)問(wèn)題,對(duì)國(guó)內(nèi)也是一個(gè)機(jī)會(huì)。

再看產(chǎn)業(yè)環(huán)境。功率器件在半導(dǎo)體地位愈發(fā)突出。國(guó)務(wù)院提出了中國(guó)制造2025,它的核心就是功率器件。從現(xiàn)在來(lái)說(shuō),功率器件基本上還是歐美日把持,國(guó)內(nèi)廠商相對(duì)來(lái)說(shuō)比較弱小。國(guó)家也應(yīng)該意識(shí)到這個(gè)問(wèn)題了,像NPX,標(biāo)準(zhǔn)器件這部分,可能在國(guó)外警惕性沒(méi)那么高的情況下,被中國(guó)資本拿下來(lái)了。2016年我在的時(shí)候,華潤(rùn)要收購(gòu)相銅(音),我們很多同事也參與了這個(gè)談判。最后的結(jié)局,它也承認(rèn)賣(mài)給你們最好,但因?yàn)檠y(tǒng)不行,哪怕便宜賣(mài)給別人,也不賣(mài)給你。

從功率器件來(lái)看,一個(gè)是汽車(chē),一個(gè)是通訊,都是功率器件的主要推動(dòng)者,而且國(guó)家也把通訊和汽車(chē)作為戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),所以功率器件本身是一個(gè)非常好的行業(yè)。這是士蘭,這是我們的友商,主營(yíng)功率器件,它也做功率IC和規(guī)律模塊,做得相當(dāng)不錯(cuò)。十幾年前,大家也沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò),它現(xiàn)在有6寸廠,8寸線今年投產(chǎn),3月份公布在廈門(mén)還要建12寸的廠。

還有華虹宏力,從技術(shù)來(lái)講,它號(hào)稱(chēng)是最大的8寸功率器件的晶圓代工,但是它主要是晶圓代工。它可能有些客戶(hù)比較高端,但它主要是做代工業(yè)務(wù)。也就是說(shuō)工藝可以做,但是設(shè)計(jì)上還是弱。還有華潤(rùn)微,它的產(chǎn)品線比較全,它的問(wèn)題如何平衡好又做代工,又做IDM模式,如何平衡是它的問(wèn)題。另外是華微,華微是個(gè)IDM廠商,它主要做高壓平面VDMOS和功率三極管,它號(hào)稱(chēng)中國(guó)功率器件最大的上市企業(yè)。新潔能,它更細(xì)節(jié)的是低壓的。還有東微,是最兩年冒出來(lái)的新秀,是一個(gè)設(shè)計(jì)公司,號(hào)稱(chēng)估值將近10億,它主要做高壓超結(jié)。國(guó)內(nèi)還有很多小的代工廠像深?lèi)?ài)、方正、衛(wèi)光,每個(gè)月可能就兩三萬(wàn)片,非常少。還有一些小的功率器件設(shè)計(jì)公司,像韋爾、尚陽(yáng)通,這些公司體量比較小、比較分散。在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái),肯定會(huì)有一個(gè)重組并購(gòu)的過(guò)程,這個(gè)重組并購(gòu)的過(guò)程事實(shí)上在兩年前國(guó)際上已經(jīng)發(fā)生了。可以想象在近幾年,有一些資本進(jìn)入以后,會(huì)有重組并購(gòu)的行為。

功率器件行業(yè),因?yàn)榘雽?dǎo)體行業(yè)非常熱,功率器件作為半導(dǎo)體行業(yè)的分支,它的投資價(jià)值我個(gè)人覺(jué)得是非常好的。為什么呢?如果我們和國(guó)外差幾代,比如我們到28納米大批量生產(chǎn)還是有問(wèn)題,像臺(tái)積電都是7納米,代數(shù)落后非常多。但是功率器件本身來(lái)說(shuō),從硬件水平來(lái)說(shuō),無(wú)論是6寸高壓平面或者是8寸,做一些低壓的,工藝硬件國(guó)內(nèi)本身絕對(duì)能滿足,可以做。最寬的像8寸的,現(xiàn)在面最低的0.18微米,可能到不了納米水平,比如0.5微米可以做,硬件上可以做。在軟件上,經(jīng)過(guò)了近幾年發(fā)展問(wèn)題也不大了。在五六年前,最初的平面的VDMOS,經(jīng)常能看到國(guó)外公司。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展,我們已經(jīng)把它給擠走了。甚至ST在深圳的封裝廠,已經(jīng)倒閉了,所以人才的問(wèn)題也不大。更重要的是功率器件產(chǎn)業(yè)鏈在中國(guó),電子設(shè)備、家用設(shè)備,功率器件很多廠商在中國(guó),中國(guó)就有主場(chǎng)之利,產(chǎn)品設(shè)計(jì)起來(lái)更快。從這上面來(lái)看,應(yīng)該是一個(gè)好的方向。最近因?yàn)楣ぷ鞯年P(guān)系,我去***和韓國(guó)做了相關(guān)的技術(shù)交流,從同行的角度來(lái)說(shuō),他們的危機(jī)感非常強(qiáng),他們認(rèn)為在近幾年功率器件研發(fā)、銷(xiāo)售,很快會(huì)往大陸方面轉(zhuǎn)移。

所以總體而言,半導(dǎo)體行業(yè)我們和國(guó)外還有不小的差距。但應(yīng)該看到最先接軌的部分,就是最先趕上國(guó)外的部分在功率器件上。因?yàn)橛布](méi)有問(wèn)題,軟件上也培養(yǎng)了很多人才。所以這個(gè)投資方向,是很好的。

五、龍騰半導(dǎo)體功率器件簡(jiǎn)介

下面我把龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品給介紹一下。龍騰總部在西安,我們有77項(xiàng)專(zhuān)利,而且大部分是發(fā)明專(zhuān)利。下一代的碳化硅,我們也參與了國(guó)家的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。我們承擔(dān)了2011年國(guó)家電力電子專(zhuān)題項(xiàng)目。我們的產(chǎn)品是功率器件,主流的功率器件我們都做,第一類(lèi)就是低壓的溝槽的VDMOS和SGT產(chǎn)品,高壓超結(jié)和高壓平面DMOS我們也做,另外是600V、1200VFS IGBT產(chǎn)品。

這是種低壓MOSFET,普通的溝槽,比如100V以下,不管是N的還是P的,普通的低壓的MOSFET我們都成熟了。這個(gè)技術(shù)水平也非常接近也能達(dá)到和國(guó)際主流了,而且我相信和國(guó)內(nèi)的友商一起合作,幾年之內(nèi)國(guó)產(chǎn)份額會(huì)比現(xiàn)在有明顯的提高。另外低壓的SGT,這是比較高端的,到現(xiàn)在100V、30V、40V,我們處在上量的階段,當(dāng)然以后還要做120V、50V,現(xiàn)在100V馬上就要量產(chǎn)。我們有超壓超結(jié)的MOSFET,也比較成熟,經(jīng)過(guò)國(guó)內(nèi)各個(gè)廠商的努力,在中國(guó)市場(chǎng)基本已經(jīng)失敗了。華虹是2.5代,有一個(gè)參數(shù)RSP,這個(gè)越小越好。我們以650V為例,我們是18.7,在國(guó)內(nèi)也是非常領(lǐng)先的。

另一個(gè)是IGBT,IGBT有600V和1200V平臺(tái),基本上是國(guó)際主流平臺(tái)。從效率來(lái)看,也沒(méi)有太大問(wèn)題。所以整體來(lái)看,龍騰產(chǎn)品基本上接近國(guó)際主流水準(zhǔn)。所以有機(jī)會(huì)歡迎大家去西安龍騰,大家去視察一下,我的報(bào)告講到這里,謝謝大家。

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原文標(biāo)題:功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及機(jī)遇

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    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?795次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    開(kāi)關(guān)電源的最新技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

    開(kāi)關(guān)電源作為電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,其技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)一直備受關(guān)注。以下是開(kāi)關(guān)電源的最新技術(shù)發(fā)展趨勢(shì): 一、高頻化 高頻化是提高開(kāi)關(guān)電源效率和功率密度、降低體積和重量的重要途徑。隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高
    的頭像 發(fā)表于 11-20 10:46 ?2603次閱讀

    環(huán)保型 SMT 元器件發(fā)展趨勢(shì)

    隨著科技的不斷進(jìn)步和環(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng),環(huán)保型 SMT 元器件發(fā)展受到了廣泛關(guān)注。其發(fā)展趨勢(shì)在多個(gè)方面呈現(xiàn)出顯著的特點(diǎn),這些趨勢(shì)不僅對(duì)電子制造業(yè)的可持續(xù)
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:29 ?599次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景,成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度,深入探討碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?1108次閱讀

    智能駕駛技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

    智能駕駛技術(shù)是當(dāng)前汽車(chē)行業(yè)的重要發(fā)展趨勢(shì)之一,它融合了傳感器技術(shù)、人工智能、大數(shù)據(jù)和云計(jì)算等多種先進(jìn)技術(shù),旨在實(shí)現(xiàn)車(chē)輛的自主駕駛和智能化管理。以下是對(duì)智能駕駛
    的頭像 發(fā)表于 10-23 15:41 ?1924次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

    碳化硅(SiC)功率器件是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:59 ?710次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)越性能

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率器件在高溫
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1438次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來(lái)了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?1349次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的原理簡(jiǎn)述

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1164次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅功率器件發(fā)展趨勢(shì)

    隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性,使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:41 ?927次閱讀