0 引言

隨著物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，射頻識(shí)別芯片RFID迎來了爆發(fā)式的增長(zhǎng)需求，EEPROM作為RFID芯片中核心部件，也被提出了低電源電壓、高密度、高可靠性等要求。隨著工藝尺寸的進(jìn)一步減小，電路的工作電壓也在不斷降低，但是EEPROM的擦寫操作需要的15 V高壓一直不變，其中15.5 V高壓器件的閾值電壓接近于EEPROM的正常工作電壓[1-3]；另外，存儲(chǔ)單元的擦寫電壓窗口隨溫度的降低而減小，降低了芯片在低溫條件下的可靠性。基于以上原因，設(shè)計(jì)了一款可以工作在低電源電壓條件下，同時(shí)產(chǎn)生具有溫度補(bǔ)償特性的擦寫高壓的電荷泵電路；通過對(duì)高壓電路的設(shè)計(jì)改進(jìn)，提升了EEPROM的可靠性。

本設(shè)計(jì)的高壓產(chǎn)生電路如圖1所示，包括時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路、電壓倍乘電路、電荷泵電路以及電壓穩(wěn)壓電路。電壓倍乘電路將最低為1.3 V的電源電壓倍乘，用來驅(qū)動(dòng)高壓電荷泵電路。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生30 MHz的非交疊兩相時(shí)鐘用來驅(qū)動(dòng)電荷泵。電荷泵電路通過從電壓倍乘電路抽取電荷產(chǎn)生15 V的高壓。電壓穩(wěn)壓電路包括分壓電路和比較器，實(shí)現(xiàn)高壓電荷泵的輸出高壓穩(wěn)定在15 V，同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)反饋控制信號(hào)VFLAG。

當(dāng)電荷泵輸出高壓大于15 V時(shí)，分壓電路得到的反饋電壓大于基準(zhǔn)電壓，VFLAG等于0，控制時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路停止工作。同樣，當(dāng)電荷泵輸出高壓小于15 V時(shí)，反饋信號(hào)小于基準(zhǔn)電壓，VFLAG等于電源電壓，控制時(shí)鐘電路開始工作，使得電荷泵輸出高壓上升，從而實(shí)現(xiàn)輸出高壓穩(wěn)定在一個(gè)合理的設(shè)計(jì)值。

電荷泵是高壓產(chǎn)生電路中的核心部件。最早的片上電荷泵電路基于Dickson結(jié)構(gòu)[4]，該結(jié)構(gòu)采用電容實(shí)現(xiàn)電荷從上一級(jí)傳遞到下一級(jí)；然而，器件的高閾值電壓及其體效應(yīng)限制了電荷泵的增益，因此該結(jié)構(gòu)不適用于低電源電壓環(huán)境。

本論文中，采用電壓倍乘電路，得到兩倍于電源的電壓用來驅(qū)動(dòng)主電荷泵電路，實(shí)現(xiàn)了高壓產(chǎn)生電路的低電源電壓工作[5]。同時(shí)，采用具有負(fù)溫度系數(shù)特性的分壓電路，實(shí)現(xiàn)電荷泵電路輸出電壓的負(fù)溫度特性，解決了EEPROM在低溫條件下可靠性降低的問題。

1 升壓電路

1.1 電壓倍乘電路

圖2中，M1、M2是交叉連接的Native NMOS器件，其漏端neta、netb分別通過各自的電荷泵電容C1、C2連接至?xí)r鐘CLK及其不交疊反相時(shí)鐘CLKB。PMOS器件M5、M6為所有PMOS器件M3~M6提供合適的襯底電壓。M3、M4交叉連接構(gòu)成輸出級(jí)。當(dāng)CLK為低電平時(shí)，M1、M3導(dǎo)通，M2、M4截止，此時(shí)節(jié)點(diǎn)neta的電壓等于輸入電壓VIN。當(dāng)CLK出現(xiàn)上升沿后，M1~M4全部截止，由于neta沒有充、放電通道，其電壓被抬高至VIN+VCLK，其中VCLK為時(shí)鐘CLK的幅度。因此，M1、M3截止，M2、M4導(dǎo)通。理想條件下，VOUT等于兩倍的電源電壓。該電路具有內(nèi)部節(jié)點(diǎn)電壓不隨時(shí)鐘信號(hào)跳變而大幅度變化的特點(diǎn)。

1.2 電荷泵電路

電壓倍乘電路都有一個(gè)輸入電壓和一個(gè)輸出電壓，結(jié)果等于VOUT=VIN+VCLK。在理想情況下，將N個(gè)電壓倍乘電路作為子單元級(jí)聯(lián)起來就可以得到大小為(N+1)·VDD的電壓[6]。高壓電荷泵電路如圖3所示。

本設(shè)計(jì)中，電荷泵電路由10級(jí)電壓倍乘電路組成，其中第一級(jí)的輸入電壓為VDD，所有級(jí)的時(shí)鐘電壓幅度為電壓倍乘電路的輸出電壓，約為2·VDD。

因此，理想條件下電荷泵輸出電壓VPPH的理想值為：

由于體效應(yīng)、高壓漏電等非理想因素的影響，電荷泵的輸出高壓達(dá)不到式(1)中的理想值。

1.3 電壓穩(wěn)壓電路

為了防止過高的高壓損壞存儲(chǔ)器件，降低EEPROM的可靠性，需要穩(wěn)定電荷泵的輸出高壓。通常在高壓產(chǎn)生電路中增加電壓穩(wěn)壓電路，如圖1所示。當(dāng)分壓電路產(chǎn)生的反饋信號(hào)VFB高于帶隙基準(zhǔn)源產(chǎn)生的參考電壓VREF時(shí)，比較器輸出邏輯‘0’，關(guān)閉電荷泵電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘。同樣，當(dāng)反饋信號(hào)低于VREF時(shí)，比較器輸出邏輯‘1’，時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路、電荷泵正常工作。

為實(shí)現(xiàn)高壓信號(hào)VPPH與溫度負(fù)相關(guān)，設(shè)計(jì)了分壓比隨溫度變化的分壓電路。當(dāng)溫度升高時(shí)，分壓電路中的二極管壓降減小，而溫度升高時(shí)，二極管壓降升高，使得VPPH隨溫度的升高而降低。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

2.1 仿真結(jié)果

本文中的高壓產(chǎn)生電路在0.13 μm CMOS Embedded EEPROM工藝上實(shí)現(xiàn)，工作最小電壓1.3 V，時(shí)鐘頻率30 MHz，負(fù)載電容為50 pF。

高壓產(chǎn)生電路VPPH的仿真結(jié)果如圖4所示，其中VBOOST信號(hào)為電壓倍乘電路的輸出電壓，用來向高壓電荷泵中電容提供電荷的驅(qū)動(dòng)電壓；VPPH的大小為15 V。

2.2 測(cè)試結(jié)果

高壓產(chǎn)生電路作為EEPROM的一部分已經(jīng)在0.13 μm CMOS Embedded工藝上完成制備，面積大小為800 μm×60 μm。

圖5顯示了高壓產(chǎn)生電路的高壓輸出VPPH隨溫度變化的測(cè)量結(jié)果?？梢钥吹剑妷篤PPH在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)(-40 ℃~85 ℃)，隨溫度線性變化約為200 mV，提升了存儲(chǔ)器在低溫下的擦寫窗口，使得存儲(chǔ)器的低溫可靠性得到提升。

3 結(jié)論

在本文中，設(shè)計(jì)并制備了一個(gè)應(yīng)用于EEPROM的低電源電壓工作的高壓產(chǎn)生電路。測(cè)量結(jié)果顯示電荷泵在1.3 V~1.65 V的電源下正常工作；同時(shí)采用負(fù)溫度特性的電壓分壓電路，實(shí)現(xiàn)電荷泵的高壓輸出具有負(fù)溫度特性，補(bǔ)償了存儲(chǔ)器件的電壓窗口隨溫度變化的問題，提升了低溫條件下的存儲(chǔ)器可靠性。