現(xiàn)代計算機運算系統(tǒng)主要由進行運算的中央處理器(CPU)、臨時儲存運算數(shù)據(jù)的主存儲器(RAM)及儲存裝置構(gòu)成，然而此種方式卻有一個缺點，就是無論CPU運算速度多快，仍受限RAM及儲存速度。為了提升計算機運算速度與功能，韓國業(yè)界正努力朝向存儲器中心的運算邁進。

綜合多家韓媒的報導，目前計算機設(shè)計結(jié)構(gòu)大致分為CPU、RAM與儲存裝置，但未來可望朝CPU與儲存級存儲器(Storage Class Memory；SCM)轉(zhuǎn)換。SCM又被稱為持久型存儲器，一方面維持DRAM速度，但又具有關(guān)閉電源后，數(shù)據(jù)不會消失的非揮發(fā)性與高容量優(yōu)點。

近來英特爾(Intel)在現(xiàn)有CPU競爭實力基礎(chǔ)上，開始朝存儲器領(lǐng)域發(fā)展，反之存儲器業(yè)者三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)為守護固有傳統(tǒng)領(lǐng)域，則打算提出新標準規(guī)格因應。全球服務(wù)器大廠慧與科技(HPE)，則是計劃與全球頂尖半導體及軟件業(yè)者合作，開發(fā)新存儲器接口架構(gòu)。另一方面，韓國政府似乎也注意到這樣的趨勢，決定展開國家級存儲器中心的運算架構(gòu)研究計劃。

韓國業(yè)界最近傳出消息，指出固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)計劃在2018年之內(nèi)，提出非揮發(fā)性雙列直插式存儲器模塊P(NVDIMM-P)標準，這套標準由三星、SK海力士等存儲器業(yè)者主導。

NVDIMM可視為具有備份功能的DRAM模塊，與非揮發(fā)性存儲器NAND Flash或PRAM結(jié)合，成為一種混合存儲器模塊，如果發(fā)生無預警斷電時，仍可安全儲存數(shù)據(jù)或進行復原動作，對于需要大容量及非揮發(fā)性需求的部分服務(wù)器市場而言，具有相當程度吸引力。

SK海力士多年來，一直研發(fā)DRAM解決方案MDS(Managed DRAM Solution)，目前的目標是透過與NVDIMM-P結(jié)合，持續(xù)進行技術(shù)研發(fā)。SK海力士提出自創(chuàng)DRAM技術(shù)標準MDS，相較于一般泛用型DRAM，速度雖然較慢，但容量大、價格低為主要優(yōu)點。

三星2015年投資270億韓元(約2,523萬美元)，予美國專門研發(fā)NVDIMM的企業(yè)Netlist，用以確保NVDIMM相關(guān)技術(shù)。此外，為了克服存儲器本身極限，三星2018年初也啟動名為儲存處理(In Storage Processing；ISP)的中長期計劃，不僅三星本身投入研發(fā)，三星也大手筆支持韓國科學技術(shù)院(KAIST)、首爾大學等約3~5年不等的研究計劃。

英特爾與美光(Micron)則是瞄準服務(wù)器市場，共同開發(fā)名為Optane的3D-Xpoint。稍早，英特爾進一步宣布，推出新的Optane DC，可支持數(shù)據(jù)中心大量儲存空間及滿足業(yè)界對速度的殷殷需求。

全球服務(wù)器大廠慧與科技也攜手三星、SK海力士、美光(Micron)、超微(AMD)、安謀(ARM)及Dell EMC等業(yè)者，共同開發(fā)名為「Gen-Z」的存儲器中心運算技術(shù)，期望透過將許多SCM合而為一個巨大共享存儲器池，透過數(shù)據(jù)并列大幅提升處理速度。

目前除了以CPU為中心拓展存儲器市場的英特爾，以及致力透過存儲器提升運算功能的三星、SK海力士，韓國政府似乎也注意到這個發(fā)展趨勢，因此展開許多研究計劃。

最近韓國電子通訊研究院(ETRI)就決定與Tera Technology、KTNF及韓國計算機運算協(xié)會等展開合作，進行存儲器為中心的次世代計算機運算系統(tǒng)架構(gòu)研發(fā)，這項研發(fā)計劃稱之為MOCA，韓國政府總支持金額為135億韓元，2018年預計提撥13億韓元，目標是在2025年完成計劃。