近日華燦光電在互動平臺上簡要談到其在mini LED芯片方面取得的一些進展。

華燦光電表示，在mini RGB方面，華燦光電采用的是結構更加穩(wěn)定的DBR+ITO結構的倒裝芯片，并且在芯片臺階以及側壁做了絕緣層的優(yōu)化，進一步的提高了芯片的可靠性。另外還特別針對mini紅光LED芯片的襯底轉移技術進行了優(yōu)化，提升整體良率的同時提升了可靠性。

華燦光電表示，mini RGB芯片目前已經實現量產，并且已經成為國內外幾個主要下游玩家的供應商。在mini BLU方面，為了實現超薄背光模組的均勻混光，華燦光電同國內外下游以及終端廠家配合開發(fā)容易實現均勻混光的LED芯片。目前，華燦光電的mini BLU常規(guī)芯片可以實現量產，并且已經切入幾個重要下游客戶的供應鏈。

華燦光電還就當前幾種轉移技術的發(fā)展情況做了如下討論：

根據現在市場上比較常規(guī)的定義，mini LED是指用于顯示應用的芯片尺寸在80-300um之間的基于倒裝結構LED芯片。

Mini LED在顯示上主要有兩種應用，一種是作為自發(fā)光LED顯示（下稱mini RGB），由于封裝形式上不需要打金線，相比于正裝小間距LED，即使在同樣的芯片尺寸上mini LED也可以做更小的顯示點間距。另外一種是在背光上的應用（下稱mini BLU）。相比于傳統的背光LED模組，mini LED背光模組將采用更加密集的芯片排布來減少混光距離，做到超薄的光源模組。

Mini LED無論在哪種應用中，都涉及到對大量LED芯片的轉移。目前針對micro LED開發(fā)的巨量轉移技術，包括Luxvue 采用靜電力，ITRI采用的電磁力，Xceleprint 采用的范德華力，原則上都能用于mini LED芯片的轉移。但是目前這些轉移技術都需要對包括轉移頭，轉移設備做特殊的設計制作，技術上也并沒有完全成熟和公開，制作成本相對較高。

Mini LED相比于micro LED，首先有相對較大的芯片尺寸， 而且?guī)в懈佑操|的襯底。因此mini LED的轉移有更高的精度容忍度，并且芯片由于帶有襯底對芯片的拾取操作上有更多的靈活性?；趍ini LED的這些特點，各家也都有在開發(fā)mini LED相關的轉移技術。目前比較容易達成量產的幾個技術分別如圖。

第一個是從現有的pick and place設備上做改進，設置多個的pick up heads來增加拾取和放置的效率。這種方案技術難度不是特別大，容易實現量產，但是產能上只能做到倍數上的成長，無法實現數量級上的增加。

第二種方案是把放置有芯片的臨時性基板和最終的背板相對放置，利用頂針直接把芯片頂出藍膜放置到最終基板上。相比于第一種的pick and place方案，這種方案減免了擺臂的來回運行，提高了轉移效率。如果芯片在藍膜上放置位置同最終背板的控制電極位置一致，配合上多頂針的方式，能夠實現巨量轉移技術，從數量級上提升轉移效率。

第三種方案同第二種方案類似，芯片放置于UV膜上并且芯片位置同背板的控制電極位置相對放置，然后通過UV光把LED芯片選擇性的或者整面的轉移到最終背板上面。這種方案基本上能實現真正的巨量轉移技術，但是對芯片分選到UV膜上時的擺放精度有一定的需求。