一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

熱功率器件設(shè)計(jì)的方案介紹

Intersil視頻 ? 作者:工程師余飛宇 ? 2018-06-23 11:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Intersil
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    229

    瀏覽量

    73688
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——等效模型

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 12-03 01:03 ?1453次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——<b class='flag-5'>熱</b>等效模型

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1729次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體的<b class='flag-5'>熱</b>阻

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)測(cè)量

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 11-26 01:02 ?1502次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)<b class='flag-5'>熱</b>測(cè)量

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 12-16 17:22 ?1197次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

    功率器件損耗計(jì)算和選型要求

    對(duì)于常見(jiàn)功率器件,整流橋,電解電容,IGBT,MOS管,這些功率器件損耗功率該怎么計(jì)算? 尤
    發(fā)表于 06-12 16:44

    功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    當(dāng)前,電子設(shè)備的主要失效形式就是失效。據(jù)統(tǒng)計(jì),電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過(guò)規(guī)定值引起的,隨著溫度的增加,電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長(zhǎng)。所以,功率器件設(shè)計(jì)是電子設(shè)
    發(fā)表于 10-09 14:09 ?8388次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
    發(fā)表于 01-14 11:17 ?70次下載

    設(shè)計(jì)功率器件要考慮的因素

    白板向?qū)?功率器件設(shè)計(jì)中的幾點(diǎn)思考視頻教程
    的頭像 發(fā)表于 06-26 07:35 ?4485次閱讀

    功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    本文介紹功率器件的熱性能參數(shù),并根據(jù)實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn),闡述了功率器件設(shè)計(jì)方法和散熱器的合理選擇
    發(fā)表于 06-20 10:56 ?14次下載

    功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-13 09:21 ?3次下載
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——阻的串聯(lián)和并聯(lián)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 10-29 08:02 ?917次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——<b class='flag-5'>熱</b>阻的串聯(lián)和并聯(lián)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?983次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?794次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1027次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>熱</b>設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

    功率器件設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:17 ?763次閱讀