6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。

據(jù)介紹，英諾賽科由海歸創(chuàng)業(yè)團隊創(chuàng)立，專注于寬禁帶半導體技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè)，掌握多項核心專利技術(shù)。2017年年底，英諾賽科在珠海成功建設(shè)完成了我國首條八英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，實現(xiàn)了歷史性的突破，填補了我國在這一領(lǐng)域的空白。

開工儀式上，吳江區(qū)副區(qū)長、汾湖高新區(qū)黨工委副書記、管委會主任吳琦表示，英諾賽科蘇州半導體項目的建設(shè)，將有助于相關(guān)上下游企業(yè)向吳江集聚靠攏，形成產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)，將汾湖高新區(qū)打造成為一個世界級的先進半導體研發(fā)與生產(chǎn)中心。吳江將積極支持英諾賽科寬禁帶半導體項目的建設(shè)，并為海歸創(chuàng)業(yè)人士創(chuàng)造有利的政策環(huán)境，共同推進高端芯片的國產(chǎn)化。

英諾賽科CEO孫在亨表示，目前，在氮化鎵的電子電力器件及射頻器件，尤其是硅基氮化鎵領(lǐng)域，我國還未能實現(xiàn)國產(chǎn)化。該項目的落地，就是要打破這樣的局面、填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。同時，該項目也是該領(lǐng)域全球首個大型量產(chǎn)基地，單月滿產(chǎn)可達6-8萬片，為5G移動通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和其他轉(zhuǎn)型升級行業(yè)提供先進、高效、節(jié)能和低成本的核心電子元器件。