RAS：Row Address Strobe，行地址選通脈沖；

CAS：Column Address Strobe，列地址選通脈沖；

tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延遲；

CL： CAS Latency，CAS潛伏期（又稱讀取潛伏期），從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間段；

RL：Read Latency,讀取潛伏期；

tAC： Access Time from CLK,時(shí)鐘觸發(fā)后的訪問(wèn)時(shí)間，從數(shù)據(jù)I/O總線上有數(shù)據(jù)輸出之前的一個(gè)時(shí)鐘上升沿開(kāi)始到數(shù)據(jù)傳到I/O總線上止的這段時(shí)間；

tWR： Write Recovery Time,寫回，保證數(shù)據(jù)的可靠寫入而留出足夠的寫入/校正時(shí)間，被用來(lái)表明對(duì)同一個(gè)bank的最后有效操作到預(yù)充電命令之間的時(shí)間量；

BL： Burst Lengths,突發(fā)長(zhǎng)度，突發(fā)是指在同一行中相鄰的存儲(chǔ)單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞剑B續(xù)傳輸所涉及到存儲(chǔ)單元（列）的數(shù)量就是突發(fā)長(zhǎng)度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指連續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)；

Precharge：L-Bank關(guān)閉現(xiàn)有工作行，準(zhǔn)備打開(kāi)新行的操作；

tRP：Precharge command period，預(yù)充電有效周期，在發(fā)出預(yù)充電命令之后，要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間才能允許發(fā)送RAS行有效命令打開(kāi)新的工作行；

AL：Additive Latency，附加潛伏期（DDR2）；

WL：Write Latency，寫入命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸入的潛伏期；

tRAS: Active to Precharge Command，行有效至預(yù)充電命令間隔周期；

tDQSS： WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相對(duì)于寫入命令的延遲時(shí)間；

邏輯Bank

SDRAM的內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，要想準(zhǔn)確地找到所需的存儲(chǔ)單元就先指定一個(gè)（row）,再指定一個(gè)列（Column）,這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。

芯片位寬

SDRAM內(nèi)存芯片一次傳輸率的數(shù)據(jù)量就是芯片位寬，那么這個(gè)存儲(chǔ)單元的容量就是芯片的位寬（也是L-Bank的位寬）；

存儲(chǔ)單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)（得到一個(gè)L-Bank的存儲(chǔ)單元數(shù)量）*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是該芯片中存儲(chǔ)單元的總數(shù)，單位是兆（英文簡(jiǎn)寫M，精確值是1048576），W代表每個(gè)存儲(chǔ)單元的容量，也就是SDRAM芯片的位寬，單位是bit；

DDR SDRAM內(nèi)部存儲(chǔ)單元容量是芯片位寬（芯片I/O口位寬）的一倍；

DDR2 SDRAM內(nèi)部存儲(chǔ)單元容量是芯片位寬的四倍；

DDR3 SDRAM內(nèi)部存儲(chǔ)單元容量是芯片位寬的八倍；

DDR4 SDRAM內(nèi)部存儲(chǔ)單元容量是芯片位寬的八倍。