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半導(dǎo)體線性演進(jìn)思維下的盲點

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-06-20 14:55 ? 次閱讀
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eMRAM下半年要量產(chǎn)了。有趣的是這些即將要量產(chǎn)eMRAM的代工大廠中,其MRAM技術(shù)或多或少是購并或授權(quán)而來的。

先是三星電子(Samsung Electronics)在2011年購并了Grandis-一家發(fā)明STT MRAM的公司,值得注意的是三星讓它先加入存儲器部門的運行,最早的想法是讓MRAM成為DRAM的替代品。在當(dāng)時的技術(shù)條件下,這是近乎不可能完成的任務(wù)。

臺積電與高通(Qualcomm)的MRAM合作起始甚早,在2009年就發(fā)表45nm的嵌入式制程。中間斷斷續(xù)續(xù)的做了幾年,在2016年與TDK Headway合作后再重新拾起研發(fā)動量。GlobalFoundries也是在2016年與Everspin合作后,加入eMRAM研發(fā)的行列。后續(xù)的相同模式還有聯(lián)電與Avalanche和力晶與IBM。

這里面除了IBM之外,掌握MRAM技術(shù)的公司都是新創(chuàng)的小公司。就連已有產(chǎn)品在市場銷售多年的Everspin,最近的季報才接近損益兩平,其市值有人估算在2.5億美元左右,都是不折不扣的小公司。

MRAM并不是最近才有的技術(shù)。我有個朋友從事此領(lǐng)域研發(fā)已有23年,并且早在2010年就出過書,我10余年前也曾經(jīng)在DIGITIMES介紹過MRAM。到現(xiàn)在為止,eMRAM制程已成為邏輯代工不可或缺的先進(jìn)制程技術(shù),甚至于在stand-alone存儲器領(lǐng)域,由于DRAM制程在1y以后進(jìn)展舉步維艱、MRAM的寫入電流大幅降低,MRAM進(jìn)入純存儲器領(lǐng)域再也不是遙不可及。

在這樣重要的領(lǐng)域,為什么半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)沒有及早投入呢?自然,合并與收購也是大企業(yè)快速取得技術(shù)、產(chǎn)品和市場的手段,制藥領(lǐng)域就有很多知名的例子。但是與制藥產(chǎn)業(yè)不同的是半導(dǎo)體并沒有很多的新產(chǎn)品、或新技術(shù)多到無法涵蓋。以存儲器而言,再早10年新存儲器的候選技術(shù)也只是MRAM、PCRAM和ReRAM等幾種。核心技術(shù)由內(nèi)部發(fā)展和由外部收購、授權(quán)在量產(chǎn)時程上和融入的程度會有很大的差異。

會出現(xiàn)這種尷尬狀況的理由可能是半導(dǎo)體業(yè)界,尤其是已于其中浸潤數(shù)十年的管理層人員,已經(jīng)太習(xí)慣于摩爾定律的線性演進(jìn)思維。摩爾定律有既定的演進(jìn)方向以及必然帶來的經(jīng)濟(jì)效益-每代每個晶粒成本大約下降30%,以及一定會買單的顧客和市場。除了在這個既定的航程上精益求精之外,對于新興的材料、元件和技術(shù),通常感覺是持疑。我最常聽到的話是「我們是不見兔子不撒鷹」。

可是摩爾定律開始放緩,除了3D制程可能還有類似摩爾定律的節(jié)奏外,其它的半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)增值方式變得很多元。而且從科學(xué)轉(zhuǎn)為科技的速度來的又快又急,跟MRAM技術(shù)相關(guān)的諾貝爾獎2007才頒發(fā),11年后就商業(yè)量產(chǎn)。見了免子再撒鷹,怕是來不及了!怎樣改變研發(fā)策略、整頓研發(fā)結(jié)構(gòu)、重新分配研發(fā)資源恐怕已經(jīng)是刻不容緩的事。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【名家專欄】半導(dǎo)體線性演進(jìn)思維下的盲點

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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