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介紹動(dòng)態(tài)ODT模式

SwM2_ChinaAET ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-26 08:53 ? 次閱讀
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首先舉一個(gè)例子:

早期的DDR(注:DDR2開(kāi)始支持ODT功能),當(dāng)向內(nèi)存寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí),如果只有一條內(nèi)存,那么這條內(nèi)存就自己進(jìn)行信號(hào)的終結(jié),終結(jié)電阻等效為150Ω。如果為兩條內(nèi)存,那么他們會(huì)交錯(cuò)的進(jìn)行信號(hào)的 終結(jié)。第一個(gè)模組工作時(shí),第二個(gè)模組進(jìn)行終結(jié)操作,等第二個(gè)模組工作時(shí),第一個(gè)模組進(jìn)行終結(jié)操作,但等效電阻為75Ω。當(dāng)有三條內(nèi)存的時(shí)候,三條會(huì)交替進(jìn) 行信號(hào)終結(jié),但等效電阻為50Ω。對(duì)于省略終端電阻的DIMM(因?yàn)橹С諳DT,所以可以省略),也是同樣的道理。假設(shè)使用同步模式ODT,且終結(jié)電阻被設(shè)置為150Ω,當(dāng)向內(nèi)存寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí),如果只有一個(gè)內(nèi)存顆粒,那么這條內(nèi)存就自己進(jìn)行信號(hào)的終結(jié),終結(jié)電阻等效為150Ω。

如果為兩個(gè)內(nèi)存顆粒,那么他們會(huì)交錯(cuò)的進(jìn)行信號(hào)的 終結(jié)。第一個(gè)內(nèi)存顆粒工作時(shí),第二個(gè)內(nèi)存顆粒進(jìn)行終結(jié)操作,等第二個(gè)內(nèi)存顆粒工作時(shí),第一個(gè)內(nèi)存顆粒進(jìn)行終結(jié)操作,但等效電阻為75Ω。當(dāng)有三個(gè)內(nèi)存顆粒的時(shí)候,三個(gè)會(huì)交替進(jìn)行信號(hào)終結(jié),但等效電阻為50Ω。

這樣一來(lái),信號(hào)完整性就會(huì)受到不同程度的影響,為了能夠保持等效電阻一致,我們希望ODT的RTT(終結(jié)電阻)是可以動(dòng)態(tài)修改的,而不需要每次都要通過(guò)MRS Command進(jìn)行修改。這就是接下來(lái)要介紹的動(dòng)態(tài)ODT模式。

當(dāng)MR2寄存器中的A9和A10位被置位為1,動(dòng)態(tài)ODT模式將會(huì)被啟用。具體的功能描述如下:

? Two RTT values are available: RTT_Nom and RTT_WR.– The value for RTT_Nom is preselected via bits A[9,6,2] in MR1.– The value for RTT_WR is preselected via bits A[10,9] in MR2.? During operation without write commands, the termination is controlled as follows:– Nominal termination strength RTT_Nom is selected.– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and latencies ODTLon and ODTLoff.? When a write command (WR, WRA, WRS4, WRS8, WRAS4, WRAS8) is registered, and if DynamicODT is enabled, the termination is controlled as follows:– A latency ODTLcnw after the write command, termination strength RTT_WR is selected.– A latency ODTLcwn8 (for BL8, fixed by MRS or selected OTF) or ODTLcwn4 (for BC4, fixed by MRS

or selected OTF) after the write command, termination strength RTT_Nom is selected.– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and ODTLon, ODTLoff.

需要注意的是,動(dòng)態(tài)ODT并不支持DLL-off模式,用戶必須通過(guò)設(shè)置MR2{A10, A9}={0,0},來(lái)禁用動(dòng)態(tài)ODT功能。

由于時(shí)序圖比較長(zhǎng),為了防止圖像壓縮后變得不清晰,所以改成了pdf文件的形式。

DynamicODT.pdf

異步ODT功能因?yàn)槭褂玫念l率較低,此處不再詳細(xì)介紹。

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原文標(biāo)題:【博文連載】DDR3中的ODT動(dòng)態(tài)模式詳解

文章出處:【微信號(hào):ChinaAET,微信公眾號(hào):電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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