半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年繳出令人喜出望外的成績單，整體營收首度突破4,000億美元關(guān)卡，打破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已是成熟產(chǎn)業(yè)的看法。但這波景氣熱潮還沒結(jié)束，半導(dǎo)體營收規(guī)模將繼續(xù)刷新歷史紀(jì)錄，只是成長速度略為收斂，預(yù)估到2019年時(shí)，全球半導(dǎo)體營收將挑戰(zhàn)5,000億美元大關(guān)。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收在2017年繳出高達(dá)20%年成長的超亮眼成績，不僅打破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是成熟產(chǎn)業(yè)，未來成長空間有限的看法，同時(shí)營收規(guī)模也一舉突破4,000億美元大關(guān)。這個(gè)數(shù)字令許多研究機(jī)構(gòu)和市場人士跌破眼鏡，因?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)近10年來，除金融海嘯壓低基期，導(dǎo)致2010年成長率暴增到超過30%之外，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收年成長率多半在10%以下，甚至一度出現(xiàn)1%的微幅衰退。因此，2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的經(jīng)營表現(xiàn)，確實(shí)是可圈可點(diǎn)。

記憶體市場回歸常態(tài)產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍然健康

展望2018與2019兩年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將繼續(xù)成長，惟成長率將放緩到8%與6%，回歸正常水準(zhǔn)。營收規(guī)模則會(huì)繼續(xù)刷新歷史紀(jì)錄，2019年可望挑戰(zhàn)5,000億美元。不過，也有研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長率仍將維持16%高檔，但SEMI認(rèn)為，考量到記憶體市場價(jià)格回落到正常水準(zhǔn)，8%應(yīng)該是較為合理的預(yù)期。

記憶體是2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的火車頭，不論是DRAM或NAND Flash，報(bào)價(jià)均持續(xù)處于高檔，每家DRAM跟NAND Flash業(yè)者的營收也跟著寫下歷史新高。三星電子(Samsung Electronics)更因此擠下英特爾(Intel)，成為全球營收規(guī)模最大的半導(dǎo)體業(yè)者。

不過，隨著時(shí)序進(jìn)入2018年，目前NAND Flash價(jià)格已經(jīng)下滑，DRAM價(jià)格則很可能在2018年下半到2019年初因新產(chǎn)能大量開出而向下修正。這也意味著這波記憶體景氣循環(huán)的最高點(diǎn)已經(jīng)過去。

SEMI認(rèn)為，在記憶體價(jià)格修正的影響下，2018年與2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收的成長幅度將比較接近正常水準(zhǔn)，不容易再出現(xiàn)超過10%的成長幅度。但這并不表示記憶體產(chǎn)業(yè)的好日子已經(jīng)結(jié)束了。以NAND Flash來看，目前該產(chǎn)品價(jià)格下修，主要是反映制造成本下滑，而非業(yè)者之間的殺價(jià)競爭；DRAM價(jià)格將出現(xiàn)松動(dòng)，也是新產(chǎn)能加入后的必然結(jié)果。由于記憶體業(yè)者對(duì)產(chǎn)能的投資相當(dāng)理性，因此相關(guān)業(yè)者的利潤空間還是能守住基本盤。

除了記憶體之外，光電、感測器、離散元件(Discrete)與類比元件在2017年也有不錯(cuò)的表現(xiàn)，且在物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能與汽車電子等應(yīng)用蓬勃發(fā)展的情況下，預(yù)期未來幾年都能有不錯(cuò)的表現(xiàn)。圖1為SEMI對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢與未來成長引擎的分析匯整。

設(shè)備投資創(chuàng)歷史新高材料市場表現(xiàn)走強(qiáng)

SEMI于2017年歲末更新全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告內(nèi)容，指出2017年晶圓廠設(shè)備投資相關(guān)支出將上修至570億美元，寫下歷史新高。由于芯片需求強(qiáng)勁、記憶體定價(jià)居高不下、市場競爭激烈等因素持續(xù)帶動(dòng)晶圓廠投資向上攀升，許多業(yè)者都以前所未見的手筆投資新建晶圓廠與相關(guān)設(shè)備。歷年全球晶圓廠設(shè)備支出金額(圖2)。

雖然英特爾(Intel)、美光(Micro)、東芝(Toshiba)與Western Digital、以及格羅方德(Globalfoundries)等許多公司都在2017、2018年增加晶圓廠投資，但晶圓廠設(shè)備支出增加最多的還是韓國三星(Samsung)及SK海力士(SK Hynix)這兩家業(yè)者。

SEMI數(shù)據(jù)顯示，2017年韓國整體投資金額激增主要是因?yàn)槿侵С龃蠓砷L，其成長幅度可望達(dá)到128%，從80億美元增至180億美元。SK海力士的晶圓廠設(shè)備支出也增加約70%，達(dá)55億美元，創(chuàng)下該公司有史以來最高紀(jì)錄。三星與SK海力士支出雖多半花在韓國境內(nèi)，但仍有一部分的投資在中國大陸與美國，也因而帶動(dòng)這兩個(gè)地區(qū)支出金額的成長。SEMI預(yù)測這兩家業(yè)者投資金額在2018年仍將持續(xù)居高不下。

2018年，中國大陸許多2017年完工的晶圓廠可望進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段。不過，中國大陸的晶圓廠投資仍大多來自外來廠商。在2018年中國大陸本土元件制造商的晶圓廠設(shè)備支出金額將有較大幅度的成長，達(dá)約45億美元，而外來廠商預(yù)計(jì)將投資64億美元。包括長江存儲(chǔ)、福建晉華、華力、合肥長鑫等許多新進(jìn)業(yè)者，都計(jì)畫在中國境內(nèi)大舉投資設(shè)廠。

至于在半導(dǎo)體材料方面，雖然新產(chǎn)能尚未大舉開出，但由于硅晶圓等材料業(yè)者過去幾年擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作并不積極，因此在半導(dǎo)體景氣大幅回暖的情況下，材料供不應(yīng)求的狀況十分明顯。半導(dǎo)體材料品項(xiàng)繁多，包含硅晶圓、氣體、化學(xué)品等，其中又以硅晶圓為最大宗。因此，硅晶圓產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)，對(duì)半導(dǎo)體材料整體的表現(xiàn)影響最大。

半導(dǎo)體硅晶圓的平均單價(jià)(ASP)長期以來都處于緩步走跌狀態(tài)，營收成長的動(dòng)力來自出貨量的提升。但自2017年的情況并非如此，由于硅晶圓供不應(yīng)求的關(guān)系，主要硅晶圓供應(yīng)商成功調(diào)漲報(bào)價(jià)，也扭轉(zhuǎn)了ASP下滑的長期趨勢，再加上硅晶圓出貨面積持續(xù)打破歷史紀(jì)錄，因此2017年硅晶圓市場的規(guī)模較2016年大幅成長17%，也帶動(dòng)整體半導(dǎo)體材料市場出現(xiàn)10%的年成長(圖3)。

為了守住得來不易的好價(jià)格，展望未來幾年，硅晶圓業(yè)者的產(chǎn)能擴(kuò)張速度不會(huì)太快，以便盡可能創(chuàng)造與客戶談判的籌碼。但由于半導(dǎo)體硅晶圓的客戶議價(jià)能力較強(qiáng)，因此硅晶圓均價(jià)未來的走勢還需要觀察。

SEMI預(yù)估，2018年與2019年全球半導(dǎo)體硅晶圓的產(chǎn)能將只會(huì)增加3.6%與3.2%。2018年整體半導(dǎo)體材料市場的規(guī)模則預(yù)估將成長4%。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今明兩年好光景

從SEMI目前掌握到的半導(dǎo)體設(shè)備與材料相關(guān)數(shù)據(jù)來看，2018年與2019年對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，仍可說是大好年。雖然近期美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫，恰逢中興遭美國禁運(yùn)制裁，使得貿(mào)易戰(zhàn)的戰(zhàn)火看似有延燒到科技產(chǎn)業(yè)的可能性，但這應(yīng)該只是獨(dú)立事件。畢竟，鋼鐵、農(nóng)產(chǎn)品等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，才是貿(mào)易戰(zhàn)的主戰(zhàn)場。

另一方面，中興遭到美國科技禁運(yùn)后，中國政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)注更上一層樓，未來中國或?qū)⒓莱龈喟雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶植政策，試圖解決缺「芯」問題。目前還很難斷言中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資力道，究竟會(huì)因此增加多少。但對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，未來中國的一舉一動(dòng)，勢必是得持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)。