據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights 周二(10 日) 最新研報(bào)指出，預(yù)計(jì)全球主要NAND 供應(yīng)商將大幅擴(kuò)大資本支出，來拉高產(chǎn)能，估計(jì)今年的NAND 記憶體價(jià)格將進(jìn)一步走跌。

近年NAND 資本支出比較(圖: IC insight)

如上圖所示，美光認(rèn)為，NAND記憶體產(chǎn)業(yè)為了維持出貨成長，每年都將增加40%資本支出擴(kuò)增產(chǎn)能，2015年資本支出為90億美元，到2018年已增加2倍達(dá)220億美元，之所以有這么龐大的資金成長，是各廠都積極往3D NAND方向布局，由于3D NAND需要更多的晶圓廠設(shè)備與無塵室，造成資本支出金額成長。

全球五大NAND 記憶體供應(yīng)商也都聲稱，相信未來幾年內(nèi)，NAND 出貨量每年的成長率平均約為40%。而如上圖所示，去年美光為要支持NAND 記憶體40% 的出貨量增長，事實(shí)上實(shí)際資本支是出比所需之資本支出還要超出27%，而今年預(yù)計(jì)將會有超過41%的額外資本支出，資本支出預(yù)算一路擴(kuò)大。

記憶市場的歷史先驅(qū)表明，過多資本支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩，以及價(jià)格疲軟；三星)、海力士、美光、英特爾、東芝、Western Digital和武漢新芯都計(jì)劃未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND記憶體產(chǎn)出數(shù)量，其他新的中國廠商也可能會持續(xù)進(jìn)入這個(gè)市場。IC Insights認(rèn)為，產(chǎn)業(yè)各廠高估3D NAND市場需求，風(fēng)險(xiǎn)持續(xù)不斷升溫。

旺季需求動(dòng)能不如預(yù)期研調(diào)，價(jià)格進(jìn)一步下跌

展望下半年NAND Flash 市場，據(jù)集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，受到需求動(dòng)能相對平淡，加上供應(yīng)商64/72 層3D NAND 良率與產(chǎn)出繼續(xù)提升影響，市場將由原先預(yù)期的供給緊縮，轉(zhuǎn)為趨近供需平衡狀態(tài)，預(yù)期各產(chǎn)品合約價(jià)將續(xù)跌。

上半年NAND Flash 市況受到傳統(tǒng)淡季沖擊與64/72 層3D NAND 產(chǎn)能穩(wěn)定擴(kuò)張影響，DRAMeXchange 指出，各類產(chǎn)品合約價(jià)已連續(xù)2 季下跌，各供應(yīng)商也藉由提供高容量產(chǎn)品價(jià)格誘因，以吸引客戶，刺激旺季需求進(jìn)一步成長，并放緩今年的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，試圖力挽價(jià)格走跌態(tài)勢延續(xù)至下半年。

然而，從需求面來看，DRAMeXchange 表示，第3 季雖屬傳統(tǒng)旺季，但來自智能型手機(jī)、筆記型電腦與平板電腦的需求，分別呈現(xiàn)0-1%、0-1% 及9-10%的季成長，動(dòng)能相對平淡，供應(yīng)商又試圖降價(jià)刺激需求，導(dǎo)致價(jià)格跌幅大于先前預(yù)期。

展望第4 季，DRAMeXchang 指出，供給面新增產(chǎn)能不多，但供應(yīng)商的64/72 層產(chǎn)品良率預(yù)期將趨近或超過80% 水準(zhǔn)，達(dá)成熟狀態(tài)，另一方面，供應(yīng)商也準(zhǔn)備新增或轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至96 層制程，帶動(dòng)位元產(chǎn)出持續(xù)成長。

至于需求面，在筆記型電腦成長疲軟、智能型手機(jī)硬體規(guī)格缺乏亮點(diǎn)，及換機(jī)動(dòng)能不足下，需求不如預(yù)期，價(jià)格恐持續(xù)走跌，預(yù)期跌幅將比第3 季更明顯，但若蘋果新機(jī)銷售狀況穩(wěn)健，可望微幅減緩第4 季價(jià)格跌幅。