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了解國產(chǎn)存儲芯片三大領(lǐng)頭羊的研發(fā)和投產(chǎn)進展

SwM2_ChinaAET ? 來源:未知 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-07-22 10:07 ? 次閱讀
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存儲芯片因為其應用的廣泛性和重要性,是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導體元件,近些年隨著大數(shù)據(jù)、云計算物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展,其在整個產(chǎn)業(yè)鏈中扮演的角色將更加重要。過去,我國的存儲芯片基本依賴于進口,三星、東芝、SK海力士、美光等美日韓企業(yè)占據(jù)主要市場份額。自2014年我國頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》,經(jīng)過政府和企業(yè)近幾年潛心的努力和投入,已形成包括發(fā)展NAND Flash的長江存儲、專注移動式內(nèi)存的合肥長鑫以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。這三大存儲芯片基地分別在當?shù)丶泳o建設(shè)存儲芯片工廠,合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片,成為我國國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。既然2018年將成為國產(chǎn)存儲芯片主流化發(fā)展的元年,那么這三大領(lǐng)頭羊研發(fā)和投產(chǎn)進展如何?

長江存儲

2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè),其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,核心廠區(qū)占地面積約1717畝,預計項目建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。經(jīng)過一年多的布局,目前,長江存儲已經(jīng)在武漢、北京、上海、臺北、東京、硅谷均設(shè)有研發(fā)基地。

長江存儲以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式,已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片,填補了國內(nèi)空白。

2018年4月,由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段。同時紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露了一個振奮人心的好消息:長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單,總計10776顆芯片,將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

在CITE2018展會上開幕式上,紫光集團董事長趙偉國宣布,紫長江存儲32層64G 3D NAND Flash存儲器將會在2018年達成小規(guī)模量產(chǎn)的目標,2019年64層128G 3DNAND Flash儲器則將會進入規(guī)模研發(fā)的階段。

2018年5月,長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機運抵武漢天河機場。這是長江存儲的首臺光刻機,不過這臺機器并不是最新的EUV光刻機,而是193nm沉浸式光刻機,可用于產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓,新的光刻機的進廠,也標志著長江存儲32層3D NAND Flash即將進入量產(chǎn)。

合肥長鑫

合肥長鑫集成電路有限責任公司是由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司和合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)(有限合伙)投資建立的。公司成立于2016年,由中芯國際前CEO王寧國主導。

2017年5月,長鑫宣布,預計由合肥長鑫投資72億美元,興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品,預計最大月產(chǎn)將高達12.5萬片規(guī)模。

2017年10月,合肥長鑫與兆易創(chuàng)新合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目。項目內(nèi)容為在合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器(含 DRAM 等)的研發(fā),目標是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功,即實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于 10%。目前雙方合作非常順利。

2018年4月份,王寧國出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”表示,合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成,設(shè)備也開始安裝。根據(jù)計劃,長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產(chǎn)能將達到2萬片一個月。從2020年開始,公司則開始規(guī)劃二廠,2021年則完成17nn的研發(fā)。

了解國產(chǎn)存儲芯片三大領(lǐng)頭羊的研發(fā)和投產(chǎn)進展

2018年7月,合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片,完全在上述投產(chǎn)時間計劃之內(nèi)。在短短兩年的發(fā)展中,合肥長鑫在元件、設(shè)計、光罩、制造和測試領(lǐng)域都做了不少的積累。截至2017年底,已申請專利354件,2018年計劃申請專利1155件:其中計劃申請元件專利126件、設(shè)計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底,申請專利數(shù)量總計達到1509件。

福建晉華

2016年2月,福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設(shè)立福建晉華集成電路有限公司。2016年5月,福建晉華與***聯(lián)華電子簽署技術(shù)合作協(xié)議,投資56.5億美元,在福建省晉江市建設(shè)12寸內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線,開發(fā)先進存儲器技術(shù)和制程工藝,并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。

福建晉華集成電路公司的生產(chǎn)線設(shè)備安裝將于2018年7月底完成,為三季度的大規(guī)模量產(chǎn)鋪平了道路。到2018年年底投產(chǎn)后,將形成月處理6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能,這將填補中國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的空白。

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原文標題:【今日頭條】國產(chǎn)存儲芯片三大領(lǐng)頭羊都在干什么?

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