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IGBT5的產(chǎn)品基本特點(diǎn)以及相關(guān)的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)電氣特性

QjeK_yflgybdt ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-07-23 17:23 ? 次閱讀
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引 言

在風(fēng)力發(fā)電、高壓直流輸電系統(tǒng)和工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,為了滿足用戶對(duì)更高可靠性、功率密度增加和穩(wěn)定性的要求,大電流功率模塊成為了新的發(fā)展趨勢(shì)。伴隨著功率密度的提升,所引起的開(kāi)關(guān)損耗等問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致 IGBT 器件過(guò)熱,工作壽命縮短甚至失效。基于此,英飛凌結(jié)合創(chuàng)新的IGBT5芯片和.XT 技術(shù),設(shè)計(jì)出新一代PrimePACK? 功率模塊。本文將介紹IGBT5的產(chǎn)品基本特點(diǎn)以及相關(guān)的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)電氣特性。同時(shí),結(jié)合實(shí)際客戶應(yīng)用需求,進(jìn)行系統(tǒng)功率測(cè)試突顯新一代產(chǎn)品帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和價(jià)值,并推薦新能源應(yīng)用中的基本系統(tǒng)方案。

IGBT5介紹

IGBT5 芯片采用溝槽柵-場(chǎng)終止(Trench-FieldStop)技術(shù),最高工作結(jié)溫Tvj.op達(dá)到175 ℃,芯片厚度比IGBT4減少10um,單芯片IGBT5額定電流可以達(dá)到300A,搭載IGBT5的PrimePACK? 3+ 模塊采用雙交流母排端子結(jié)構(gòu),相比傳統(tǒng)的PrimePACK?模塊額外增加了一個(gè)交流功率端子,降低了電流在輸出端子部分的發(fā)熱量的同時(shí)增加了模塊電流密度。

新PrimePACK? 功率模塊有兩種典型的封裝形式,即PrimePACK? 2和PrimePACK? 3+。相比現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)IHM 大功率模塊封裝,優(yōu)勢(shì)在于更低的雜散電感和接觸熱阻,更高的工作結(jié)溫。在1200V和1700V條件下完全滿足污染等級(jí)3條件下的電氣間隙和爬電距離要求,模塊載流能力強(qiáng)且機(jī)械強(qiáng)度和抗振性能良好。在保持輸出電流不變的情況下,模塊壽命延長(zhǎng)十倍,應(yīng)用系統(tǒng)的輸出功率提高30%。此外,保持輸出功率不變的情況下可以降低冷卻要求。PrimePACK? 3+封裝外形尺寸與前一代的PrimePACK? 3基本相同,多個(gè)模塊可以并排,容易實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)功率輸出。

圖1(a)所示為新PrimePACK? 3+模塊,內(nèi)部由6個(gè)DCB并聯(lián)組成,內(nèi)部等效雜散電感約為10nH。模塊半橋拓?fù)浞庋b的電流等級(jí)擴(kuò)充至1800A,相比IGBT4代模塊提升了28%。圖1(b)為由4個(gè)DCB并聯(lián)構(gòu)成的新PrimePACK? 2模塊,額定電流容量最高達(dá)到1200A,電流密度增長(zhǎng)33%。兩種封裝根據(jù)功率差異性可適用于不同系統(tǒng)中,充分發(fā)揮最優(yōu)的性能。

圖1(a) PrimePACK? 3+ IGBT5模塊

圖1(b) PrimePACK? 2 IGBT5模塊

電氣特性

因?yàn)椴捎昧烁〉男酒穸群蛢?yōu)化的芯片結(jié)構(gòu),相比前一代芯片,IGBT5的導(dǎo)通壓降明顯降低。在相同的PrimePACK? 模塊封裝下對(duì)1700V IGBT5 P5和 IGBT4 P4進(jìn)行測(cè)試,比較在25℃以及兩款芯片各自最大允許工作結(jié)溫下的輸出特性曲線。從圖2中在Tvj.op=25℃時(shí),相同的輸出電流,IGBT5 P5集電極與發(fā)射極電壓比IGBT4 P4更低;工作在最高結(jié)溫時(shí),即使相差25℃,IGBT5 P5仍然具有更低的飽和壓降,充分證明了特性的改善。飽和壓降的降低,使芯片在輸出電流時(shí)承受的電壓越小,產(chǎn)生導(dǎo)通損耗減少。

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圖2 1700V IGBT5-P5和 IGBT4-P4輸出特性曲線在25度以及最大允許工作結(jié)溫下比較

IGBT5要保證重復(fù)開(kāi)關(guān)更高電流1800A,甚至RBSOA條件下需要安全關(guān)斷2倍電流,這對(duì)IGBT的關(guān)斷軟度提出了更高要求。IGBT5芯片關(guān)斷特性在IGBT4基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì),關(guān)斷損耗進(jìn)一步優(yōu)化,同時(shí)關(guān)斷軟度特性高,擁有更長(zhǎng)的關(guān)斷時(shí)間和較低的電壓尖峰。圖3為FF1800R17IP5在2倍額定電流,即Ic,nom=3600A情況下的關(guān)斷波形。

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圖32倍額定電流Ic,nom=3600A關(guān)斷波形

圖4是在Ic,nom=1800A條件下的關(guān)斷電壓尖峰隨門(mén)極電阻的變化情況。隨著關(guān)斷電阻增加,關(guān)斷損耗升高;在相同關(guān)斷電阻的條件下,升高結(jié)溫則會(huì)使關(guān)斷特性會(huì)變軟,電壓尖峰明顯降低。此外,值得一提的是電壓尖峰值在較小或較大關(guān)斷門(mén)極電阻情況下均較低。

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圖4 Vcep與關(guān)斷電阻Rgoff關(guān)系

模塊應(yīng)用和方案

系統(tǒng)測(cè)試

為了分析和驗(yàn)證新一代PrimePACK?功率模塊總體性能,實(shí)驗(yàn)室采用ModSTACKTM HD演示平臺(tái)分別搭載測(cè)試對(duì)象FF1400R17IP4以及FF1800R17IP5(圖5)。該平臺(tái)是基于PrimePACK?模塊封裝進(jìn)行布局設(shè)計(jì),主要應(yīng)用于逆變器驅(qū)動(dòng)及風(fēng)電電機(jī)側(cè)設(shè)計(jì)中。

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圖5 兩款模塊的測(cè)試平臺(tái)

相關(guān)測(cè)試條件為Rgon=0.1?,Rgoff=0.68?,開(kāi)關(guān)頻率f=2kHz。圖6所示同一平臺(tái)下交流電流輸出結(jié)果,可以看出,1800A模塊FF1800R17IP5對(duì)比1400A模塊FF1400R17IP4在結(jié)溫增加的同時(shí),電流密度增長(zhǎng)了30%。在結(jié)溫發(fā)揮到極致的情況下,搭載IGBT5的功率模塊,電流密度甚至能增長(zhǎng)43.6%,RMS有效值達(dá)到1200A。

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圖6 IGBT4與IGBT5在同一平臺(tái)下的測(cè)試結(jié)果

應(yīng)用方案

1.光伏電池板

PrimePACK?模塊在光伏應(yīng)用中模塊可支持對(duì)最新的1500V 太陽(yáng)能電池板進(jìn)行設(shè)計(jì)(如圖7),使之具有良好的FIT率。采用帶3個(gè)PrimePACK? 2模塊的三電平NPC1逆變器結(jié)構(gòu),功率密度進(jìn)一步增加30%。在無(wú)模塊并聯(lián)的情況下,單個(gè)逆變器輸出功率也能達(dá)到625kW,如此高的功率密度用在三電平的方案中充分體現(xiàn)了該模塊的性能優(yōu)勢(shì)。

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圖7 PrimePACK? 模塊在PV板設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

2. 風(fēng)力發(fā)電

在海上風(fēng)電項(xiàng)目上,風(fēng)力發(fā)電機(jī)組向大型化發(fā)展并結(jié)合電網(wǎng)輸送電力給用戶。風(fēng)電變流器可以改善風(fēng)電系統(tǒng)的工作狀況,減少發(fā)電機(jī)損耗,提升風(fēng)能利用率。因此,用于變流器的設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體模塊至關(guān)重要。應(yīng)用IGBT5和.XT技術(shù)的新PrimePACK?模塊對(duì)比前一代產(chǎn)品已拓展應(yīng)用至3.5MW風(fēng)力發(fā)電機(jī)組中及相關(guān)直驅(qū)產(chǎn)品中,如圖8,風(fēng)柜數(shù)量由6個(gè)減少至4個(gè),變流器尺寸縮小,有利于減少風(fēng)電系統(tǒng)的損耗。新模塊另整個(gè)系統(tǒng)更加簡(jiǎn)潔,高效地將發(fā)電機(jī)的變頻輸出轉(zhuǎn)換為適合相應(yīng)地區(qū)電網(wǎng)的固定頻率。

圖8 風(fēng)電變流器比較

結(jié) 語(yǔ)

為了適應(yīng)更大電流,更高規(guī)模的實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng),本文主要介紹了IGBT5和創(chuàng)新.XT技術(shù)的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。IGBT5在導(dǎo)通損耗以及電氣特性方面的性能提升, 不僅降低了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗,在工作結(jié)溫升高的同時(shí)使芯片功率密度和效率得以改善。而.XT模塊工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了耐高溫和大電流的封裝,并通過(guò)增強(qiáng)散熱設(shè)計(jì)提高了功率循環(huán)周次,能延長(zhǎng)系統(tǒng)的壽命,同時(shí)降低了電磁干擾的影響。將搭載IGBT5和.XT技術(shù)的全新PrimePACK? 模塊應(yīng)用在1500V光伏系統(tǒng)中,單個(gè)逆變器輸出功率可達(dá)625kW;應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電中,可以將3MW風(fēng)力發(fā)電機(jī)組擴(kuò)展至3.5MW。

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原文標(biāo)題:采用IGBT5和.XT技術(shù)的PrimePACK? 模塊

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