中國(guó)政府支持下的3D NAND制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司宣稱，其將在明年正式推出閃存芯片產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司目前正在開(kāi)發(fā)的是一款32層3D NAND芯片，其目標(biāo)數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度為每秒3 Gbit，據(jù)稱這一水準(zhǔn)相當(dāng)于DDR4內(nèi)存的速度表現(xiàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司指出，其32層3D NAND芯片將于2019年投入批量生產(chǎn)，該工廠每月可生產(chǎn)30萬(wàn)片晶圓，主要用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)級(jí)應(yīng)用。不過(guò)目前我們還無(wú)法確認(rèn)該芯片的速度表現(xiàn)將接近DDR4內(nèi)存的說(shuō)法。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司CEO楊士寧在一份聲明中表示：

目前，全球速度最快的3D NAND I/O水平為每秒1.4 Gbit，而業(yè)界所發(fā)布的大多是每秒1.0 Gbit甚至更低的產(chǎn)品。憑借我們的Xtacking技術(shù)，產(chǎn)品NAND I/O速度將可達(dá)到每秒3 Gbit，類似于DRAM DDR4的I/O速度。這一表現(xiàn)將改變NAND行業(yè)的游戲規(guī)則。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司的32層芯片在層數(shù)方面僅為96層前沿水準(zhǔn)的三分之一，而目前英特爾/美光、西部數(shù)據(jù)/TMC以及三星的代工廠都已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)96層產(chǎn)品。然而，如果長(zhǎng)江的芯片真的能夠?qū)⑺俣缺憩F(xiàn)提升至三倍，那么層數(shù)較小的問(wèn)題可能不再是問(wèn)題。

事實(shí)上，如果真能實(shí)現(xiàn)這樣的速度表現(xiàn)，那么其將成為比英特爾3D XPoint性能更強(qiáng)的非易失性存儲(chǔ)器方案。

Xtacking技術(shù)類似于美光的CMOS-under-Array（簡(jiǎn)稱CuA）設(shè)置，其芯片的外圍邏輯電路構(gòu)建在NAND層下方，能夠顯著減少芯片的整體面積。不過(guò)區(qū)別在于，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司將其邏輯電路置于芯片之上，而非下方。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司擁有中國(guó)政府提供的強(qiáng)大支持，且多數(shù)股權(quán)歸紫光集團(tuán)所有。該公司指出，傳統(tǒng)3D NAND設(shè)計(jì)（這里并不特指美光公司）當(dāng)中，外圍電路往往占芯片面積的20%到30%，這會(huì)嚴(yán)重拉低NAND的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展至128層以上，外圍電路最終可能占芯片總面積的50%以上。

這家中國(guó)本土芯片制造商的Xtacking技術(shù)能夠有效回避這個(gè)問(wèn)題，而且雖然還沒(méi)有對(duì)具體方式給出確切解釋，但其確實(shí)也打開(kāi)了進(jìn)一步提升速度表現(xiàn)的大門(mén)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司在其網(wǎng)站上添加了一段宣傳視頻，但其中并沒(méi)有提供多少細(xì)節(jié)信息。

這款芯片由獨(dú)立的NAND與外圍電路晶圓構(gòu)成。外圍電路負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)IO與存儲(chǔ)單元操作，旨在實(shí)現(xiàn)必要的功能設(shè)置與IO速度。但就目前公布的信息，我們無(wú)從得知其如何實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒3 Gbit的速度表現(xiàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司發(fā)布的聲明指出：“一旦完成陣列晶圓的處理，兩塊晶圓將通過(guò)數(shù)百萬(wàn)個(gè)金屬VIA（即垂直互連接入）實(shí)現(xiàn)電路連接，而這些VIA將在同一工藝環(huán)節(jié)之內(nèi)在整片晶圓上同時(shí)構(gòu)建完成?！?/p>

這份聲明表示，此項(xiàng)設(shè)計(jì)能夠帶來(lái)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)3D NAND的存儲(chǔ)密度。此外，其還可以獨(dú)立開(kāi)發(fā)及處理陣列與外圍電路，從而實(shí)現(xiàn)“模塊化、并行化的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與制造方法，從而將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間縮短至少三個(gè)月，并將制造周期縮短20%——這將顯著加快3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間?！?/p>

這家制造商同時(shí)提到，其能夠立足外圍邏輯電路構(gòu)建具有特定及特殊功能的定制化NAND產(chǎn)品。這對(duì)于OEM類客戶無(wú)疑具有重大吸引力。

來(lái)自O(shè)bjective Analysis公司的分析師Jim Handy指出，“東芝與PMC Sierra在兩到三年之前就率先利用單獨(dú)的邏輯芯片實(shí)現(xiàn)多層NAND的速度提升，并在閃存記憶體峰會(huì)上展示了其堆疊式NAND?！?/p>

“長(zhǎng)江公司拿出的是一種成本略低的重現(xiàn)方案，因?yàn)槠洳辉俨捎霉柰?，而是?shí)現(xiàn)面對(duì)面鍵合，從而將每個(gè)邏輯芯片限制在單一NAND芯片之內(nèi)。這確實(shí)能夠帶來(lái)速度提升，但NAND閃存本身是一種速度較低的介質(zhì)。這樣的作法到底是否值得，最終還要看市場(chǎng)的實(shí)際反響?！?/p>