據(jù)韓國(guó)中央日?qǐng)?bào)8月9日?qǐng)?bào)道，中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域展開了空襲。在被視為半導(dǎo)體起源地的美國(guó)硅谷舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(YMTC)宣布，將從明年開始向市場(chǎng)供應(yīng)32層三維NAND閃存(以下簡(jiǎn)稱NAND)，并公開了自主三維NAND量產(chǎn)技術(shù)。

中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月7日參加在美國(guó)圣克拉拉會(huì)議中心舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)，公開了32層三維NAND樣品。該公司表示，產(chǎn)品將從今年10月開始進(jìn)行試投產(chǎn)，明年啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)。在此之前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)曾在去年公開三維NAND技術(shù)，宣布將在一年后的今年年末啟動(dòng)量產(chǎn)。中國(guó)作為全球最大的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，中國(guó)企業(yè)宣布“自主生產(chǎn)”給全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)帶來了巨大沖擊。但當(dāng)時(shí)業(yè)界普遍認(rèn)為中國(guó)不可能輕易成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

報(bào)道稱，當(dāng)時(shí)中國(guó)沒有任何生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的基礎(chǔ)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)又是一家2016年剛剛成立的新生企業(yè)。但現(xiàn)在看來，這家企業(yè)似乎要打破人們的預(yù)期，成立短短三年后就將向市場(chǎng)推出中國(guó)生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國(guó)國(guó)營(yíng)半導(dǎo)體公司清華紫光集團(tuán)的子公司，得到了中國(guó)政府的補(bǔ)助和稅收減免等全面支持。

業(yè)界認(rèn)為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到64層三維NAND閃存階段。據(jù)了解，該公司正在試產(chǎn)64層三維NAND閃存并向本國(guó)IT企業(yè)供貨。

具備記憶和儲(chǔ)存功能的NAND和DRAM是典型的存儲(chǔ)芯片，中國(guó)首先將目光盯向了存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域行業(yè)壁壘相對(duì)較低的NAND市場(chǎng)?，F(xiàn)在三星電子和SK海力士主要生產(chǎn)第四代64-72層三維NAND閃存，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃明年投產(chǎn)的第二代三維NAND閃存的市場(chǎng)需求不同。在NAND閃存產(chǎn)品中，層數(shù)越多，所需要的技術(shù)力量越強(qiáng)。

韓國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，雖然韓國(guó)半導(dǎo)體不會(huì)立刻受到打擊，但到明年下半年市場(chǎng)也會(huì)受到影響。長(zhǎng)江存儲(chǔ)從公開32層三維NAND閃存技術(shù)到產(chǎn)品投產(chǎn)只用了1年半的時(shí)間，按照這個(gè)速度下去，該公司今年年初試產(chǎn)的64層三維NAND完全有望在明年年末投產(chǎn)。

韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為，現(xiàn)在韓國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先中國(guó)三至四年。長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃投產(chǎn)的32層三維NAND閃存是三星電子2014年8月推出的產(chǎn)品。另外，三星早在2016年12月就開始量產(chǎn)64層三維NAND閃存，現(xiàn)在三星電子已經(jīng)具備96層三維NAND閃存技術(shù)，SK海力士也已經(jīng)具備72層三維NAND技術(shù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在本屆半導(dǎo)體大會(huì)上公開了自主研發(fā)的“Xtacking”三維NAND閃存量產(chǎn)技術(shù)。該公司首席執(zhí)行官(CEO)楊士寧表示“大部分企業(yè)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度都在1Gbps左右，行業(yè)最頂級(jí)的企業(yè)也只有1.4Gbps”，“但我們使用Xtacking技術(shù)，傳輸速度可以達(dá)到3Gbps”，主張本公司產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度可以比行業(yè)最頂級(jí)的三星電子快一倍。

報(bào)道稱，韓國(guó)專家們普遍認(rèn)為這種技術(shù)很難真正實(shí)現(xiàn)。一般來說，生產(chǎn)NAND閃存需要1個(gè)晶元，但Xtacking技術(shù)需要兩個(gè)晶元。這就意味著，Xtacking工程比普通工程耗費(fèi)的成本更高。極東大學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備工程學(xué)教授崔才成(音)表示“這種工程需要加入將兩個(gè)芯片連接在一起的程序，不僅成本高，還會(huì)耗費(fèi)更多的時(shí)間，很難實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)”。

韓媒認(rèn)為無論Xtacking技術(shù)具有多大可信度，中國(guó)在NAND閃存上的追趕速度都對(duì)韓國(guó)形成了威脅。韓國(guó)專家們一致認(rèn)為，韓國(guó)若想擺脫中國(guó)的追擊保持世界第一的位置，就必須采取“超大差距”戰(zhàn)略。漢陽大學(xué)電子復(fù)合工程學(xué)樸在勤教授表示“在以人工智能(AI)、5G、云技術(shù)等為代表的第四次工業(yè)革命時(shí)代，高性能和大容量存儲(chǔ)芯片的需求將大大增加”，“為了把擁有強(qiáng)大資源的中國(guó)甩在身后，我們必須占領(lǐng)絕對(duì)技術(shù)高地，使其無從追趕”。

三星電子計(jì)劃在京畿道平澤市投資超過30萬億韓元建造新的半導(dǎo)體流水線。SK海力士也計(jì)劃投資15萬億韓元在京畿道利川市建造半導(dǎo)體工廠。

最近，三星電子存儲(chǔ)器項(xiàng)目閃存開發(fā)室長(zhǎng)(副總裁)庚界賢(音)表示“我們將擴(kuò)大V NAND流水線，加速推動(dòng)新一代存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的變化”。

另外，它們還將強(qiáng)化與中小合作企業(yè)和學(xué)術(shù)界的合作。SK海力士實(shí)施了“技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)”制度，通過成立專門工作團(tuán)隊(duì)(TF)向被列為技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)的中小企業(yè)提供研發(fā)、制造和采購等支持；三星也在8月8日表示，將把產(chǎn)學(xué)合作規(guī)模從現(xiàn)在的每年400億韓元擴(kuò)大到一年1000億韓元的水平。

韓國(guó)各大企業(yè)都正費(fèi)盡心思拉開在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域與中國(guó)的差距，同時(shí)，韓國(guó)政府也開始著手培育相對(duì)薄弱的非內(nèi)存半導(dǎo)體。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部部長(zhǎng)白云揆7月30日表示“我們將在未來10年投資1.5萬億韓元支持(半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè))”。

為此，韓國(guó)在7月31日成立“System Semiconductor設(shè)計(jì)援助中心”，計(jì)劃對(duì)非內(nèi)存半導(dǎo)體的技術(shù)開發(fā)、投資招商、市場(chǎng)營(yíng)銷等從創(chuàng)業(yè)到成長(zhǎng)的全部過程提供全面支持。