2018年8月7日，全球重要的閃存控制器供應商深圳市得一微電子有限責任公司（以下簡稱“得一微電子”）攜多款最新產(chǎn)品參展全球頂級閃存峰會2018 Flash Memory Summit(簡稱“FMS”)，并發(fā)表重要演講，向全球閃存界分享最新的3D NAND Flash研究成果，獲得高度認可。

FMS是目前存儲業(yè)內(nèi)最為國際性頂級閃存峰會，來自全球的閃存界優(yōu)秀企業(yè)匯聚于此，合作交流。今年FMS在位于美國硅谷加州圣克拉拉會議中心舉辦，得一微電子向全球客戶展示全套閃存控制器解決方案，從USB3.1、SD、eMMC 到SATA SSD、PCIe NVMe SSD，產(chǎn)品線齊全，并全線支持3D NAND Flash，得一微電子是唯一能提供一站式解決方案的中國大陸廠商。

得一微電子市場總監(jiān)羅挺介紹公司產(chǎn)品的最新進展，他說，SATA3.2 SSD控制器YS9083XT 已經(jīng)獲得規(guī)模應用，得到眾多客戶的認可，此外PCIe Gen3x2 YS9201正在Design in, 處于客戶送樣中。

在此次峰會上，得一微電子還發(fā)布了新款高IOPS eMMC 控制器YS8293EN,閃存支持DDR533,帶寬提高30%，SRAM擴大，提高隨機讀寫速度，進一步擴大公司在嵌入式存儲領域的影響力。

羅挺認為，中國存儲控制器廠商參與國際交流甚至競爭，讓世界了解中國閃存主控的真正實力，得一微電子有信心肩負中國閃存控制器崛起的重任。

在同期舉辦的閃存論壇上，得一微電子閃存特性分析部門經(jīng)理葉敏展示最新研究成果“A Graphical Journey into 3D NAND Program Operations”。他對3D NAND 的TLC以及QLC操作特性進行了直觀的演示，對比了Flash的One Shot編程與2-Pass編程的物理過程，通過先進高效的研究手段，充分理解各家主流3D供應商的特征，通過基礎研究，提升閃存應用的可靠性。這項研究也令得一微電子更深入地了解閃存，有利于閃存控制器的先進技術(shù)研發(fā)。

這項研究不僅針對目前主要的閃存供應商的3D NAND，也適用于長江存儲即將量產(chǎn)的3D NAND產(chǎn)品，可謂覆蓋全面，分析詳盡。

日前，長江存儲正式公布了在3D NAND構(gòu)架上的最新技術(shù)Xtacking。據(jù)長江存儲表示，采用Xtacking技術(shù)的存儲芯片，I/O速度有望達到了3Gbps，和DDR4內(nèi)存相當，而目前日韓廠商同類產(chǎn)品的速度為1Gbps左右。

針對這一閃存技術(shù)以及將應用于對應的產(chǎn)品并有望明年實現(xiàn)量產(chǎn)，羅挺認為這就要求閃存控制器廠商對閃存特性進行深入分析，確立對應的主控方案，而得一微電子對3D NAND的特性分析研究成果將有助于開發(fā)更適合的控制器。他透露，接下來得一微電子規(guī)劃的產(chǎn)品將會定位更高，匹配長江存儲的高性能I/O接口。

得一微電子此次參加FMS，攜全產(chǎn)品線進行全球首秀，必將得到更多朋友們的關(guān)注，為得一微電子的全球化打開新局面。

接下來，得一微電子還將參加8月16日在哈爾濱舉行的第十屆中國測試學術(shù)會議的存儲可靠性技術(shù)論壇，并由市場總監(jiān)羅挺帶來“提高閃存介質(zhì)可靠性的工程”的技術(shù)演講。