由美國蓄意發(fā)動(dòng)的貿(mào)易戰(zhàn)歷時(shí)已經(jīng)數(shù)月，對(duì)于中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的影響不可低估，顯然也不值得驚慌。

要充分認(rèn)識(shí)這場貿(mào)易戰(zhàn)的不可避免性、兩重性以及它的艱巨性。

所謂不可避免性是指中國一定會(huì)崛起，而美國試圖阻撓，雙方之間哪方也不可能妥協(xié)，非常有意思的是至此聽到的是雙方都說自己會(huì)”贏”，因此注定此戰(zhàn)具長期性及復(fù)雜性。

這場貿(mào)易戰(zhàn)有兩重性，可謂“我中有你，你中有我”，因此不太可能會(huì)走向極端，雙方都會(huì)保持一定的理性與克制。

艱巨性體現(xiàn)在矛盾是很難輕易解決，只有利益的暫時(shí)平衡。中方把此場貿(mào)易戰(zhàn)看成是中國半導(dǎo)體業(yè)前進(jìn)成長道路上的必修課之一。由于產(chǎn)業(yè)處在獨(dú)特的地位，面臨的困難可能更多。相信依賴于政府補(bǔ)貼，暫時(shí)是可以的，也有必要，但是長久是長不大的，只有從競爭中勝出。相信經(jīng)過此戰(zhàn)后可能會(huì)加速產(chǎn)業(yè)向市場化的進(jìn)程。

產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有進(jìn)

近期從產(chǎn)業(yè)一線傳來的消息尚令人可喜：

中芯國際Q2的法說會(huì)上梁孟松指出，14納米第一代FinFET目前PDK1.0版本已經(jīng)釋出給客戶，預(yù)計(jì)提前至2019年上半年開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)；同時(shí)，正規(guī)劃第二代FinFET工藝，預(yù)計(jì)芯片能耗將會(huì)減少40%，速度提升30%，邏輯芯片密度增加50%左右。之后會(huì)基于客戶的需求、同時(shí)跟緊行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，最重要的是保證技術(shù)的競爭力提升。

華虹半導(dǎo)體8月7日發(fā)布2018年Q2及中期業(yè)績報(bào)告。2018年上半年，公司實(shí)現(xiàn)銷售收入約4.4億美元，同比增長15.4%，再創(chuàng)歷史新高；母公司擁有人應(yīng)占利潤8588.8萬美元，同比增加25.5%。每股盈利0.08美元。

2018年第二季度，公司實(shí)現(xiàn)銷售收入約2.3億美元，同比增長16.1%；母公司擁有人應(yīng)占利潤4579.1萬美元，同比增長33.3%。每股盈利0.04美元。

它的無錫工廠建造正按計(jì)劃順利進(jìn)行，目前正在著手準(zhǔn)備月產(chǎn)12英寸40，000片產(chǎn)能首階段的相關(guān)設(shè)備計(jì)劃。

三家存儲(chǔ)器廠都進(jìn)入設(shè)備的安裝階段，其中合肥長鑫作為三大存儲(chǔ)芯片廠商中第一家正式投片的DRAM大廠，它作通用型19nm DRAM，每個(gè)12英寸硅片有8Gb DRAM的管芯800-1，000個(gè)，目前的產(chǎn)能約為10，000片，而福建晉華做利基型25nm DRAM，及長江存儲(chǔ)做 3D NAND。

值得慶賀的是長江存儲(chǔ)推出了自己的Xtacking架構(gòu)，其將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度；其最大的特點(diǎn)是高速I/O，高存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。特別是在I/O速度方面，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps，幾乎與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。長江存儲(chǔ)將把Xtacking技術(shù)用在它的64層3D NAND中，計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

當(dāng)長江存儲(chǔ)提出新的Xtacking架構(gòu)之后，注意到韓國方面并沒有暴跳如雷，僅看到的報(bào)道是認(rèn)為此種架構(gòu)的成品率難提升，這也是對(duì)于長江存儲(chǔ)的考驗(yàn)。

三家存儲(chǔ)器廠真正的量產(chǎn)考驗(yàn)尚在2019-2020年之后。

另一家上海的中微半導(dǎo)體是國內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的集成電路設(shè)備廠之一，主要深耕刻蝕機(jī)領(lǐng)域的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等，它的產(chǎn)品是全球化的，已成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)體系，如其介質(zhì)刻蝕設(shè)備已打入臺(tái)積電的7nm、10nm量產(chǎn)線，成功地打破了國際巨頭的壟斷。

目前中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備零部件國產(chǎn)化率已超過35%，并已開發(fā)了20多個(gè)國內(nèi)的客戶，它的刻蝕，硅通孔設(shè)備及MOCVD的質(zhì)量達(dá)到了國際先進(jìn)水平，截至2017年底，已有620多個(gè)中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)腔體運(yùn)行在全球的39條先進(jìn)生產(chǎn)線上。

貿(mào)易戰(zhàn)中要建自信

特朗普的”出牌”尚不可測，據(jù)最新的清單，160億美元出口美國的清單中，加稅25%已包含LED芯片等，所以出口受阻是首當(dāng)其沖，同時(shí)人民幣匯率己下降約10%，對(duì)于眾多芯片制造廠購買設(shè)備及原材料等的影響也不可小視。

現(xiàn)階段美方針對(duì)中國半導(dǎo)體業(yè)的策略是竭力阻止兼并，先進(jìn)制程技術(shù)的流出，以及人材的流失等，未來它們的出牌機(jī)會(huì)尚很多，必須密切關(guān)注。

然而一切之中，中國半導(dǎo)體業(yè)必須保持清醒，不能先亂了自身的方寸。只要扎實(shí)地把目前的工作做好就是最好的應(yīng)對(duì)。要相信上世紀(jì)60-70年代的全面“禁運(yùn)”時(shí)代，中國半導(dǎo)體業(yè)也能挺過來，現(xiàn)在的態(tài)勢已大不同。

近日見到一文說，“俄羅斯沒有先進(jìn)的芯片制造業(yè)（據(jù)說落后于中國），照樣能生產(chǎn)出足以與美對(duì)抗的許多先進(jìn)的武器裝備”，中國還有什么可擔(dān)心的。

“人無遠(yuǎn)慮，必有近憂”，要作好最壞時(shí)刻的預(yù)案準(zhǔn)備，中國半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)由危機(jī)轉(zhuǎn)為契機(jī)。

今天來看貿(mào)易戰(zhàn)可能有些“緊張”，但是相信再過幾年之后，隨著中國的國力繼續(xù)提升，雙方的貿(mào)易戰(zhàn)也逐漸成為”常態(tài)”，中國一定會(huì)更加自信與有力量。