繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后，紫光集團董事長趙偉國在首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上又“懟”上了高通。趙偉國稱“紫光在芯片上賺了點小錢，高通就很不喜歡”，“ 其實外國的芯片巨頭應該更有遠見一些，中國的情況非常復雜，跨國企業(yè)在集成電路領(lǐng)域應該給中國企業(yè)一口飯吃”。他在言詞批評的同時，高通總裁Cristiano Amon也在現(xiàn)場。

此外，趙偉國還透露，紫光將在在今年底量產(chǎn)32層64Gb的存儲器，在明年會量產(chǎn)64層128Gb的存儲器，并同步研發(fā)128層256Gb的存儲器。

64層3D NAND：實現(xiàn)國產(chǎn)存儲芯片零的突破

紫光旗下長江存儲（YMTC）主要聚焦3D NAND閃存產(chǎn)品的研發(fā)和制造，目前由長江存儲自主研發(fā)的14nm制程，32層64Gb 3D NAND閃存芯片是中國距離世界水平最近的一顆存儲芯片。

雖然相較于三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等國際大廠在2019年量產(chǎn)96層3D NAND，紫光量產(chǎn)64層3D NAND落后一個技術(shù)等級，但彌補了中國在NAND Flash芯片自主研發(fā)領(lǐng)域的空白，這是國產(chǎn)存儲芯片的里程碑之作。

另外，長江存儲發(fā)布了突破性技術(shù)—Xtacking，使得產(chǎn)品開發(fā)時間縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統(tǒng)3D NAND擁有更高的存儲密度。

同時，紫光存儲在2018年閃存峰會（Flash Memory Summit）上向全球發(fā)布了企業(yè)級NVMe 產(chǎn)品P8160、P8130、企業(yè)級SATA SSD產(chǎn)品S6110、消費類NVMe SSD產(chǎn)品P5120、渠道SATA SSD產(chǎn)品S100、渠道NVMe SSD產(chǎn)品P100、嵌入式產(chǎn)品eMMC、UFS全系產(chǎn)品，滿足大數(shù)據(jù)和本土市場存儲需求。

紫光存儲的大棋局

根據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，2015年，國內(nèi)半導體存儲器的市場規(guī)模2842.7 億人民幣，全球市場份額達到54.1%，而中國目前存儲器幾乎全部依賴進口。在企業(yè)級存儲、消費級存儲容量快速提升等因素驅(qū)動下，未來 5 年以上將保持超高成長性。

面對如此龐大的存儲器需求市場，紫光開始了其半導體存儲器領(lǐng)域的自主研發(fā)之路。

早在2013年，紫光就通過收購展訊、銳迪科來進行自己在半導體產(chǎn)業(yè)的布局。從此紫光的“買買買”一發(fā)不可收拾。然而紫光在存儲領(lǐng)域的動作，遠沒有像之前那樣輕松。

2015年，在試圖收購美光的企圖被美國政府禁止后，紫光豪擲38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權(quán)，進而由西部數(shù)據(jù)出面，繞過美國政府的管制，以190億美元收購閃迪。然而，這項交易最后還是由于美國海外投資委員會（CFIUS）介入審查而折戟。

在國際并購案上的鎩羽而歸，并沒有讓紫光死心，紫光轉(zhuǎn)身選擇與國內(nèi)企業(yè)聯(lián)手的方式，進軍存儲產(chǎn)業(yè)。

2016年7月，紫光收購武漢新芯的大部分股權(quán)，并注冊成立了全新的長江存儲，將武漢新芯變成其全資子公司；

2016年9月，紫光與西部數(shù)據(jù)成立合資公司紫光西數(shù)，布局存儲器下游應用的大數(shù)據(jù)存儲；

2016年11月，紫光與***地區(qū)主要封測廠南茂合作，入股上海宏茂微電子公司，進入封測領(lǐng)域，存儲布局取得實質(zhì)進展；

2017年8月，紫光存儲科技有限公司成立，主要產(chǎn)品包括移動存儲器、企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）、消費級SSD、存儲控制器芯片等；

2017年底，紫光集團收購矽品科技(蘇州)有限公司30%股權(quán)，進一步加強封測能力;同時，注資光寶科技蘇州子公司，獲得55%股權(quán)，發(fā)展包括固態(tài)硬盤在內(nèi)的存儲產(chǎn)品制造能力。

2017年底，紫光入股光寶蘇州子公司蘇州光建，實現(xiàn)SSD產(chǎn)品銷售、市場端的布局。

2017年底，紫光與光寶集團聯(lián)合宣布共同出資1億美元成立一個合資公司。合資公司將聚焦存儲市場。后者作為深耕SSD市場十數(shù)年的供應商，勢必會給紫光的SSD產(chǎn)品帶來好的指導。

目前，紫光的武漢存儲芯片工廠(長江存儲)建設順利，3D NAND研發(fā)取得突破進展;總投資460億美元的南京、成都存儲芯片工廠即將開工建設;上海宏茂的存儲芯片封測項目已在進行中;蘇州SSD工廠已開工建設。